半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：基板；目标层，位于基板上；以及具有IV

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术实施例是关于一种半导体结构，特别是有关于具有IV
‑
A族元素掺杂的硬遮罩层的半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体装置广泛地应用于各种领域，例如：车用电子、工业用电子、通信、电脑运算、以及消费性电子。为了增加半导体装置的元件密度且改善其性能，目前存储器装置的制造技术持续朝向元件尺寸的微缩化而努力。然而，当元件尺寸持续缩小时，许多挑战随之而生。
[0003]虽然现有的各种遮罩已大致符合需求，但并非在各方面都令人满意。因此，仍需要改善遮罩及其形成方法，以克服元件尺寸缩小所产生的问题，提升装置可靠度及性能。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种半导体结构，包括：基板；目标层，位于基板上；具有第一IV
‑
A族元素掺杂的硬遮罩层，位于目标层上。
[0005]在一些实施例中，硬遮罩层包括第二IV
‑
A族元素，其中第二IV
‑
A族元素不同于第一IV
‑<br/>A族元素。在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一基板；一目标层，位于该基板上；以及一具有一第一IV
‑
A族元素掺杂的硬遮罩层，位于该目标层上。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该硬遮罩层包括一第二IV
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A族元素，其中该第二IV
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A族元素不同于该第一IV
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A族元素。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该硬遮罩层中所掺杂的第一IV
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A族元素的sp3轨域的键结数量大于sp2轨域的键结数量。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该硬遮罩层中所掺杂的第一IV
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A族元素的sp3轨域的键结数量与sp2轨域的键结数量的比例为2.5至4.0。5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该硬遮罩层包括一类钻石碳层且该第一IV
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A族元素为碳。6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该硬遮罩层所掺杂的第一IV
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A族...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵柏竣，陈世贤，余秉隆，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：