【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体技术的领域，具体地，本公开涉及用于制造动态随机存取存储器(dram)阵列结构的方法。
技术介绍
1、从二十世纪七十年代英特尔公司(intel corporation)专利技术动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)以来，dram被广泛应用于各类计算或控制电子电路系统中。
2、dram单元电路通常由一个用于选通的晶体管和一个用于存储电荷的电容器构成(1t1c结构)。在使用传统的基于平面结构的水平型晶体管，例如金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor，mosfet)实现选通晶体管的dram单元结构中，晶体管的源极、栅极和漏极沿平行于衬底表面的水平方向布置。由于晶体管的源极、栅极和漏极在水平方向上各自占有独立的面积，因此dram单元电路结构的微缩受到栅极长度和接触尺寸的限制，无法满足dram装置持续微缩的需求，进而限制了dram装置的集成度和带宽的进一步增加。
3、因此，近年来提出了竖直型的dram单元结构，其中晶体管的源极、栅极和漏极沿垂直于衬底表面的竖直方向设置，无需额外占用面积，利于dram阵列结构的尺寸微缩。
4、然而，现有技术中的基于竖直沟道晶体管(vct)的dram单元电路结构由于金属栅极包裹整个沟道，使得金属栅极连接形成的字线之间的隔离还需要额外占用面积，限制了vct晶体管用作dram单元电路中的选通晶体管时的尺寸微缩。此外，通过原子层
5、在本
技术介绍
部分中公开的以上信息仅用于理解本专利技术构思的背景，并且因此可能包含不构成现有技术的信息。
技术实现思路
1、为了解决现有技术中存在的以上问题，本公开提出了新型的用于制造动态随机存取存储器阵列结构的方法。
2、根据本公开的一个方面，提供了一种用于制造具有双层字线的竖直型动态随机存取存储器(dram)阵列结构的方法，其中dram阵列结构包括排列成阵列的多个dram单元结构，包括：提供衬底；在衬底中形成沿列方向延伸的多个位线隔离槽和沿行方向延伸的多个字线槽，以形成多个dram单元结构的有源区柱，其中在多个字线槽中形成第一层字线和第二层字线；在各dram单元结构的有源区柱的一端形成存储电容器；翻转dram阵列结构并且去除衬底；以及在各dram单元结构的有源区柱的另一端形成位线。
3、根据本公开的另一方面，提供了一种用于制造具有双层字线的竖直型dram阵列结构的方法，其中dram阵列结构包括排列成阵列的多个dram单元结构，包括：提供衬底；在衬底中形成沿列方向延伸的多个位线隔离槽和沿行方向延伸的多个字线槽，以形成多个dram单元结构的有源区柱，其中在多个字线槽中形成第一层字线和第二层字线；在各dram单元结构的有源区柱的一端形成位线；翻转dram阵列结构并且去除衬底；以及在各dram单元结构的有源区柱的另一端形成存储电容器。
4、根据本公开的用于制造dram阵列结构的方法通过使用双面加工工艺可以减小在形成多层字线时的栅长波动和对准偏差，并且避免使用复杂的底部位线形成工艺，从而降低了位线的寄生电容。
5、然而，本公开的效果不限于上述效果，并且可以在不脱离本公开的精神和范围的情况下进行各种扩展。应当理解，前面的一般描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供对要求保护的本公开的进一步说明。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用于制造具有双层字线的竖直型动态随机存取存储器DRAM阵列结构的方法，其中所述DRAM阵列结构包括排列成阵列的多个DRAM单元结构，包括：
2.一种用于制造具有双层字线的竖直型动态随机存取存储器DRAM阵列结构的方法，其中所述DRAM阵列结构包括排列成阵列的多个DRAM单元结构，包括：
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，
4.根据权利要求1或2所述的方法，还包括：
5.根据权利要求1或2所述的方法，还包括：
6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述竖直方向上所述位线隔离槽的深度大于或等于所述字线槽的深度，以及
7.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述竖直方向上所述位线隔离槽的深度小于所述字线槽的深度，以及
8.根据权利要求1所述的方法，还包括：
9.根据权利要求1或2所述的方法，还包括：
10.根据权利要求4或5所述的方法，还包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其中
12.根据权利要求4或5所述的方法，其中
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