用于压电应用的沉积方法及设备技术

揭示了用于在基板(201)上沉积用于压电应用的均匀层的方法及设备。从其中心到边缘具有均匀厚度的超薄种晶层(308)沉积在基板(201)上。与随后形成的压电材料层(312)的晶体结构紧密匹配的模板层(310)沉积在基板(201)上。种晶层(308)及模板层(310)的均匀厚度及取向继而促使生长具有改良的结晶度及压电特性的压电材料。电材料。电材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于压电应用的沉积方法及设备


[0001]本揭示案的实施方式大体涉及压电装置。更特定而言，本文揭示的实施方式涉及压电装置及沉积用于压电装置的膜的方法。

技术介绍

[0002]在半导体处理中，物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)(例如溅射)用于原子级的材料转移，以在基板上沉积薄膜或涂层。在PVD期间，具有源材料的靶被从处理室内的等离子体产生的离子轰击。靶被轰击导致源材料从靶向正在处理的基板溅射(例如喷射)。在一些实例中，可通过施加偏压而使溅射的源材料朝向基板加速。到达基板表面后，源材料可与基板的另一材料反应，以在其上形成薄膜或涂层。
[0003]PVD工艺可用于形成薄膜压电材料，这些材料在施加机械应力时积累电荷。压电材料常用于诸如陀螺感测器、喷墨打印头及其他微机电系统(microelectromechanical system；MEMS)装置之类的装置中的传感器及换能器，包括移动电话及其他无线电子装置的声学谐振器。弛豫铁电体，且尤其是弛豫PT材料是一种压电材料，由于其独特的自由能图景而展现出极高的压电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种压电装置堆叠，包括：基板，包含热氧化物层；第一种晶层，形成在所述热氧化物层上，所述第一种晶层包含钛(Ti)；底部电极层，形成在所述第一种晶层上；第二种晶层，所述第二种晶层包含钛(Ti)，并且具有约0.5nm与约5nm之间的厚度及+/
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10％的厚度不均匀性；及压电材料层，形成在所述第二种晶层上，所述压电材料层包括压电材料。2.如权利要求1所述的压电装置堆叠，其中所述压电材料是弛豫钛酸铅(PT)型材料。3.如权利要求2所述的压电装置堆叠，其中所述弛豫PT型材料包括铌酸镁铅
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PT(PMN
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PT)或铌酸铟铅
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铌酸镁铅
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PT(PIN
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PMN
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PT)。4.如权利要求3所述的压电装置堆叠，进一步包括：模板层，形成在所述第二种晶层上方及所述压电材料层下方，所述模板层具有与所述压电材料层的晶体结构大体相同的晶体结构。5.如权利要求4所述的压电装置堆叠，其中所述模板层包括钙钛矿锆钛酸铅(PZT)。6.如权利要求4所述的压电装置堆叠，其中所述模板层的厚度在约10nm与约200nm之间。7.如权利要求4所述的压电装置堆叠，其中所述模板层及所述压电材料层具有＜001＞的取向。8.如权利要求1所述的压电装置堆叠，其中所述第一种晶层包括二氧化钛。9.如权利要求1所述的压电装置堆叠，其中所述第二种晶层包括具有＜001＞的取向的二氧化钛。10.如权利要求1所述的压电装置堆叠，其中所述底部电极由具有＜111＞的取向的铂(Pt)形成。11.一种压电装置堆叠，包括：基板，包含热氧化物层；第一氧化钛(TiOx)种晶层，设置在所述热氧化物层上；第一铂(Pt)电极层，设置在所述第一TiOx种晶层上；第二TiOx种晶层，设置在所述第一Pt电极层上，所述第二TiOx种晶层具有约0.5nm与约5n...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿比吉特，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：