在基板和腔室部件上沉积金属硅化物层制造技术

本公开的实施方式大体上涉及用于在基板和腔室部件上沉积金属硅化物层的方法和装置。在一个实施方式中，形成硬掩膜的方法包括：将具有目标层的基板定位在处理腔室内、在所述目标层上形成包括金属硅化物的种晶层和在所述种晶层上沉积钨基主体层，其中所述金属硅化物层和所述钨基主体层形成硬掩膜。在另一实施方式中，调节等离子体处理腔室的部件的方法包括：使包括氩气或氦气的惰性气体从气体施加器流动到所述等离子体处理腔室中、使基板支撑件暴露于所述等离子体处理腔室内的等离子体和在所述基板支撑件的铝基表面上形成包括金属硅化物的陈化层。硅化物的陈化层。硅化物的陈化层。

【技术实现步骤摘要】
在基板和腔室部件上沉积金属硅化物层
[0001]本申请是申请日为2018年5月11日、申请号为201880031496.5、名称为“在基板和腔室部件上沉积金属硅化物层”的中国专利申请(PCT申请号为PCT/US2018/032267)的分案申请。


[0002]本公开的实施方式大体上涉及制造集成电路。更具体来说，本文中描述的实施方式提供用于在基板和腔室部件上沉积金属硅化物层的技术。

技术介绍

[0003]硬掩膜用于转移用于光刻的图案。在基板上形成硬掩膜的方法在本领域中是众所周知的。一直以来需要可以传递高深宽比、不塌陷的蚀刻选择性结构的硬掩膜，其允许下一代器件利用垂直堆叠方案达成较高的器件密度和较低的成本。钨基硬掩膜已经显示满足这一需要的前景，因为其具有高弹性模量、高密度、杰出的蚀刻选择性并且易于剥离。举例来说，当与常规的非晶碳基膜相比时，非晶钨硬掩膜展现高出两倍多的蚀刻选择性和机械稳定性。然而，来自厚钨基层的氟经常快速地热扩散到基板与主体膜的界面中，从而使得常规地沉积厚层不可实行。此外，钨基膜对常见沉积在基板上的由氧化硅、氮化硅、非晶硅和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气体施加器，包括：管状主体；通道，所述通道穿过所述管状主体形成；第一交叉孔，所述第一交叉孔穿过所述管状主体形成并且被配置用于将第一气体递送到所述通道中；以及第二交叉孔，所述第二交叉孔穿过所述管状主体形成并且相对于所述管状主体的中心线在所述第一交叉孔下方轴向地间隔开并且被配置用于将第二气体递送到所述通道中。2.如权利要求1所述的气体施加器，其中所述第一交叉孔相对于所述气体施加器的底表面以径向地朝内和朝下的角度形成。3.如权利要求2所述的气体施加器，其中所述第一交叉孔具有圆形横截面形状。4.如权利要求1所述的气体施加器，其中所述第二交叉孔具有圆形横截面形状。5.如权利要求1所述的气体施加器，进一步包括一个或多个额外的交叉孔。6.一种处理腔室，包括：腔室主体，所述腔室主体具有界定在其中的腔室容积；基板支撑件，所述基板支撑件安置在所述腔室容积内；盖，所述盖与所述腔室主体耦合；以及气体施加器，所述气体施加器通过所述盖与所述腔室容积流体连接，所述气体施加器包括：管状主体；通道，所述通道穿过所述管状主体形成，所述通道与所述腔室容积流体耦合；第一交叉孔，所述第一交叉孔穿过所述管状主体形成并且被配置用于将第一气体递送到所述通道中；以及第二交叉孔，所述第二交叉孔穿过所述管状主体形成并且相对于所述管状主体的中心线在所述第一交叉孔下方轴向地间隔开并且被配置用于将第二气体递送到所述通道中。7.如权利要求6所述的处理腔室，进一步包括形成在所述腔室主体的一个或多个侧壁中的圆周泵送通道。8.如权利要求7所述的处理腔室，进一步包括在所述一个或多个侧壁中的一个或多个侧壁之上的陶瓷腔室内衬。9.如权利要求7所述的处理腔室，其中所述圆周泵送通道与泵送系统耦合。10.如权利要求6所述的处理腔室，进一步包括射频(RF)电源。11.如权利要求10所述的处理腔室，其中所述RF电源进一步包括：高频RF(HFRF)电源，所述高频RF(HFRF)电源被配置为在13.56MHz下工作；以及低频RF(LFRF)电源，所述低频RF(LFRF)电源被配置为在300kHz下工作。12.如权利要求6所述的处理腔室，进一步包括耦合到所述气体施加器的输出歧管。13.如权利要求12所述的处理腔室，其中：所述输出歧管包括通道，并且所述气体施加器安置在所述通道中。14.如权利要求6所述的处理腔室，其中所述气体施加器为圆柱形。15.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：