快速气体交换设备、系统和方法技术方案

技术编号:37848025 阅读:18 留言:0更新日期:2023-06-14 22:34
提供一种气体分配设备,具有第一储存器和第二储存器,所述第一储存器具有第一上游端和第一下游端,所述第二储存器具有第二上游端和第二下游端。储存器切换阀与第一储存器的第一下游端和第二储存器的第二下游端流体连通。储存器切换阀可操作以选择性地在处于第一状态时将第一储存器耦合至储存器切换阀的出口,并且在处于第二状态时将第二储存器耦合至储存器切换阀的出口。提供多个比例流量控制阀,所述多个比例流量控制阀具有入口,所述入口并联耦合至储存器切换阀的出口。多个比例流量控制阀具有被配置成将气体提供至处理腔室的出口。阀具有被配置成将气体提供至处理腔室的出口。阀具有被配置成将气体提供至处理腔室的出口。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】快速气体交换设备、系统和方法
背景领域
[0001]本公开的实施例总体涉及基板处理系统。具体地,本公开的实施例涉及用于将处理气体提供至基板处理系统的方法和设备。

技术介绍

[0002]半导体装置的形成通常在包含多个腔室的基板处理平台中进行。在一些情况下,多腔室处理平台或群集工具的目的是在受控环境中顺序地在基板上执行两个或更多个处理。
[0003]在半导体装置制造期间,期望稳定的处理气体流动进入处理腔室以提供处理均匀性并最小化处理缺陷。通常,在气体输送阀开启时,处理气体的流率随着时间从零增加到稳定状态条件。在一些处理中,气体流动稳定到稳定状态条件的持续时间是气体流动时间的总持续时间的显著部分。在此类处理中,相对长的稳定时间会导致不期望的处理结果。为了减少并且在一些情况下消除稳定时间,一些气体输送设备通过在不需要流动进入腔室时将全部流量转移到腔室前级管线中来维持稳定状态处理流量。当需要时,全流量从前级管线快速切换到处理腔室中而几乎没有稳定时间,从而改善了处理均匀性和处理结果。尽管在前级管线和处理腔室之间转移处理气体流量已被证明是用于获得期望处理结果的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种气体分配设备,包括:第一储存器,所述第一储存器包括第一上游端和第一下游端;第二储存器,所述第二储存器包括第二上游端和第二下游端;储存器切换阀,所述储存器切换阀与所述第一储存器的所述第一下游端和所述第二储存器的所述第二下游端流体连通,所述储存器切换阀可操作以选择性地在处于第一状态时将所述第一储存器耦合至所述储存器切换阀的出口,并且在处于第二状态时将所述第二储存器耦合至所述储存器切换阀的所述出口;以及多个比例流量控制阀,所述多个比例流量控制阀具有入口,所述入口并联耦合至所述储存器切换阀的所述出口,所述多个比例流量控制阀具有被配置成将气体提供至处理腔室的出口。2.如权利要求1所述的气体分配设备,其中所述第一储存器和所述第二储存器设置于公共外壳中。3.如权利要求1所述的气体分配设备,进一步包括:第一再填充阀和第一调节器,所述第一再填充阀和所述第一调节器耦合至所述第一储存器的所述第一上游端,所述第一再填充阀和所述第一调节器可操作以将所述第一储存器内的压力维持在基本上恒定压力内;以及第二再填充阀和第二调节器,所述第二再填充阀和所述第二调节器耦合至所述第二储存器的所述第二上游端,所述第二再填充阀和所述第二调节器可操作以将所述第二储存器内的压力维持在基本上恒定压力内。4.如权利要求3所述的气体分配设备,其中所述第一再填充阀和所述第二再填充阀选自由以下各项组成的群组:电磁阀、压电阀、快速致动阀、以及上述各项的组合。5.如权利要求1所述的气体分配设备,其中所述多个比例流量控制阀中的每一者为压电阀。6.如权利要求1所述的气体分配设备,进一步包括:第一压力计,所述第一压力计耦合至所述第一储存器;以及第二压力计,所述第二压力计耦合至所述第二储存器。7.一种半导体处理系统,包括:处理腔室,所述处理腔室包括处理容积以用于处理基板,所述处理腔室具有第一处理气体入口和第二处理气体入口;以及气体分配组件,所述气体分配组件包括:第一储存器,所述第一储存器包括第一上游端和第一下游端;第二储存器,所述第二储存器包括第二上游端和第二下游端;储存器切换阀,所述储存器切换阀与所述第一储存器的所述第一下游端和所述第二储存器的所述第二下游端流体连通,所述储存器切换阀可操作以选择性地在处于第一状态时将所述第一储存器耦合至所述储存器切换阀的出口,并且在处于第二状态时将所述第二储存器耦合至所述储存器切换阀的所述出口;以及第一比例流量控制阀和第二比例流量控制阀,所述第一比例流量控制阀和所述第二比例流量控制阀具有入口,所述入口并联耦合至所述储存器切换阀的所述出口,所述第一比例流量控制阀具有耦合至所述处理腔室的所述第一入口的出口,所述第二比例流量控制阀
具有耦合至所述处理腔室的所述第二入口的出口。8.如权利要求7所述的半导体处理系统,其中所述第一储存器与蚀刻气体源流体连通;以及其中所述第二储存器与沉积气体源流体连通。9.如权利要求7所述的半导体处理系统,其中所述第一处理气体入口相对于所述处理腔室的垂直中心线设置于所述第二处理气体入口的外侧。10.如权利要求9所述的半导体处理系统,进一步包括:第一调节器,所述第一调节器耦合至所述第一储存器的所述第一上游端,所述第一调节器可操作以将所述第一储存器内的压力维持在基本上恒定压力内;...

【专利技术属性】
技术研发人员:M
申请(专利权)人:应用材料公司
类型:发明
国别省市:

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