【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种测试结构、晶圆结构及其形成方法和测试方法。
技术介绍
1、存储器用于存储大量数字信息。最近的调查显示，在世界范围内，存储器芯片大约占了半导体交易的30％，多年来，工艺技术的进步和市场需求催生越来越多高密度的各种类型存储器。
2、在存储器件中，近年来闪速存储器(flash memory，简称闪存)的发展尤为迅速。它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，具有集成度高、较快的存取速度、易于擦除和重写等多项优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。随着半导体技术发展，对闪存有着更为广泛的应用，需要将其与其他器件区同时形成在一个芯片上，以形成嵌入式闪存(embedded flash，eflash)。
3、嵌入式闪存是片上系统(system-on-a-chip，soc)的一种。在一片集成电路内同时集成逻辑电路模块和闪存电路模块，在智能卡、微控制器等产品中有广泛的用途。在嵌入逻辑电路的闪存存储器技术逐渐成熟、存储速度不断加快、成本逐渐下降的发展过程中，人们开始对其...
【技术保护点】
1.一种测试结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一测试控栅层上还具有掩膜层；所述第一测试插塞贯穿所述掩膜层。
3.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，还包括：
4.如权利要求3所述的测试结构，其特征在于，所述第二测试控栅层上还具有掩膜层；所述第二测试插塞贯穿所述掩膜层。
5.一种晶圆结构，其特征在于，包括：
6.如权利要求5所述的晶圆结构，其特征在于，所述功能结构还包括：
7.如权利要求6所述的晶圆结构，其特征在于，所述晶圆结构为测试晶圆结构，
<...【技术特征摘要】
1.一种测试结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一测试控栅层上还具有掩膜层；所述第一测试插塞贯穿所述掩膜层。
3.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，还包括：
4.如权利要求3所述的测试结构，其特征在于，所述第二测试控栅层上还具有掩膜层；所述第二测试插塞贯穿所述掩膜层。
5.一种晶圆结构，其特征在于，包括：
6.如权利要求5所述的晶圆结构，其特征在于，所述功能结构还包括：
7.如权利要求6所述的晶圆结构，其特征在于，所述晶圆结构为测试晶圆结构，
8.如权利要求7所述的晶圆结构，其特征在于，所述第一连接插塞与所述第一测试插塞在同一工艺过程中形成；
9.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑环，阎大勇，杨玲，仝海跃，史肖然，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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