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一种测试结构、晶圆结构及其形成方法和测试方法，通过所述第一测试插塞和所述第二测试插塞，能够分别实现对所述第一测试浮栅层和所述测试擦除栅层的电连接，能够对所述第一测试浮栅层和所述测试擦除栅层加载电压，从而通过所述第一测试隧穿氧化层实现对所述第...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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