【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及一种半导体存储器装置和该半导体存储器装置的制造方法，更具体地，涉及一种三维半导体存储器装置和三维半导体存储器装置的制造方法。
技术介绍
1、半导体存储器装置包括能够存储数据的多个存储器单元。存储器单元可以成三维布置以实现三维半导体存储器装置。存储器单元可以构成多个单元串。单元串可以连接到字线和选择线。
技术实现思路
1、根据本公开的实施方式，一种半导体存储器装置可以包括：在第一方向上延伸的第一沟道结构和第二沟道结构；单元层叠结构，其包括层间绝缘层和导电图案，层间绝缘层和导电图案在第一方向上交替地设置并且延伸以围绕第一沟道结构和第二沟道结构；第一源极选择线，其与单元层叠结构的第一区域交叠并且围绕第一沟道结构；以及第二源极选择线，其与单元层叠结构的第二区域交叠并且围绕第二沟道结构，其中，第一源极选择线和第二源极选择线中的每一者包括与单元层叠结构交叠的第一选择栅极层、设置在第一选择栅极层和单元层叠结构之间的第二选择栅极层以及设置在第一选择栅极层和第二选择栅极层之间的第三选择栅极层
2、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第三选择栅极层被设置在所述第一选择栅极层与所述第二选择栅极层之间，并且被设置在所述第二选择栅极层与所述单元层叠结构之间。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：
5.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括第一阻挡绝缘图案，所述第一阻挡绝缘图案在所述第一沟道结构和所述第三沟道结构之间围绕所述...
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第三选择栅极层被设置在所述第一选择栅极层与所述第二选择栅极层之间，并且被设置在所述第二选择栅极层与所述单元层叠结构之间。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：
5.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括第一阻挡绝缘图案，所述第一阻挡绝缘图案在所述第一沟道结构和所述第三沟道结构之间围绕所述第一源极选择线的所述第二选择栅极层，
6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括漏极选择线，所述漏极选择线延伸以围绕所述第一沟道结构和所述第二沟道结构。
7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李南宰，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。