一种特征图形处理方法、沟道结构及四氯化硅使用方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种特征图形处理方法、沟道结构及四氯化硅使用方法；于工件预设厚度的图形、图形对应的沟槽侧边构造一调整结构，即第三介质层（030），并通过改变其厚度来实现对工件特征尺寸的干预；其中，第三介质层（030）的厚度，即第三厚度的增加促使特征图形的目标线宽或关键尺寸CD（Critical Dimension），亦即第九宽度（090）获得减小的趋势；进而克服了相关技术中关键尺寸CD与参考尺寸或基准尺寸BL（BaseLine）不匹配的技术问题；同时，其沟道结构亦给出了实现上述过程的核心构造；相应地，第三介质层（030）可采用沉积的氧化层承担，而四氯化硅的使用方法在上述过程的实现中也达成了同样的发明专利技术构思；在预设的组分配比下，将进一步改进特征图形的处理效率。将进一步改进特征图形的处理效率。将进一步改进特征图形的处理效率。

【技术实现步骤摘要】
一种特征图形处理方法、沟道结构及四氯化硅使用方法


[0001]本专利技术属于半导体加工
，尤其涉及一种特征图形处理方法、沟道结构及四氯化硅使用方法。

技术介绍

[0002] 沟槽在蚀刻中需要确保关键尺寸CD（Critical Dimension），亦即最小特征尺寸，与参考尺寸或基准尺寸BL（BaseLine）相互匹配，以满足相关加工过程对结构和空间拓扑的要求。
[0003] 相关技术在采用偏置电压BV（Bias Voltage）或压力参数P（Pressure）进行调整时，如图1所示，前者对顶层关键尺寸TCD（Top CD）的影响较小，其底层关键尺寸BCD（Bottom CD）改变更为明显；如图2所示，后者对TCD和BCD影响趋势不同。
[0004]鉴于上述技术问题，且为了确保不影响特征图形PF（ProFile）的表达，亟需改进特征图形的处理方案，有效减小关键尺寸CD。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例公开了一种特征图形处理方法，包括第三干预步骤；该第三干预步骤介于第一紧前步骤、第五紧后步骤之间；该本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种特征图形处理方法，其特征在于，包括第三干预步骤（300）；所述第三干预步骤（300）介于第一紧前步骤（100）、第五紧后步骤（500）之间；所述第三干预步骤（300）于工件（001）远离第一基底层（010）一侧构造有预设第三厚度的第三介质层（030）；所述第三介质层（030）覆盖由第二介质层（020）表征的特征图形，所述特征图形的目标线宽或关键尺寸CD为第九宽度（090）；所述特征图形通过蚀刻所述第三介质层（030）来完成干预或特征尺寸调整过程。2.如权利要求1所述的特征图形处理方法，其中：所述第一紧前步骤（100）于所述第一基底层（010）构造有所述特征图形；所述第三介质层（030）还覆盖了所述特征图形的沟槽侧壁（033）。3.如权利要求1或2所述的特征图形处理方法，其中：所述第三介质层（030）蚀刻后得到第九沟槽（099），所述第九沟槽（099）的线宽或特征尺寸等于或小于所述第九宽度（090）。4.如权利要求3所述的特征图形处理方法，其中：所述第二介质层（020）为硬掩膜层HM，所述第三介质层（030）为氧化层OXD。5.如权利要求1、2、或4中任一项所述的特征图形处理方法，其中：所述第一基底层（010）的材料为硅Si；所述特征图形为所述工件（001）顶层或表层沟槽的图形TTOPP。6.如权利要求5所述的特征图形处理方法，其中：所述第三介质层（030）采用沉积工艺构造；所述调整过程采用四氯化硅SiCl4作为蚀刻气体的组分之一，所述四氯化硅SiCl4的占比介于20%~40%之间，其余蚀刻介质的占比介于60%~80%之间。7.如权利要求1、2、4或6中任一项所述的特征图形处理方法，其中：调整所述第三厚度以改变所述第九宽度（090）；所述第三厚度的增加促使所述第九宽度（090）获得减小的趋势。8.一种沟道结构，包括第二介质层（020）及所述第二介质层（020）上远离工件（001）第一基底层（010）一侧，且具有预设第三厚度的第三介质层（030）；其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉斌斌，吴长明，冯大贵，余鹏，孙建，周乾，李安东，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：