【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种测试结构以及测试方法。
技术介绍
1、在半导体领域中，为了检测产品器件的性能，通常需要对产品器件进行侧测试，以获得表征产品器件的性能的特性参数值，同时，通过对特性参数值异常的器件进行分析研究并予以优化。
2、目前，当产品器件的数量为多个时，通常采用抽样的方式来选取若干个产品器件进行测试，但是，采用逐个测试的方式对产品器件进行测试所需的时间较长，从而导致测试效率降低。
技术实现思路
1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种测试结构以及测试方法，提高测试效率。
2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种测试结构，包括：多个相同的单元器件，沿第一方向和第二方向呈阵列排布，所述第一方向和第二方向之间具有非零夹角，沿所述第一方向位于同一排的单元器件构成第一测试组，沿所述第二方向位于同一排的单元器件构成第二测试组，每个所述单元器件包括多种适于加载相应测试信号的测试端，多种所述测试端中的其中两种分别作为第一测试端和第二测试端；所述第一测试组中的第一测试端并联连接、且第二测试端相电隔离；所述第二测试组中的第二测试端并联连接、且第一测试端相电隔离；其中，在所述测试端的种类多于两种时，剩余所述测试端中的同类测试端均并联连接。
3、可选的，所述第一测试端和第二测试端为功能可交换的两种测试端。
4、可选的，所述单元器件的类型包括对称型mos器件、电容器件或电阻器件。
5、可选的，所述测试结构适于测
6、可选的，所述栅极端和体端适于加载相同的测试信号，多个所述mos器件的栅极端和体端均并联连接。
7、可选的，所述测试结构还包括：第一互连层，与所述第一测试组一一对应，且电连接对应第一测试组中的单元器件的各个所述第一测试端；第二互连层，与所述第二测试组一一对应，且电连接对应第二测试组中的单元器件的各个所述第二测试端；第三互连层，电连接剩余所述测试端中的同类测试端。
8、可选的，所述第一互连层、第二互连层和第三互连层分别位于不同层。
9、可选的，所述第一方向和第二方向相垂直。
10、可选的，所述第一测试组适于在对所述第二测试端同时加载相同测试信号的条件下进行第一测试，所述第二测试组适于在对所述第一测试端同时加载相同测试信号的条件下进行第二测试；同一所述第一测试组中的单元器件的数量满足：所述第一测试获得的特性参数值大于或等于测试设备的测试精度下限；同一所述第二测试组中的单元器件的数量满足：所述第二测试获得的特性参数值大于或等于测试设备的测试精度下限。
11、相应的，本专利技术实施例还提供一种测试方法，包括：提供本专利技术实施例所述的测试结构；分别对各个所述第一测试组进行第一测试，且在所述第一测试中，对所述第一测试端加载相应的测试信号、并对所述第二测试端同时加载相同测试信号，以获得所述第一测试组对应的特性参数值；分别对各个所述第二测试组进行第二测试，且在所述第二测试中，对所述第二测试端加载相应的测试信号、并对所述第一测试端同时加载相同测试信号，以获得所述第二测试组对应的特性参数值；根据所述第一测试的特性参数值，选取异常的所述特性参数值对应的第一测试组位置，作为第一位置；根据所述第二测试的特性参数值，选取异常的所述特性参数值对应的第二测试组位置，作为第二位置；根据所述第一位置和第二位置，在所述测试结构的阵列中确定异常器件位置。
12、可选的，所述第一测试端和第二测试端为功能可交换的两种测试端；在所述第一测试中，对所述第一测试端加载第一测试信号，对所述第二测试端同时加载第二测试信号；在所述第二测试中，对所述第二测试端加载所述第一测试信号，对所述第一测试端同时加载所述第二测试信号。
13、可选的，所述测试方法适于测试漏电流；所述单元器件为mos器件，所述mos器件包括栅极端、体端、以及位于所述栅极端两侧的源漏极端，所述源漏极端包括源极端和漏极端，所述第一测试端和第二测试端中的一者作为所述源极端，另一者作为所述漏极端；在所述第一测试和第二测试中，分别对所述栅极端、体端、源极和漏极端加载相应的测试信号。
14、可选的，选取异常特性参数值对应的第一测试组位置、以及选取异常特性参数值对应的第二测试组位置的步骤，均包括：获取阈值条件，所述阈值条件为小于第一阈值，或者所述阈值条件为大于第二阈值，或者，所述阈值条件为大于第二阈值且小于第一阈值，或者所述阈值条件为等于预设阈值；将所述特性参数值与所述阈值条件进行比较，当所述特性参数值不满足所述阈值条件时，所述特性参数值为异常特性参数值。
