【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种包含至少一种式(i)的金属络合物的有机电子器件。
技术介绍
1、作为自发光器件的电子器件，如有机发光二极管oled，具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的工作电压特性以及色彩再现。典型的oled包含依次层叠在基底上的阳极层、空穴注入层hil、空穴传输层htl、发光层eml、电子传输层etl和阴极层。在这方面，hil、htl、eml和etl是由有机化合物形成的薄膜。
2、当向阳极和阴极施加电压时，从阳极注入的空穴经由hil和htl移动到eml，从阴极注入的电子经由etl移动到eml。空穴和电子在eml中重新组合产生激子。当激子从激发态下降到基态时，发出光。应当平衡空穴和电子的注入和流动，使得具有上述结构的oled具有低工作电压、优异的效率和/或长寿命。
3、ep 3 945 090 a1涉及作为半导体材料用于电子器件的3-(2,3,5-三氟-6-(三氟甲基)吡啶-4-基)戊-2,4-二酮和类似配体的金属络合物。
4、ep 3 945 125 a1涉及金属络合物、包含至少一种金属络合物的半导体材料、包含至少一种金属络合物的半导体层以及包含至少一种金属络合物的电子器件。
5、“空气中的光电子分光光度计.表面分析仪.型号ac-3”,2012年6月11日(2012-06-11),第1-6页,xp055029420,从互联网检索：url:http://www.rkiinstruments.com/pdf/ac3.pdf[于2012-06-11检索]。
7、有机发光二极管的性能可能受半导体层的特性影响，在它们之中，可能受到也包含在半导体层中的金属络合物的特性影响。
8、仍然需要改善半导体材料、半导体层以及其电子器件的性能，特别是通过改善其中包含的化合物的特性来实现改善的工作电压随时间的稳定性。
9、还需要通过提供具有改善的性能的空穴注入层来改善电子器件的性能，特别是通过改善空穴注入层和电子器件的特性来实现改善的工作电压随时间的稳定性和/或效率。
技术实现思路
1、本专利技术的一个方面提供了一种有机电子器件，所述有机电子器件包含基底、阳极层、阴极层、至少一个第一发光层和空穴注入层，其中所述空穴注入层包含金属络合物，其中所述金属络合物具有式(i)：
2、其中
3、m是金属；
4、l是与金属m配位的电荷中性配体；
5、n是选自1至4的整数，其对应m的氧化数；
6、m是选自0至2的整数；
7、r1和r3独立地选自h、d、取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c1至c12烷氧基、取代或未取代的c6至c24芳基和取代或未取代的c2至c24杂芳基基团，其中
8、至少一个取代基选自卤素、f、cl、cn、取代或未取代的c1至c12烷基、部分氟化或全氟化的c1至c12烷基、取代或未取代的c1至c12烷氧基、部分氟化或全氟化的c1至c12烷氧基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基，其中
9、所述取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c1至c12烷氧基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基的取代基选自卤素、f、cl、cn、c1至c6烷基、cf3、och3、ocf3；
10、r2选自cn、c1至c4烷基、部分氟化或全氟化的c1至c4烷基或f；
11、-所述阳极层包含第一阳极子层和第二阳极子层，
12、其中
13、-所述第一阳极子层包含逸出功在≥4且≤6ev范围内的第一金属，或所述第一阳极子层包含选自ag、mg、al、cr、pt、au、pd、ni、nd、ir的第一金属；
14、-所述第二阳极子层包含透明导电氧化物；
15、-所述空穴注入层布置在所述第一发光层和所述阳极层之间，
16、-所述第一阳极子层布置得更靠近所述基底，并且
17、-所述第二阳极子层布置得更靠近所述空穴注入层。
18、根据本专利技术，所述第一阳极子层包含选自ag、mg、al、cr、pt、au、pd、ni、nd、ir且逸出功在≥4且≤6ev范围内的第一金属。
