【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思的实例实施方式涉及传感器、传感器阵列、显示面板、和电子设备。
技术介绍
1、光电转换器件是吸收光且将其转换成电信号并且应用于需要光学性质的多种领域的器件。硅是能够吸收光且将所吸收的光转换成电信号的代表性光电转换材料并且当与滤色器一起使用时可呈现波长选择性。所述光电转换器件由于光电转换特性和波长选择性而可用作传感器。
技术实现思路
1、近来，为了提升传感器的分辨率，要求每单位面积集成尽可能多的像素。因此，由于各像素变得更小并且不具有充足的光吸收面积，因此对于实现高的灵敏度存在限制。此外，由于滤色器对于各波长谱的光透射特性的限制，难以保证充足的波长选择性。另一方面，为了代替硅和滤色器，可使用具有光电转换特性的有机材料，但是不容易设计所述有机材料的分子结构来同时满足多种因素例如波长选择性、工艺稳定性等。
2、一些实例实施方式提供能够克服光电转换材料的材料限制并且实现高的波长选择性的传感器。
3、一些实例实施方式提供包括所述传感器的传感器阵列。
4、一些实例实施方式提供包括所述传感器或所述传感器阵列的显示面板。
5、一些实例实施方式提供包括所述传感器、所述传感器阵列、或所述显示面板的电子设备。
6、根据一些实例实施方式，传感器包括反射性电极、在所述反射性电极上并且包括一种或多种光电转换材料的光电转换层、在所述光电转换层上的半透射性电极、在所述半透射性电极上的光透射缓冲层、和在所述光透射缓冲层上的半透射性辅助层。>
7、所述一种或多种光电转换材料可包括配置成吸收蓝色至红色波长谱中的光的一种光电转换材料、或者两种或更多种光电转换材料的组合，所述组合配置成吸收蓝色至红色波长谱中的光。所述传感器可配置成选择性地感测第一波长谱的光，所述第一波长谱为蓝色波长谱、绿色波长谱、或红色波长谱的任一个。
8、所述第一波长谱可为蓝色波长谱，并且所述光电转换层的厚度可为约90nm至约120nm。
9、所述光电转换层与所述光透射缓冲层的厚度之和可为约95nm至约170nm。
10、所述第一波长谱可为绿色波长谱，并且所述光电转换层的厚度可为约20nm至约60nm。
11、所述光电转换层与所述光透射缓冲层的厚度之和可为约25nm至约110nm。
12、所述第一波长谱可为红色波长谱，并且所述光电转换层的厚度可大于约60nm且小于约90nm。
13、所述光电转换层与所述光透射缓冲层的厚度之和可大于约65nm且小于约140nm。
14、所述光透射缓冲层可为非传导性的并且可配置成不吸收可见光波长谱中的光，并且所述光透射缓冲层在450nm、530nm、和630nm处的折射率可分别为约1.3至约2.0。
15、所述光透射缓冲层的厚度可为约5nm至约50nm，并且所述半透射性电极和所述半透射性辅助层可各自独立地包括具有约10％至约70％的光透射率和约30％至约80％的反射率的金属层。
16、根据一些实例实施方式，传感器阵列可包括所述传感器。
17、根据一些实例实施方式，传感器阵列包括配置成选择性地感测蓝色波长谱中的光的第一传感器、配置成选择性地感测绿色波长谱中的光的第二传感器和配置成选择性地感测红色波长谱中的光的第三传感器，其中所述第一传感器、所述第二传感器、和所述第三传感器各自包括反射性电极、在所述反射性电极上的光电转换层、在所述光电转换层上的半透射性电极、在所述半透射性电极上的光透射缓冲层、和在所述光透射缓冲层上的半透射性辅助层，并且所述第一传感器的光电转换层、所述第二传感器的光电转换层、和所述第三传感器的光电转换层具有彼此不同的厚度。
18、所述第一传感器的光电转换层可比所述第三传感器的光电转换层厚，并且所述第三传感器的光电转换层可比所述第二传感器的光电转换层厚。
19、所述第一传感器的光电转换层的厚度可为约90nm至约120nm，所述第二传感器的光电转换层的厚度可为约20nm至约60nm，并且所述第三传感器的光电转换层的厚度可大于约60nm且小于约90nm。
20、所述第一传感器的光电转换层与光透射缓冲层的厚度之和可为约95nm-170nm，并且所述第二传感器的光电转换层与光透射缓冲层的厚度之和可为约25nm-110nm，并且所述第三传感器的光电转换层与光透射缓冲层的厚度之和可大于约65nm且小于约140nm。
