【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种磁存储器及其制备方法、电子设备。
技术介绍
1、随着半导体技术和存储技术的不断发展进步，磁存储器（magnetic randomaccess memory，简称mram）逐渐成为下一代存储器技术的主要候选者之一。磁存储器包括磁隧道结（magnetic tunnel junction，简称mtj），其通常为两个铁磁层夹着一个势垒层而形成的三明治结构。两个铁磁层中的一个铁磁层磁化方向不变，被称为固定层。另一个铁磁层的磁化方向可以被外界激励改变，被称为自由层。当自由层的磁化方向与固定层平行或反平行时，磁隧道结分别处于低电阻态或高电阻态，这两种阻态分别代表二进制数据“0”和“1”。
2、其中，自旋轨道矩磁存储器（spin-orbit torque mram，简称sot-mram）是一种利用电流翻转磁隧道结的自由层而实现数据存储的存储设备，具有非易失性、高速读写（<1ns）、低功耗数据写入（<~0.1 pj/bit）和高耐久性等优点，应用前景广阔。自旋轨道矩磁存储器还包括第一电极层和第二电极层...
【技术保护点】
1.一种磁存储器的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在第一电极层上形成多个间隔设置的磁隧道结，以及与所述磁隧道结对应的掩膜结构和保护层，包括：
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述去除部分所述第一掩膜层，以暴露所述导电层的顶壁，包括：
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层和所述导电层的选择比大于或者等于50。
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述掩膜结构包括设置在所述磁隧道结上的第一分层，以及设置在所述第一分层上的...
【技术特征摘要】
1.一种磁存储器的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在第一电极层上形成多个间隔设置的磁隧道结，以及与所述磁隧道结对应的掩膜结构和保护层，包括：
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述去除部分所述第一掩膜层，以暴露所述导电层的顶壁，包括：
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层和所述导电层的选择比大于或者等于50。
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述掩膜结构包括设置在所述磁隧道结上的第一分层，以及设置在所述第一分层上的第二分层，所述第一分层导电，所述第二分层与所述导电层具有高刻蚀选择比。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述去除部分所述导电层，包括：
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述去除部分所述第一电极层之后，还包括：
8.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述去除部分所述第一电极层，以使得所述导电层间隔设置在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：李云鹏，刘宏喜，王戈飞，
申请(专利权)人：致真存储北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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