15、可选的，在相同的测试条件下进行所述第一测试和第二测试，所述测试条件包括测试参数和测试环境，所述测试参数包括对各类测试端加载的测试信号。
16、与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下优点：
17、本专利技术实施例提供的测试结构包括呈阵列排布的多个相同的单元器件，沿第一方向位于同一排的单元器件构成第一测试组，沿第二方向位于同一排的单元器件构成第二测试组，每个单元器件包括多种测试端，其中两种测试端分别作为第一测试端和第二测试端，所述第一测试组中的第一测试端并联连接、且第二测试端相电隔离，所述第二测试组中的第二测试端并联连接、且第一测试端相电隔离，在所述测试端的种类多于两种时，剩余测试端中的同类测试端均并联连接；基于上述测试端的连接方式，能够沿第二方向对第一测试组逐排进行检测，以获得异常特性参数值对应的第一测试组位置作为第一位置，同理，能够沿第一方向对第二测试组逐排进行检测，以获得异常特性参数值对应的第二测试组位置作为第二位置，从而能够根据第一位置和第二位置在所述测试结构的阵列中定位出异常器件位置，采用逐排测试的方式有利于减小测试次数，从而能够在增加测试采样量并定位异常器件位置的同时，提高测试效率。
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1.一种测试结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一测试端和第二测试端为功能可交换的两种测试端。
3.如权利要求1或2所述的测试结构，其特征在于，所述单元器件的类型包括对称型MOS器件、电容器件或电阻器件。
4.如权利要求1或2所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构适于测试的特性参数包括漏电流，所述单元器件为MOS器件，所述MOS器件包括栅极端、体端、以及位于所述栅极端两侧的源漏极端，其中一个源漏极端为所述第一测试端，另一个源漏极端为所述第二测试端，所述栅极端和体端为剩余的所述测试端。
5.如权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述栅极端和体端适于加载相同的测试信号，多个所述MOS器件的栅极端和体端均并联连接。
6.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括：第一互连层，与所述第一测试组一一对应，且电连接对应第一测试组中的单元器件的各个所述第一测试端；
7.如权利要求6所述的测试结构，其特征在于，所述第一互连层、第二互连层和第三互连层分别位于不同层。<...
【技术特征摘要】
1.一种测试结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一测试端和第二测试端为功能可交换的两种测试端。
3.如权利要求1或2所述的测试结构，其特征在于，所述单元器件的类型包括对称型mos器件、电容器件或电阻器件。
4.如权利要求1或2所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构适于测试的特性参数包括漏电流，所述单元器件为mos器件，所述mos器件包括栅极端、体端、以及位于所述栅极端两侧的源漏极端，其中一个源漏极端为所述第一测试端，另一个源漏极端为所述第二测试端，所述栅极端和体端为剩余的所述测试端。
5.如权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述栅极端和体端适于加载相同的测试信号，多个所述mos器件的栅极端和体端均并联连接。
6.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括：第一互连层，与所述第一测试组一一对应，且电连接对应第一测试组中的单元器件的各个所述第一测试端；
7.如权利要求6所述的测试结构，其特征在于，所述第一互连层、第二互连层和第三互连层分别位于不同层。
8.如权利要求1所述的测...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭俊男，吴瑞伟，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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