【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及但不限于半导体的器件设计及其制造，尤指一种半导体器件及其制造方法、电子设备。
技术介绍
1、随着集成电路技术的发展，器件的关键尺寸日益缩小，单个芯片所包含的器件种类及数量随之增加，使得工艺生产中的任何微小差异都可能对器件性能造成影响。
2、为了尽可能降低产品的成本，人们希望在有限的衬底上做出尽可能多的器件单元。自从摩尔定律问世以来，业界提出了各种半导体结构设计和工艺优化，以满足人们对当前产品的需求。
技术实现思路
1、以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
2、本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备，减少漏电。
3、本申请提供了一种半导体器件，包括：设置在衬底上分布于不同层的多个晶体管，沿垂直于衬底方向延伸的字线；
4、同层的多个晶体管沿第一方向和第二方向阵列分布；所述晶体管包括沿第一方向延伸的半导体柱，所述半导体柱包括沿所述第一方向依次分布的第一区、沟道区和第二区，所述字线在不同...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：设置在衬底上分布于不同层的多个晶体管，沿垂直于衬底方向延伸的字线；
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二隔离层包括：覆盖所述第一孔、第二孔和所述横向孔的内壁的第一绝缘层，以及，填充所述第一孔、第二孔和所述横向孔的第二绝缘层。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二隔离层包括：覆盖所述第一孔、第二孔和所述横向孔的内壁的第一绝缘层，和，部分填充所述第一孔、第二孔和所述横向孔的第二绝缘层，且至少位于所述横向孔中的所述第二绝缘层设置有空腔。
4.根据权利要求1所述的...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：设置在衬底上分布于不同层的多个晶体管，沿垂直于衬底方向延伸的字线；
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二隔离层包括：覆盖所述第一孔、第二孔和所述横向孔的内壁的第一绝缘层，以及，填充所述第一孔、第二孔和所述横向孔的第二绝缘层。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二隔离层包括：覆盖所述第一孔、第二孔和所述横向孔的内壁的第一绝缘层，和，部分填充所述第一孔、第二孔和所述横向孔的第二绝缘层，且至少位于所述横向孔中的所述第二绝缘层设置有空腔。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二隔离层填充所述第一孔、第二孔和所述横向孔；或者，所述第二隔离层部分填充所述第一孔、第二孔和所述横向孔，且至少位于所述横向孔中的所述第二隔离层中设置有空腔。
5.根据权利要求1至4任一所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括，设置在所述沟道区的侧壁和所述字线之间，在不同层的相同位置的多个晶体管的所述沟道区的侧壁连续延伸的栅极绝缘层，所述横向孔还间隔所述栅极绝缘层与所述衬底。
6....
【专利技术属性】
技术研发人员：孟敬恒，王祥升，王桂磊，赵超，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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