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本申请涉及半导体存储器装置。提供了一种半导体存储器装置及其制造方法。该半导体存储器装置包括：单元层叠结构，其围绕第一沟道结构和第二沟道结构；第一源极选择线，其与单元层叠结构的第一区域交叠，并且围绕第一沟道结构；以及第二源极选择线，其与单元层...
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