本文描述了用于基板处理的设备及方法。更具体而言，所述设备及方法针对用于在半导体基板上执行场引导曝光后烘烤操作的设备及方法。所述设备是处理模块(100)，且包括具有电极(400)的上部(102)及被配置为在基板支撑表面(159)上支撑基板...

本公开内容的实施方式通常涉及使用增材制造处理形成的结构，且更特定而言，涉及抛光垫及用于制造抛光垫的方法，这些抛光垫可用于化学机械抛光(CMP)处理。本文描述的结构由多个印刷层形成。该结构包括具有第一材料成分的第一材料域及具有第二材料成分...

一种系统包括设置在处理腔室内的控制板。所述控制板包括一组等离子体元件，所述等离子体元件被设计为独立地将设置在所述处理腔室内的基板暴露于等离子体相关的通量。所述控制板被设计为独立地启动所述一组等离子体元件。在被启动时，这些相关联的等离子体...

本公开内容的实施方式大体而言涉及处理基板的装置及方法。在至少一个实施方式中，装置包括腔室主体、基板支撑组件及设置于腔室主体的外部并耦接至该基板支撑组件的托架组件。托架组件具有用于调整基板支撑组件的水平度的多个调平螺钉。装置包括耦接至多个...

描述了一种蒸发材料的坩埚。坩埚包括被配置以容纳待蒸发材料的第一材料隔室、加热第一材料隔室的第一加热器、被配置以容纳待蒸发材料的第二材料隔室和加热第二材料隔室的第二加热器。提供了一个蒸气引导隔室。蒸气引导隔室具有第一开口，所述第一开口提供...

本文所描述的实施方式提供了薄膜晶体管(TFT)和工艺以减少在TFT中的等离子体引起的损坏。在一个实施方式中，缓冲层设置在衬底上方，并且半导体层设置在所述缓冲层上方。栅介质层设置在所述半导体层上方。所述栅介质层在界面处接触所述半导体层。栅...

本发明涉及一种通过在化学气相沉积方法中使用二甲基二氯硅烷(DMS)作为硅烷源在石墨基板上沉积碳化硅(SiC)来制造涂覆SiC的主体的新的工艺。本发明的另一方面涉及可通过本发明的新的工艺获得的新的涂覆碳化硅的主体，以及涉及其用于制造以下项...

一种量子装置包括：基板，所述基板包括第一材料且包括所述基板的上表面；第一层，包含设置在所述基板的上表面上的第一材料的化合物；第二层，包含设置在所述第一层上的金属氧化物；第三层，包含设置在所述第二层上的贵金属；第四层，包含设置在所述第三层...

一种处理方法，包括：将基板定位在处理腔室中并将所述基板的温度设定为50℃至500℃的范围；在所述基板上进行原子层沉积(ALD)循环；以及重复所述ALD循环以形成硅氧化物膜。所述ALD循环包括：通过脉冲氨基硅烷前驱物的流来在所述处理腔室中...

一种方法包括由处理器获得与根据配方在处理腔室中执行以在基板的表面上沉积膜的沉积处理相关联的多个传感器值。所述方法进一步包括将机器学习模型应用于多个传感器值，所述机器学习模型是基于处理腔室的子系统的历史传感器数据以及与用于沉积膜的配方相关...

提供了用于基板处理腔室的升降销组件的方法和设备。在一些实施例中，升降销组件包括：升降销，所述升降销包括轴、头部和耦接端，所述头部被配置成抵靠在静电吸盘上；上引导件，所述上引导件包括顶端、底端和第一开口，所述第一开口从顶端延伸到底端，其中...

一种外壳系统包括壁，所述壁包括侧壁和底壁。外壳系统进一步包括被配置成可移除地附接到侧壁中的一个或多个侧壁的外壳盖。壁和外壳盖至少部分包封外壳系统的内部体积。外壳系统进一步包括设置在外壳盖中的上窗。上窗被配置成用于设置在内部体积中的对象的...

本公开内容大致涉及用于处理半导体基板的处理腔室的气体注射装置。该气体注射装置包括一个或多个气体注射器，该一个或多个气体注射器被配置为与该处理腔室耦接。这些气体注射器中的每一者被配置为接收处理气体并且将该处理气体分配到一个或多个气体出口。...

提供了一种设备(100)，该设备包括可光密封的壳体(105)，该可光密封的壳体用于固化印刷在具有发光二极管(LED)的基板(10)上的可光固化的油墨。该设备包括基板支撑件(130)；接口(110)，该接口用于向所述LED供应电力；和传送...

用于形成利用空腔轮廓和所引起的应力的图像传感器的方法。在一些实施方式中，方法包括以下步骤：在基板中形成空腔，其中空腔具有配置为接受用于图像传感器的传感器像素结构的空腔轮廓；在空腔中形成至少一个钝化层；及在至少一个钝化层之一的至少一部分上...

一种半导体处理系统包括远程等离子体源(RPS)、面板，以及定位在RPS与面板之间的输出歧管。输出歧管由与净化气源流体耦接的多个净化出口和与沉积气源流体耦接的多个沉积出口表征。输送管在RPS与面板之间延伸且流体耦接RPS和面板。输送管由大...

提供了在半导体基板上形成氧化物层的方法。该方法包含通过在第一温度下将半导体基板暴露于具有第一氧百分比的第一气体混合物，以第一生长速率在该基板上形成氧化物层的第一含氧化物部分。通过在第二温度下将该基板暴露于具有第二氧百分比的第二气体混合物...

兹描述用于经由原子层沉积工艺来沉积含钇膜的方法。本公开内容的某些实施方式利用等离子体增强的原子层沉积工艺。亦描述用于执行含钇膜的原子层沉积的设备。含钇膜的原子层沉积的设备。含钇膜的原子层沉积的设备。

一种电子装置制造系统，被配置为由处理器接收反映与基板的制造工艺相关的特征的输入数据。制造系统还被配置为基于反映特征的输入数据来训练机器学习模型。制造系统还被配置为鉴于特征的虚拟旋钮来修改机器学习模型。鉴于特征的虚拟旋钮来修改机器学习模型...

本公开内容的实施例提供了一种多盘垫调节器和在化学机械抛光(CMP)工艺期间使用多盘垫调节器的方法。多盘垫调节器具有多个调节头，所述多个调节头具有固定在其上的调节盘。多盘垫调节器可以包括调节臂和附接到调节臂的多个调节头。多个调节头中的每个...