【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种测试结构以及测试方法。
技术介绍
1、在半导体领域中，随着技术的更新迭代，器件大都朝着小尺寸的方向发展，器件特性参数的准确表征越来越重要。
2、对于某些器件而言，一些特征参数(如器件漏电、小尺寸mim电容)等已经超过了测试设备的测试精度下限，从而导致无法测量获得准确的特性参数值，这给半导体领域中的器件测试提出了新的挑战。
技术实现思路
1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种测试结构以及测试方法，提高测试结果的准确性。
2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种测试结构，包括：相互电隔离的第一测试组和第二测试组，所述第一测试组和第二测试组均包含多个相同且重复的单元器件，所述第二测试组中部分数量的单元器件作为待测器件；其中，在所述第一测试组中，多个所述单元器件之间电连接，以使所述第一测试组测试后获得的第一特性参数值为各个单元器件的特性参数值之和；在所述第二测试组中，除所述待测器件之外的剩余单元器件之间电连接，以使所述第二测试组测试后获得的第二特性参数值为除所述待测器件之外的各个单元器件的特性参数值之和，所述待测器件与剩余单元器件电隔离。
3、可选的，每个所述单元器件均包括适于加载相应测试信号的测试端，所述待测器件的各测试端浮接。
4、可选的，在所述第一测试组中，多个所述单元器件并联连接；在所述第二测试组中，除所述待测器件之外的剩余单元器件相并联连接。
5、可选的，每个所述单元
6、可选的，所述单元器件的类型为mos器件，所述测试端包括栅极端、源极端、漏极端和体端。
7、可选的，每个所述单元器件均包括适于加载相应测试信号的测试端；所述测试结构还包括：互连结构，与除所述待测器件之外的剩余单元器件的相应测试端电连接，其中，在第一测试组和第二测试组中的任意一个中，相应测试端之间通过所述互连结构实现连接。
8、可选的，所述互连结构包括接触孔插塞和金属互连层中的一种或多种。
9、可选的，所述部分数量为1个。
10、可选的，第一测试组和第二测试组中的单元器件的排布相同。
11、可选的，在第一测试组和第二测试组中的任意一者或两者中，所包含的多个所述单元器件呈阵列排布。
12、可选的，所述单元器件的类型包括mos器件、电容器件或电阻器件。
13、可选的，在第一测试组和第二测试组中的任意一个中，所述单元器件的数量满足：多个并联的单元器件整体的特性参数值大于或等于测试设备的测试精度下限。
14、相应的，本专利技术实施例还提供一种测试方法，包括：提供本专利技术实施例的所述的测试结构；在相同的测试参数下，分别对所述第一测试组和第二测试组进行测试，以获得对应的第一特性参数值和第二特性参数值；获取所述第一特性参数值和第二特性参数值的差值，并基于所述差值得到单个所述单元器件的特性参数值，单个所述单元器件的特性参数值等于所述差值与所述待测器件的数量之比。
15、可选的，每个所述单元器件均包括适于加载相应测试信号的测试端，在所述第一测试组中，多个所述单元器件的同种测试端并联连接，在所述第二测试组中，除所述待测器件之外的剩余单元器件的同种测试端并联连接，所述待测器件的各测试端浮接，其中，除所述待测器件之外的剩余单元器件的测试端作为有效测试端；分别对所述第一测试组和第二测试组进行测试的步骤包括：使所述待测器件的各测试端浮接，且在相同的测试参数下，分别对所述第一测试组和第二测试组中的有效测试端加载相应测试信号，以获得对应的第一特性参数值和第二特性参数值。
16、可选的，在相同的测试条件下，同时对所述第一测试组和第二测试组进行测试，所述测试条件包括所述测试参数和测试环境。
17、与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下优点：
18、本专利技术实施例提供的测试结构包含第一测试组和第二测试组，所述第一测试组和第二测试组均包含多个相同且重复的单元器件，所述第二测试组中部分数量的单元器件作为待测器件，其中，所述第一测试组中的多个单元器件之间电连接，以使所述第一测试组测试后获得的第一特性参数值为各个单元器件的特性参数值之和，所述第二测试组中，除所述待测器件之外的剩余单元器件之间电连接，以使所述第二测试组测试后获得的第二特性参数值为除所述待测器件之外的各个单元器件的特性参数值之和，所述待测器件与剩余单元器件电隔离，则该第一特性参数值为第一测试组中，所有单元器件所构成的整体器件的特性参数值，同理，在对所述第二测试组进行测试以获得对应的第二特性参数值后，该第二特性参数值为所述第二测试组中，除待测器件之外剩余单元器件所构成的整体器件的特性参数值，这使得第一测试组和第二测试组对应的整体器件的特性参数值均能够大于或等于测试设备的测试精度下限，可以突破测试设备的测试精度下限，从而能够测量出较小特征参数值，相应提高了第一特性参数值和第二特性参数值的准确性，从而能够基于所述第一特性参数值和第二特性参数值的差值，得到单个所述单元器件的特性参数值，单个单元器件的特性参数值等于所述差值与所述待测器件的数量之比；其中，相比于仅采用一个测试组，并将该测试组的整体器件的特性参数值与单元器件数量之比，作为单个单元器件的特性参数值的方案相比，本专利技术实施例采用两组测试组，且第二测试组中部分数量的单元器件作为待测器件，则对所述第一特性参数值和第二特性参数值的差值具有贡献的单元器件的数量较少，从而减小该差值受个别单元器件的特性参数值的影响，相应减少单个单元器件的特性参数值受平均值的影响；此外，所述第一测试组和第二测试组均包含多个相同且重复的单元器件，对于第二测试组，除了待测器件与剩余单元器件电隔离之外，其余部分与第一测试组是完全相同的，计算差值后，即可减少或消除寄生效应对测试结果的影响；综合上述几个方面，本专利技术实施例提供的测试结构有利于提高单个单元器件的特性参数值的测试结果准确性。
