【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光电传感器及其形成方法。
技术介绍
1、光电传感器是将光信号转换为电信号的一种器件。其工作原理基于光电效应，光电效应是指光照射在某些物质上时，物质的电子吸收光子的能量而发生了相应的电效应现象。
2、例如，ccd(charge coupled device，电荷耦合器件)图像传感器和cmos(cmosimage senser，cis)图像传感器，利用光电转换功能将光学图像转换为电信号后输出数字图像，目前被广泛应用在数码相机和其他电子光学设备中。cmos图像传感器由于具有工艺简单、易与其他器件集成、体积小、重量轻、功耗小、成本低等优点而逐渐取代ccd的地位。目前cmos图像传感器被广泛应用于数码相机、照相手机、数码摄像机、医疗用摄像装置(例如胃镜)、车用摄像装置等领域之中。
3、目前在高速cis图像传感器中，由于曝光时间非常短，为了增加灵敏度需要很大的像素满阱容量(full well capacity，fwc)。
技术实现思路
...【技术保护点】
1.一种光电传感器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述第二型掺杂区的形貌与所述陷光槽的形貌相同，且所述第二型掺杂区与所述陷光槽一一对应。
3.如权利要求1或2所述的光电传感器，其特征在于，所述陷光槽为倒金字塔结构的形状；所述第二型掺杂区为倒金字塔结构的形状。
4.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述第二型掺杂区的掺杂浓度为1e12atom/cm3至1e14atom/cm3。
5.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述第二型掺杂区的掺杂深度为50nm至200nm。>
6.如权利要...
【技术特征摘要】
1.一种光电传感器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述第二型掺杂区的形貌与所述陷光槽的形貌相同，且所述第二型掺杂区与所述陷光槽一一对应。
3.如权利要求1或2所述的光电传感器，其特征在于，所述陷光槽为倒金字塔结构的形状；所述第二型掺杂区为倒金字塔结构的形状。
4.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述第二型掺杂区的掺杂浓度为1e12atom/cm3至1e14atom/cm3。
5.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述第二型掺杂区的掺杂深度为50nm至200nm。
6.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述第一型掺杂区的掺杂类型为n型；所述第二型掺杂区的掺杂类型为p型。
7.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述光电传感器还包括：第三型掺杂区，位于相邻第一型掺杂区之间的基底中并与所述第一型掺杂区相接触，所述第三型掺杂区的掺杂类型与所述第二型掺杂区的掺杂类型相同。
8.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，在所述像素单元区中，所述陷光槽呈矩阵分布，或者，呈网格状连通。
9.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述光电传感器包括：逻辑晶圆、以及键合于所述逻辑晶圆上的像素晶圆，所述基底位于所述像素晶圆背向所述逻辑晶圆一侧，所述感光面为所述像素晶圆背向所述逻辑晶圆的面。
10.如权利要求1或9所述的光电传感器，其特征在于，所述光电传感器为背照式光电传感器。
11.一种光电传感器的形成方法，其特征在于，包括：
12.如权利要求11所述的光电传感器的形成方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：张伟，冯威，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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