本公开内容的实施方式一般涉及减材金属、减材金属半导体结构、减材金属互连，及用于形成此种半导体结构及互连的工艺。在实施方式中，提供了一种制造半导体结构的工艺。该工艺包括在半导体结构上执行脱气操作，并在半导体结构上沉积衬垫层。该工艺进一步包...

本文公开的实施方式包括使用干法沉积和氧化处理工艺沉积正色调光刻胶的方法。在一实例中，用于在真空腔室中的基板上形成光刻胶层的方法包括将金属前驱物蒸气提供至真空腔室中。方法进一步包括将氧化剂蒸气提供至真空腔室中，其中金属前驱物蒸气与氧化剂蒸...

本申请涉及以机器视觉作为对CMP工艺控制算法的输入。在基板的化学机械抛光期间，通过第一原位监测系统来确定取决于经受抛光的基板上的测量点中的层的厚度的信号值。通过第二原位成像系统产生至少基板的测量点的图像。机器视觉处理(例如卷积神经网络)...

提供一种在样本的表面区域上自动聚焦带电粒子束的方法。方法包含针对对应的多个聚焦强度值取得多个图像；基于该多个图像计算多个锐度值，该多个锐度值是基于该多个图像并利用锐度函数计算的，该锐度函数被提供为频率空间中的总和；以及利用基于计算得到的...

本公开内容描述了用于将装载锁定整合到工厂接口占地空间中的装置、系统、和方法。用于电子装置制造系统的工厂接口可包括用于接收基板载体的装载端口。装载端口可包括框架，框架经适配以用于将装载端口连接到工厂接口，框架包括传输开口，一或多个基板能够...

描述存储器装置及形成存储器装置的方法。描述形成电子装置的方法，其中间隔件围绕位线接触柱的每一者而形成，间隔件与相邻位线接触柱的间隔件接触。掺杂层接着外延地生长在存储器堆叠结构上且位线形成在存储器堆叠结构上。位线与主动区自对准。位线与主动...

本公开内容的实施方式一般涉及用于验证和再利用处理流体的设备和方法。设备通常包括用于执行光刻的工具及耦接至工具的再循环路径。再循环路径通常包括在第一端耦接至工具的第一端的收集单元、及在第一端耦接至收集单元的第二端的探针，探针用于确定从工具...

一种用于形成半导体装置的导电结构的方法，包括在介电层中形成的特征(例如过孔)中沉积回流材料。高熔点材料沉积于特征中，且在大于300C的温度下于包含氢分子、氢离子及氢自由基中的一或多者的周围环境中回流且退火，以用回流材料填充特征。回流材料...

形成半导体器件的示例方法可包括从半导体基板的第一表面蚀刻沟道至半导体基板之内的第一深度。沟道的特征可在于通过第一深度的第一宽度。方法可包括沿着沟道的侧壁形成衬垫。方法可包括蚀刻沟道至比第一深度大至少十倍的第二深度。沟道的特征可在于通过第...

一种电源电路包括：可切换匹配；可连接至负载的高电压总线和低电压总线，使得负载串联在总线之间；至少两个具有固定电容的电容器，所述至少两个具有固定电容的电容器可连接在高电压总线和低电压总线之间；以及多个固态开关，所述多个固态开关在数量上等于...

本文描述的实施方式通常关于一种处理腔室，其具有位于处理腔室的底部处的一个或多个进气端口。经由一个或多个进气端口进入处理腔室的气体通过位于一个或多个进气端口的每一个上方的板或通过一个或多个进气端口的每一个的成角度的开口而沿着处理腔室的下侧...

本文公开用于抛光基板的方法及装置。更具体而言，装置涉及用于抛光基板的集成式CMP系统。CMP系统具有经配置以抛光基板的抛光站。旋转清洗干燥(SRD)站经配置以清洁且干燥基板。计量站经配置以测量基板的参数。机器人经配置以将基板移动至SRD...

本文描述的实现大体涉及一种用于形成金属层的方法和一种用于在金属层上形成氧化物层的方法，在一个实现中，在种晶层上形成所述金属层，并且所述种晶层有助于所述金属层中的金属以小粒度成核而不影响所述金属层的导电性。可以使用等离子体增强化学气相沉积...

本公开的实施方式大体上涉及用于在基板和腔室部件上沉积金属硅化物层的方法和装置。在一个实施方式中，形成硬掩膜的方法包括：将具有目标层的基板定位在处理腔室内、在所述目标层上形成包括金属硅化物的种晶层和在所述种晶层上沉积钨基主体层，其中所述金...

本公开内容大体涉及动态随机存取存储器(DRAM)器件及用于DRAM器件的半导体制造。本文公开的某些实施方式提供了用于形成CMOS触点、DRAM阵列位线接触部(BLC)及储存节点结构的集成处理系统及方法。该集成处理系统及方法能够沉积接触部...

描述了一种处理经涂覆的柔性基板的方法。所述处理经涂覆的柔性基板的方法包括：提供所述经涂覆的柔性基板，所述经涂覆的柔性基板包含：柔性基板，所述柔性基板包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，和至少一个阻挡层，所述至少一个阻挡层在所述柔...

描述了用于对基板表面的特征进行间隙填充的方法。特征中的每一者从基板表面延伸进入基板达一距离并且具有底部和至少一个侧壁。方法包括以多个高频射频(HFRF)脉冲在基板表面的特征中沉积非共形膜。非共形膜在特征的底部上比在至少一个侧壁上具有更大...

描述了形成自对准图案的方法。在图案化膜上沉积膜材料以填充和覆盖由所述图案化膜形成的特征。使所述膜材料凹入到低于所述图案化膜的顶部的水平。通过暴露于金属前驱物来将所述凹入膜转化为金属膜，接着所述金属膜体积膨胀。胀。胀。

本公开内容的多个实施方式包括用于在大面积基板上沉积多个层的方法与设备。在一个实施方式中，提供一种用于等离子体沉积的处理腔室。处理腔室包括喷头与基板支撑组件。喷头耦接至射频功率源并且接地，并且喷头包括多个穿孔气体扩散构件。多个等离子体施加...

半导体基板支撑组件可以包括具有基板支撑表面的静电吸盘主体。静电吸盘主体可限定多个从基板支撑表面延伸的突出件。组件可包括嵌入在静电吸盘主体内的电极。电极可限定穿过电极的孔，所述孔与从基板支撑表面延伸的多个突出件成直线。出件成直线。出件成直线。