19、可选方案中，每个所述单元器件均包括适于加载相应测试信号的测试端，所述测试结构还包括：互连结构，与除所述待测器件之外的剩余单元器件的相应测试端电连接，在第一测试组和第二测试组中的任意一个中，相应测试端之间通过所述互连结构实现连接；其中，在第二测试组中，除了待测器件的各测试端未与互连结构连接之外，其余部分与第一测试组相同，这有利于使得第一测试组和第二测试组之间的差异最小化，从而减少其他影响因子对最终测试结果的影响，此外，待测器件无需与外部电路实现电连接，因此待测器件上未设有互连结构，从而避免不必要的互连结构对最终测试结果的影响，且有利于节省工艺成本，同时降低布线的复杂度。
20、可选方案中，部分数量为1个，也即所述待测器件的数量为1个，相应的，第一测试组和第二本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种测试结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，每个所述单元器件均包括适于加载相应测试信号的测试端，所述待测器件的各测试端浮接。
3.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，在所述第一测试组中，多个所述单元器件并联连接；
4.如权利要求3所述的测试结构，其特征在于，每个所述单元器件均包括适于加载相应测试信号的测试端；
5.如权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述单元器件的类型为MOS器件，所述测试端包括栅极端、源极端、漏极端和体端。
6.如权利要求1或4所述的测试结构，其特征在于，每个所述单元器件均包括适于加载相应测试信号的测试端；
7.如权利要求6所述的测试结构，其特征在于，所述互连结构包括接触孔插塞和金属互连层中的一种或多种。
8.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述部分数量为1个。
9.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，第一测试组和第二测试组中的单元器件的排布相同。
10.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，在第
11.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述单元器件的类型包括MOS器件、电容器件或电阻器件。
12.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，在第一测试组和第二测试组中的任意一个中，所述单元器件的数量满足：多个并联的单元器件整体的特性参数值大于或等于测试设备的测试精度下限。
13.一种测试方法，其特征在于，包括：
14.如权利要求13所述的测试方法，其特征在于，每个所述单元器件均包括适于加载相应测试信号的测试端，在所述第一测试组中，多个所述单元器件的同种测试端并联连接，在所述第二测试组中，除所述待测器件之外的剩余单元器件的同种测试端并联连接，所述待测器件的各测试端浮接，其中，除所述待测器件之外的剩余单元器件的测试端作为有效测试端；
15.如权利要求13所述的测试方法，其特征在于，在相同的测试条件下，同时对所述第一测试组和第二测试组进行测试，所述测试条件包括所述测试参数和测试环境。
...【技术特征摘要】
1.一种测试结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，每个所述单元器件均包括适于加载相应测试信号的测试端，所述待测器件的各测试端浮接。
3.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，在所述第一测试组中，多个所述单元器件并联连接；
4.如权利要求3所述的测试结构，其特征在于，每个所述单元器件均包括适于加载相应测试信号的测试端；
5.如权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述单元器件的类型为mos器件，所述测试端包括栅极端、源极端、漏极端和体端。
6.如权利要求1或4所述的测试结构，其特征在于，每个所述单元器件均包括适于加载相应测试信号的测试端；
7.如权利要求6所述的测试结构，其特征在于，所述互连结构包括接触孔插塞和金属互连层中的一种或多种。
8.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述部分数量为1个。
9.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，第一测试组和第二测试组中的单元器件的排布相同。
10.如权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭俊男，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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