减少背侧基板接触的基板传送机构制造技术

技术编号:37701422 阅读:7 留言:0更新日期:2023-06-01 23:46
公开一种基板处理系统,包括耦接到传送腔室的基板输入/输出腔室,以及耦接到传送腔室的一个或多个处理腔室,其中基板输入/输出腔室包括多个堆叠载体保持器,并且载体保持器中的一者包括用于在其上支撑基板的基板载体。的一者包括用于在其上支撑基板的基板载体。的一者包括用于在其上支撑基板的基板载体。

【技术实现步骤摘要】
减少背侧基板接触的基板传送机构
[0001]本申请是申请日为2019年1月17日、申请号为201980011151.8、专利技术名称为“减少背侧基板接触的基板传送机构”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本公开内容一般涉及用于在处理工具中传送基板的方法及设备。更具体而言,本公开内容涉及用于在处理工具的腔室或多个腔室中传送基板的方法及设备。

技术介绍

[0003]超大规模集成(ULSI)电路可以包括形成于半导体基板(例如,硅(Si)基板)上的超过一百万个电子装置(例如,晶体管),并配合以在装置内执行各种功能。
[0004]许多已知的热处理通常用于晶体管及其他电子装置的制造。这些处理通常在具有多个腔室的工具(例如,群集工具)中执行。在这些处理期间,为了实现所期望的产量,最重要的顾虑是颗粒产生及/或基板的损伤。然而,颗粒和/或损伤的一个来源发生于基板传送期间(即,当基板在工具上的特定处理腔室内移动时,或者当基板从工具的一个腔室移动到工具的另一腔室时)。
[0005]已经确定,在传送期间接触基板的背侧(即,与沉积接收侧相对的一侧)的已知的基板提升销为颗粒和/或基板损伤的一个原因。举例而言,基板与提升销的接触可能刮伤基板和/或造成由接触所产生的颗粒。由接触所产生的颗粒可能污染腔室、基板、或后续基板,所有这些情况都会降低产量。
[0006]因此,需要一种用于在工具中传送基板的改善方法及设备。

