硬掩膜的制作方法及存储器技术

本发明专利技术涉及一种硬掩膜的制作方法及存储器。硬掩膜的制作方法包括：在目标介质层上沉积牺牲层；在牺牲层上形成具有器件图形的光刻胶层；控制刻蚀条件，基于器件图形在牺牲层刻蚀形成底部尺寸小于顶部尺寸的沉孔；去除牺牲层表面的光刻胶层，并沉积金属层，且使金属层充满所述沉孔；平坦化处理沉积有金属层的牺牲层至目标位置；去除牺牲层，获得由剩余的金属层构成的硬掩膜。通过本发明专利技术获得的硬掩膜是在尺寸小于器件图形的沉孔的底部形成，宽度尺寸较小，且硬掩膜的尺寸由沉孔底部的尺寸决定，不受光刻机分辨率的限制，通过控制刻蚀条件控制刻蚀的沉孔底部的尺寸，可获得较小宽度尺寸的硬掩膜，满足器件微缩化的需求。满足器件微缩化的需求。满足器件微缩化的需求。

【技术实现步骤摘要】
硬掩膜的制作方法及存储器


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种硬掩膜的制作方法及存储器。

技术介绍

[0002]随着电子元器件小型化集成度要求的不断提高，对半导体的制造工艺也提出了新的挑战。硬掩膜工艺是半导体制造过程中器件图案化的重要手段。现有针对金属掩膜层的制备是通过光刻曝光及刻蚀实现的，制作器件时将光刻胶图形转移至掩膜层，利用掩膜层图形，采用干法刻蚀进行制造。因此，器件的尺寸完全受到硬掩膜尺寸的限制。然而由于光刻机分辨率有限，难以形成几十纳米以下较小宽度尺寸的硬掩膜，限制了存储器的集成化生产。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够制作较小尺寸硬掩膜的硬掩膜的制作方法及存储器。
[0004]本专利技术提供的一种硬掩膜的制作方法，所述方法包括：在目标介质层上沉积牺牲层，所述目标介质层为需要制作硬掩膜的层；在所述牺牲层上形成具有器件图形的光刻胶层；控制刻蚀条件，基于所述器件图形在所述牺牲层刻蚀形成底部尺寸小于顶部尺寸的沉孔；去除所述牺牲层表面的光刻胶层，并沉积金属层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硬掩膜的制作方法，其特征在于，所述方法包括：在目标介质层上沉积牺牲层，所述目标介质层为需要制作硬掩膜的层；在所述牺牲层上形成具有器件图形的光刻胶层；控制刻蚀条件，基于所述器件图形在所述牺牲层刻蚀形成底部尺寸小于顶部尺寸的沉孔；去除所述牺牲层表面的光刻胶层，并沉积金属层，且使所述金属层充满所述沉孔；平坦化处理沉积有金属层的牺牲层至目标位置；去除所述牺牲层，获得由剩余的金属层构成的硬掩膜。2.根据权利要求1所述的硬掩膜的制作方法，其特征在于，所述控制刻蚀条件，基于所述器件图形在所述牺牲层刻蚀形成底部尺寸小于顶部尺寸的沉孔，包括：基于所述器件图形刻蚀锥形孔；沿所述锥形孔垂直于牺牲层刻蚀至目标介质层，并形成垂直孔。3.根据权利要求2所述的硬掩膜的制作方法，其特征在于，所述目标位置位于所述垂直孔对应的位置。4.根据权利要求2所述的硬掩膜的制作方法，其特征在于，所述垂直孔的深度不小于50纳米。5.根据权利要求1所述的硬掩膜的...

【专利技术属性】
技术研发人员：范晓飞，马晓姿，刘宏喜，曹凯华，王戈飞，
申请(专利权)人：致真存储北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：