【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及器件测试方法。
技术介绍
1、光电器件是一种将光信号转换为电信号的一种器件，其工作原理为：基于光电效应，使得光照射在光电器件上时，光电器件的电子吸收光子的能量而发生相应的电效应。光电设备可以利用光电器件实现相应的功能，例如图像传感器，tof(time of flight，飞行时间)距离传感器等，其中，图像传感器可以利用ccd(charge coupled device，电荷耦合器件)、cmos(complementary metal-oxide-semiconductor，互补金属氧化物半导体)器件等的光电转换功能将光学图像转换为电信号后输出数字图像，tof(time of flight，飞行时间)距离传感器，可以利用spad(single photon avalanche diode，单光子雪崩二极管)器件，将调制的红外光源投射到物体、人物或场景上，然后捕获反射光，并测量接收的反射光的光强和相位差，从而获得高度可靠的深度图像以及整个场景的灰度图像。
2、然而，现有...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述遮光层的遮光率大于或等于90％。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述遮光层的覆盖所述有效光电结构的受光区的同时，还覆盖所述有效光电结构的受光区的延展区，所述延展区为所述有效光电结构的受光区向外延展预设尺寸后的区域。
4.如权利要求1～3任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述光电器件和所述有效光电结构基于相同的工艺形成。
5.如权利要求1～3任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述光电器件包括：
6.如权...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述遮光层的遮光率大于或等于90％。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述遮光层的覆盖所述有效光电结构的受光区的同时，还覆盖所述有效光电结构的受光区的延展区，所述延展区为所述有效光电结构的受光区向外延展预设尺寸后的区域。
4.如权利要求1～3任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述光电器件和所述有效光电结构基于相同的工艺形成。
5.如权利要求1～3任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述光电器件包括：
6.如权利要求1～3任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括导电插塞和与所述导电插塞电连接的互连结构，所述遮光层的材料与所述互连结构的材料相同。
【专利技术属性】
技术研发人员：李晓聪，黄昕楠，王志高，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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