技术实现思路

[0007]本公开内容一般涉及用于在处理工具中传送基板的方法及设备。更具体而言,本公开内容涉及用于在处理工具的腔室或多个腔室中传送基板的方法及设备。
[0008]在一个实施方式中,公开了一种基板处理系统,包括耦接到传送腔室的基板输入/输出腔室,以及耦接到传送腔室的一个或更多个处理腔室,其中基板输入/输出腔室包括多个堆叠载体保持器,而载体保持器中的一者包括用于在其上支撑基板的基板载体。
[0009]在另一实施方式中,公开了一种装载锁定腔室,包括台板、多个载体保持器、多个支撑构件、及载体,该台板具有嵌入其中的热传递元件,多个载体保持器围绕台板定位,多个支撑构件从堆叠载体保持器中的每一者延伸,并且载体定位于多个堆叠载体保持器中的一者的支撑构件上。
[0010]在另一实施方式中,公开了一种处理腔室,包括基座与基板支撑结构,基座具有相邻于其周边而形成的沟槽,而基板支撑结构包括多个载体升降销,其中载体升降销中的每一者容纳于与沟槽相邻的开口中。
附图说明
[0011]为使本公开内容的上述特征可详细地被理解,可参照实施方式获得简短概要如上的本公开内容的更特定描述,这些实施方式的一些绘示于附图中。然而,应注意,附图仅图示本公开内容的典型实施方式,而非视为对本公开内容的保护范围的限定,本公开内容可允许其他等效实施方式。
[0012]图1描绘适合于实践本公开内容的示例性处理设备的示意图。
[0013]图2为根据本公开内容的一个实施方式的装载锁定腔室的横截面图。
[0014]图3A描绘装载锁定腔室中的载体保持器的一个实施方式。
[0015]图3B为第一载体保持器与第二载体保持器的另一实施方式的等距视图。
[0016]图4A至图4G为图示图1的工厂接口、装载锁定腔室、及传送腔室之间的基板传送顺序的各种视图。
[0017]图5A至图5C为冷却台板以及与装载锁定腔室的冷却台板相关联的其他部件的各种视图。
[0018]图6为冷却台板与载体的一部分的示意性横截面图。
[0019]图7A至图7D为图示装载锁定腔室的细节的各种视图。
[0020]图8为经由柔性连接构件耦接到支撑板的电机的放大剖面图。
[0021]图9A及图9B为图示真空系统的细节的装载锁定腔室的等距视图。
[0022]图10为根据一个实施方式的处理腔室的示意性剖面图。
[0023]图11为图10的基座的等距视图。
[0024]图12为图10的基座与载体的一部分的放大剖面图。
[0025]为促进理解,各图中尽可能使用相同的附图标记指示相同的元件。预期一个实施方式的元件和特征可有利地并入其他实施方式,而无需赘述。
具体实施方式
[0026]本公开内容提供在处理工具中传送基板的方法及设备。更特定言之,使用最小化与基板的主表面的接触的基板传送机构来传送基板。
[0027]图1为包括适于实践本专利技术的基板传送机构的一个实施方式的示例性处理系统100的示意性顶视平面图。处理系统100包括基板输入/输出腔室122、真空密封处理平台104、工厂接口102、及系统控制器144。基板输入/输出腔室122可以是装载锁定腔室。在一个实施方式中,处理系统100可以是可从位于美国加利福尼亚州圣克拉拉的应用材料公司商业取得的整合处理系统。预期其他处理系统(包括来自其他制造商的处理系统)可以适于从本公开内容受益。
[0028]平台104包括多个处理腔室110、112、132、128、120以及至少一个耦接到真空基板传送腔室136的基板输入/输出腔室122。图1图示了两个基板输入/输出腔室122。工厂接口102通过基板输入/输出腔室122耦接到传送腔室136。
[0029]在一个实施方式中,工厂接口102包含至少一个对接站108以及至少一个工厂接口机器人114,以便于传送基板。对接站108经构造以接受一个或更多个前开式标准仓(FOUP)。图1的实施方式图示了两个FOUP 106A、106BB。具有设置于机器人114的一端上的叶片116的工厂接口机器人114经构造以将基板从FOUP 106A、106BB穿过基板输入/输出腔室122传送
到处理平台104以进行处理。
[0030]基板输入/输出腔室122中的每一者具有耦接到工厂接口102的第一端口以及耦接到传送腔室136的第二端口。基板输入/输出腔室122耦接到压力控制系统(未图示),从而对基板输入/输出腔室122进行抽空及通气,以促进在传送腔室136的真空环境与工厂接口102的实质周围(例如,大气)环境之间递送基板。
[0031]传送腔室136具有设置在其中的真空机器人130。真空机器人130具有叶片134,从而能够在基板输入/输出腔室122与处理腔室110、112、132、128、120之间传送基板124。
[0032]系统控制器144耦接至处理系统100。系统控制器144使用系统100的处理腔室110、112、132、128、120的直接控制来控制系统100的操作,或者通过控制与处理腔室110、112、132、128、120及系统100相关联的计算机(或控制器)来控制系统100的操作。在操作中,系统控制器144能够从各别腔室及系统控制器144进行数据收集及反馈,以将系统100的性能最佳化。
[0033]系统控制器144通常包括中央处理单元(CPU)138、存储器140、及支持电路142。CPU 138可以是能够用于工业环境中的任何形式的通本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理系统,包含:传送腔室;处理腔室,所述处理腔室耦接至所述传送腔室,其中所述处理腔室包含:多个堆叠基板保持器,所述多个堆叠基板保持器各自被构造为支撑基板,其中所述多个堆叠基板保持器的每一者包括支座和多个支撑构件,所述多个支撑构件从所述支座的弯曲唇部横向延伸;和台座,所述台座包括热传递元件,所述热传递元件被定位成调节支撑在所述多个支撑构件的支撑构件上的基板的温度;和传送腔室机器人,所述传送腔室机器人设置在所述传送腔室中,并被构造为将基板从所述传送腔室传送至所述多个堆叠基板保持器的所述多个支撑构件的每一者。2.根据权利要求1所述的基板处理系统,进一步包含:工厂接口装载站,所述工厂接口装载站包含装载站机器人,其中所述处理腔室设置在所述传送腔室和所述工厂接口装载站之间,并且所述装载站机器人被构造为将基板从所述工厂接口装载站传送至所述多个堆叠基板保持器的所述多个支撑构件的每一者。3.根据权利要求1所述的基板处理系统,其中所述台座耦接至所述处理腔室的底部,并且所述热传递元件包含通路,以允许流体通过所述通路。4.根据权利要求3所述的基板处理系统,其中所述通路耦接至冷却流体源。5.根据权利要求1所述的基板处理系统,进一步包括加热模块,其中所述多个堆叠基板保持器设置在所述加热模块和所述台座之间,并且所述加热模块被构造为加热支撑在所述多个支撑构件的支撑构件上的基板。6.根据权利要求1所述的基板处理系统,进一步包含一个或多个通气通路和泵送通路,其中所述一个或多个通气通路和所述泵送通路被构造为在其间形成分层气体流动。7.一种处理腔室,包含:基座,所述基座具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;沟槽,所述沟槽形成在所述第一表面中并相邻于所述第一表面的周边,所述沟槽包括参考表面,其中所述参考表面从所述第一表面的平面凹陷;和基板支撑结构,所述基板支撑结构包括多个载体提升销,所述多个载体提升销的每一者可移动地设置在形成于所述第二表面和所述参考表面之间的开口中,其中所述开口包括倾斜开口侧壁,所述倾斜开口侧壁凹陷而开始于距所述参考表面一定距离处,并且所述多个载体提升销的每一者包含:凸起部分,所述凸起部分被构造为接触基板载体的凹陷部分,其中所述多个载体提升销相对于所述基座在升高位置和降低位置之间是可移动的,其中,在所述升高位置中,所述凸起部分接触所述基板载体的所述凹陷部分,并且在所述降低位置中,所述凸起部分与所述基板载体间隔开。8.根据权利要求7所述的处理腔室,其中所述参考表面被构造为支撑所述基板载体,并且所述参考表面与所述第一表面平行。9.根据权利要求7所述的处理腔室,其中所述基板支撑结构包括多个第一支撑臂和多个第二支撑臂。10.根据权利要求9所述的处理腔室,其中所述第一支撑臂的每一者接触所述基座的所
述第二表面。1...

【专利技术属性】
技术研发人员:石井才人理查德
申请(专利权)人:应用材料公司
类型:发明
国别省市:

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