一种半导体结构的制备方法及半导体结构技术

本公开实施例提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构。其中，所述制备方法包括：提供待处理结构，所述待处理结构包括衬底、层叠设置于所述衬底上方的蚀刻目标层、底部掩膜层和第一掩膜层；图案化所述第一掩膜层形成第一图案，所述第一图案暴露部分所述底部掩膜层；在所述第一掩膜层的侧壁上形成具有竖直侧壁形貌的间隔件；去除所述第一掩膜层；采用填充层填充所述间隔件之间的间隙，其中，所述间隔件的材料和所述填充层的材料具有高蚀刻选择比；去除所述间隔件。去除所述间隔件。去除所述间隔件。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构的制备方法及半导体结构


[0001]本公开涉及但不限于半导体
，尤其涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]随着半导体技术节点以及机台的演进，集成电路中器件的密集度越来越高，半导体器件的特征关键尺寸(CD)不断减小，已逼近达到光刻的光学物理极限，以现有的光刻工艺形成的掩膜图形难以满足半导体器件持续减小的特征关键尺寸的需求，限制了半导体技术的发展。如何优化精细图案的制备工艺成为亟需解决的问题。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供待处理结构，所述待处理结构包括衬底、层叠设置于所述衬底上方的蚀刻目标层、底部掩膜层和第一掩膜层；图案化所述第一掩膜层形成第一图案，所述第一图案暴露部分所述底部掩膜层；在所述第一掩膜层的侧壁上形成具有竖直侧壁形貌的间隔件；去除所述第一掩膜层；采用填充层填充所述间隔件之间的间隙，其中，所述间隔件的材料和所述填充层的材料具有高蚀刻选择比；去除所述间隔件。
[0004]在一些实施例中，在去除所述间隔件之后，所述方法还包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供待处理结构，所述待处理结构包括衬底、层叠设置于所述衬底上方的蚀刻目标层、底部掩膜层和第一掩膜层；图案化所述第一掩膜层形成第一图案，所述第一图案暴露部分所述底部掩膜层；在所述第一掩膜层的侧壁上形成具有竖直侧壁形貌的间隔件；去除所述第一掩膜层；采用填充层填充所述间隔件之间的间隙，其中，所述间隔件的材料和所述填充层的材料具有高蚀刻选择比；去除所述间隔件。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在去除所述间隔件之后，所述方法还包括：在所述填充层上形成第二掩膜层；刻蚀所述第二掩膜层形成第二图案，所述第二图案暴露部分所述填充层；以第二掩膜层为掩膜图案化所述填充层，形成填充层掩膜。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在形成所述填充层掩膜之后，所述方法还包括：以所述填充层掩膜为掩膜图案化所述底部掩膜层，形成第三图案，所述第三图案暴露部分所述蚀刻目标层；以所述底部掩膜层为掩膜图案化所述蚀刻目标层。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述间隔件与所述填充层的材料的刻蚀选择比大于或等于100。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述间隔件的材料的杨氏模量大于或等于25GPa。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述填充层的材料包括氧化物。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述间隔件的材料包括多晶硅、氮化硅或者金属氧化物。8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述第一掩膜层的侧壁上形成具有竖直侧壁形貌的间隔件，包括：形成覆盖所述第一掩膜层和所述底部掩膜层...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈龙阳，白世杰，刘忠明，于业笑，周贤国，赵彬，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：