半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括目标层，基底包括用于形成目标图形层的目标区和与切割位置对应的切割区；在基底上形成掩膜侧墙；以掩膜侧墙为掩膜，图形化目标层，形成分立的初始图形层，初始图形层沿横向延伸，与横向垂直的方向为纵向，沿纵向相邻初始图形层之间形成有凹槽；形成边界定义槽，贯穿沿横向位于目标区与切割区的交界位置处的初始图形层；形成填充于凹槽和边界定义槽的间隔层；以位于边界定义槽中的间隔层和位于凹槽中的间隔层，分别对应为沿横向和纵向的停止层，刻蚀位于切割区的初始图形层，位于目标区的剩余初始图形层用于作为目标图形层。本发明专利技术实施例有利于增大刻蚀切割区的初始图形层的工艺窗口。层的工艺窗口。层的工艺窗口。层的工艺窗口。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：苏博，赵振阳，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：