21、所述第一传感器、所述第二传感器、和所述第三传感器的光电转换层各自可包括一种或多种光电转换材料。所述一种或多种光电转换材料可包括配置成吸收蓝色至红色波长谱中的光的一种光电转换材料、或者两种或更多种光电转换材料的组合，所述组合配置成吸收蓝色至红色波长谱中的光。
22、根据一些实例实施方式，传感器阵列包括在基板上重复地布置的第一传感器、第二传感器、和第三传感器，其中所述第一传感器、所述第二传感器、和所述第三传感器各自包括配置成吸收蓝色至红色波长谱中的光的光电转换层，所述第一传感器、所述第二传感器、和所述第三传感器各自不包括任何滤色器，所述第一传感器配置成选择性地感测蓝色波长谱中的光，所述第二传感器配置成选择性地感测绿色波长谱中的光，并且所述第三传感器配置成选择性地感测红色波长谱中的光，并且所述第一传感器、所述第二传感器、和所述第三传感器的外量子效率(eqe)谱的半宽度各自为约10nm至约70nm。
23、所述第一传感器、所述第二传感器、和所述第三传感器可各自进一步包括在所述光电转换层下面的反射性电极以及在所述光电转换层上的半透射性电极、光透射缓冲层和半透射性辅助层，其中所述第一传感器的光电转换层可比所述第三传感器的光电转换层厚，所述第三传感器的光电转换层可比所述第二传感器的光电转换层厚，所述第一传感器的光电转换层与所述第一传感器的光透射缓冲层的厚度之和可为约95nm至约170nm，所述第二传感器的光电转换层与所述第二传感器的光透射缓冲层的厚度之和可为约25nm至约110nm，并且所述第三传感器的光电转换层与所述第三传感器的光透射缓冲层的厚度之和可大于约65nm且小于约140nm。
24、根据一些实例实施方式，显示面板包括所述传感器阵列和光发射(发光)元件阵列，所述光发射元件阵列包括配置成显示蓝色光的光发射元件、配置成显示绿色光的光发射元件、和配置成显示红色光的光发射元件。
25、根据一些实例实施方式，电子设备可包括所述传感器阵列。
26、光电转换材料的材料限制可被克服并且可实现具有高的波长选择性的传感器。
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1.传感器，其包括：
2.如权利要求1所述的传感器，其中
3.如权利要求2所述的传感器，其中
4.如权利要求3所述的传感器，其中所述光电转换层与所述光透射缓冲层的厚度之和为95nm至170nm。
5.如权利要求2所述的传感器，其中
6.如权利要求5所述的传感器，其中所述光电转换层与所述光透射缓冲层的厚度之和为25nm至110nm。
7.如权利要求2所述的传感器，其中
8.如权利要求7所述的传感器，其中所述光电转换层与所述光透射缓冲层的厚度之和大于65nm且小于140nm。
9.如权利要求1所述的传感器，其中
10.如权利要求1所述的传感器，其中
11.传感器阵列，其包括如权利要求1-10任一项所述的传感器。
12.传感器阵列，其包括：
13.如权利要求12所述的传感器阵列，其中
14.如权利要求13所述的传感器阵列，其中
15.如权利要求12所述的传感器阵列，其中
16.如权利要求12所述的传感器阵列，
17.传感器阵列，其包括：
18.如权利要求17所述的传感器阵列，其中所述第一传感器、所述第二传感器和所述第三传感器各自进一步包括
19.显示面板，其包括：
20.电子设备，其包括根据权利要求11-18任一项所述的传感器阵列。
...【技术特征摘要】
1.传感器，其包括：
2.如权利要求1所述的传感器，其中
3.如权利要求2所述的传感器，其中
4.如权利要求3所述的传感器，其中所述光电转换层与所述光透射缓冲层的厚度之和为95nm至170nm。
5.如权利要求2所述的传感器，其中
6.如权利要求5所述的传感器，其中所述光电转换层与所述光透射缓冲层的厚度之和为25nm至110nm。
7.如权利要求2所述的传感器，其中
8.如权利要求7所述的传感器，其中所述光电转换层与所述光透射缓冲层的厚度之和大于65nm且小于140nm。
9.如权利要求1所述的传感器，其中
10.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：许哲准，徐辉贞，尹晟荣，金亨柱，朴敬培，房非非，林允熙，崔泰溱，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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