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半导体器件及其制造方法、电子设备，半导体器件包括：分布于不同层的多个晶体管，垂直延伸的字线；晶体管包括沿第一方向延伸的半导体柱，半导体柱第一区、沟道区和第二区；半导体器件还包括间隔不同行的晶体管的沟槽，沟槽中设置有第一隔离层和第二隔离层，第...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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