【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片处理，尤其涉及一种在芯片上形成识别符号的方法及芯片。
技术介绍
1、芯片的加工过程中需要对于芯片进行归类，此步骤贯穿于整个的芯片加工过程。目前，通常的方法是人工对每一个芯片做特定的编号，以便于后续采用光学识别的方式进行归类，但是，本专利技术人在实施本专利技术的过程中发现，采用人工的方式进行编号，效率较低，无法满足大批量生产的需求，并且，误差较大，容易出现编号的尺寸和深度不符合规范，导致后续光学识别失败。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种在芯片上形成识别符号的方法及芯片，能够高效地在芯片上形成识别符号，并且，该识别符号具有高清晰度和高辨识度，从而能够有效提高光学识别准确率。
2、本专利技术一实施例提供一种在芯片上形成识别符号的方法，包括：
3、提供一芯片；
4、基于预设图形，采用等离子体对所述芯片进行刻蚀，使得所述芯片上形成识别符号；其中，所述识别符号为多边形，所述识别符号的最大边长大于或等于12微米，所述识别符号的最小边长大于或等于6微米，所述识别符号的深度为0.5-1.0微米。
5、作为上述方案的改进，所述基于预设图形，采用等离子体对所述芯片进行刻蚀，使得所述芯片上形成识别符号，具体包括：
6、在所述芯片的表面上形成掩蔽层；其中，所述掩蔽层具有与所述预设图形对应的开口；
7、将所述芯片放入刻蚀腔室中；
8、以六氟化硫气体作为刻蚀气体，生成等离子体，并利用所述等离子体对所
9、将所述掩蔽层从所述芯片的表面去除。
10、作为上述方案的改进，所述六氟化硫气体的流量为1300-1700sccm。
11、作为上述方案的改进，所述刻蚀腔室内的温度为18-20摄氏度，所述刻蚀腔室内的压强为30-70mtorr。
12、作为上述方案的改进，在刻蚀过程中，所述芯片的偏置功率为30-35w，等离子体源功率为3000-3500w。
13、作为上述方案的改进，刻蚀时间为18-22分钟。
14、作为上述方案的改进，所述将所述掩蔽层从所述芯片的表面去除，具体为：
15、采用温度为10-15摄氏度的硝酸溶液对所述芯片进行清洗，以将所述掩蔽层从所述芯片的表面去除；其中，清洗时间为8-12分钟。
16、本专利技术另一实施例提供一种芯片，采用如上任一项所述的方法制得。
17、与现有技术相比，本专利技术实施例公开的在芯片上形成识别符号的方法及芯片，通过基于预设图形，采用等离子体对芯片进行刻蚀，使得所述芯片上形成识别符号，相较于人工方式，能够有效提高形成识别符号的效率，并且，等离子体刻蚀的精细度较高，能够有效保证识别符号的精度，从而提高识别符号的清晰度，此外，通过限定识别符号的最大边长大于或等于12微米，识别符号的最小边长大于或等于6微米，识别符号的深度为0.5-1.0微米，能够有效保证图形的辨识度，从而能够有效提高光学识别准确率。
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1.一种在芯片上形成识别符号的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的在芯片上形成识别符号的方法，其特征在于，所述基于预设图形，采用等离子体对所述芯片进行刻蚀，使得所述芯片上形成识别符号，具体包括：
3.如权利要求2所述的在芯片上形成识别符号的方法，其特征在于，所述六氟化硫气体的流量为1300-1700sccm。
4.如权利要求2所述的在芯片上形成识别符号的方法，其特征在于，所述刻蚀腔室内的温度为18-20摄氏度，所述刻蚀腔室内的压强为30-70mtorr。
5.如权利要求2所述的在芯片上形成识别符号的方法，其特征在于，在刻蚀过程中，所述芯片的偏置功率为30-35W，等离子体源功率为3000-3500W。
6.如权利要求5所述的在芯片上形成识别符号的方法，其特征在于，刻蚀时间为18-22分钟。
7.如权利要求2所述的在芯片上形成识别符号的方法，其特征在于，所述将所述掩蔽层从所述芯片的表面去除，具体为：
8.一种芯片，其特征在于，采用如权利要求1-7中任一项所述的方法制得。
【技术特征摘要】
1.一种在芯片上形成识别符号的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的在芯片上形成识别符号的方法，其特征在于，所述基于预设图形，采用等离子体对所述芯片进行刻蚀，使得所述芯片上形成识别符号，具体包括：
3.如权利要求2所述的在芯片上形成识别符号的方法，其特征在于，所述六氟化硫气体的流量为1300-1700sccm。
4.如权利要求2所述的在芯片上形成识别符号的方法，其特征在于，所述刻蚀腔室内的温度为18-20摄氏度，所述刻蚀腔室内的压强为30...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯明章，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
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