【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种测试结构以及测试方法。
技术介绍
1、在半导体领域中，为了检测产品器件的性能，通常需要对产品器件进行侧测试，以获得表征产品器件的性能的特性参数值，同时，通过对特性参数值异常的器件进行分析研究并予以优化。
2、目前，当产品器件的数量为多个时，通常采用抽样的方式来选取若干个产品器件进行测试，但是，采用逐个测试的方式对产品器件进行测试所需的时间较长，从而导致测试效率降低。
技术实现思路
1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种测试结构以及测试方法，提高测试效率。
2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种测试结构，包括：多个相同的单元器件，沿第一方向和第二方向呈阵列排布，所述第一方向和第二方向之间具有非零夹角，沿所述第一方向位于同一排的单元器件构成第一测试组，沿所述第二方向位于同一排的单元器件构成第二测试组，每个所述单元器件包括多种适于加载相应测试信号的测试端，多种所述测试端中的其中两种分别作为第一测试端和第二测试端；所述...
【技术保护点】
1.一种测试结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一测试端和第二测试端为功能可交换的两种测试端。
3.如权利要求1或2所述的测试结构，其特征在于，所述单元器件的类型包括对称型MOS器件、电容器件或电阻器件。
4.如权利要求1或2所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构适于测试的特性参数包括漏电流，所述单元器件为MOS器件，所述MOS器件包括栅极端、体端、以及位于所述栅极端两侧的源漏极端，其中一个源漏极端为所述第一测试端，另一个源漏极端为所述第二测试端，所述栅极端和体端为剩余的所述测试端。
...【技术特征摘要】
1.一种测试结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一测试端和第二测试端为功能可交换的两种测试端。
3.如权利要求1或2所述的测试结构，其特征在于，所述单元器件的类型包括对称型mos器件、电容器件或电阻器件。
4.如权利要求1或2所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构适于测试的特性参数包括漏电流，所述单元器件为mos器件，所述mos器件包括栅极端、体端、以及位于所述栅极端两侧的源漏极端，其中一个源漏极端为所述第一测试端，另一个源漏极端为所述第二测试端，所述栅极端和体端为剩余的所述测试端。
5.如权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述栅极端和体端适于加载相同的测试信号，多个所述mos器件的栅极端和体端均并联连接。
6.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括：第一互连层，与所述第一测试组一一对应，且电连接对应第一测试组中的单元器件的各个所述第一测试端；
7.如权利要求6所述的测试结构，其特征在于，所述第一互连层、第二互连层和第三互连层分别位于不同层。
8.如权利要求1所述的测...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭俊男，吴瑞伟，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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