19、本专利技术的另一个方面提供了一种有机电子器件，所述有机电子器件包含基底、阳极层、阴极层、至少一个第一发光层和空穴注入层，其中所述空穴注入层包含金属络合物，其中所述金属络合物具有式(i)：
20、其中
21、m是金属；
22、l是与金属m配位的电荷中性配体；
23、n是选自1至4的整数，其对应m的氧化数；
24、m是选自0至2的整数；
25、r1和r3独立地选自h、d、取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c1至c12烷氧基、取代或未取代的c6至c24芳基和取代或未取代的c2至c24杂芳基基团，其中
26、至少一个取代基选自卤素、f、cl、cn、取代或未取代的c1至c12烷基、部分氟化或全氟化的c1至c12烷基、取代或未取代的c1至c12烷氧基、部分氟化或全氟化的c1至c12烷氧基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基，其中
27、所述取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c1至c12烷氧基、取代或未取代的c6至c18芳基和取代或未取代的c2至c18杂芳基的取代基选自卤素、f、cl、cn、c1至c6烷基、cf3、och3、ocf3；
28、r2选自cn、c1至c4烷基、部分氟化或全氟化的c1至c4烷基或f；
29、-所述阳极层包含第一阳极子层和第二阳极子层，
30、其中
31、-所述第一阳极子层包含选自ag、mg、al、cr、pt、au、pd、ni、nd、ir的第一金属，
32、-所述第二阳极子层包含透明导电氧化物；
33、-所述空穴注入层布置在所述第一发光层和所述阳极层之间，
34、-所述第一阳极子层布置得更靠近所述基底，并且
35、-所述第二阳极子层布置得更靠近所述空穴注入层。
36、本专利技术的另一个方面提供了一种有机电子器件，所述有机电子器件包含基底、阳极层、阴极层、至少一个第一发光层和空穴注入层，其中所述空穴注入层包含金属络合物，其中所述金属络合物具有式(i)：
37、其中
38、m是金属；
39、l是与金属m配位的电荷中性配体；
40、n是选自1至4的整数，其对应m的氧化数；
41、m是选自0至2的整数；
42、r1和r3独立地选自h、d、取代或未取代的c1至c12烷基、取代或未取代的c本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种有机电子器件，所述有机电子器件包含基底、阳极层、阴极层、至少一个第一发光层和空穴注入层，其中所述空穴注入层包含金属络合物，其中所述金属络合物具有式(I)：
2.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中R2选自CN、CH3、CF3、C2F5、C3F7或F，更优选CN、CH3、CF3、C2F5、C3F7。
3.根据权利要求1或2中任一项所述的有机电子器件，其中至少一个R1和/或R3选自取代的C6至C24芳基或取代的C2至C24杂芳基基团，其中所述取代的C6至C24芳基或取代的C2至C24杂芳基基团的至少一个取代基或至少两个取代基选自CN或者部分氟化或全氟化的C1至C12烷基，优选选自部分氟化或全氟化的C1至C4烷基，更优选选自CN、CF3、C2F5或C3F7。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的有机电子器件，其中至少一个R1或R3或者R1和R3选自取代的C2至C24杂芳基基团，其中
5.根据权利要求1至4中任一项所述的有机电子器件，其中R1和/或R3的至少一个取代或未取代的C6至C24芳基基团和/或取代或未取代的C2至C24杂芳
6.根据权利要求1至5中任一项所述的有机电子器件，其中所述金属络合物由式I表示并且选自以下式E1至E20：
7.根据权利要求1至6中任一项所述的有机电子器件，其中所述金属络合物由式I表示并且选自以下式G1至G8：
8.根据权利要求1至6中任一项所述的有机电子器件，其中所述金属M选自碱金属、碱土金属、过渡金属、稀土金属或III族至V族金属，优选所述金属M选自过渡金属或III族至V族金属；优选所述金属M选自Li(I)、Na(I)、K(I)、Rb(I)、Cs(I)、Cu(II)、Zn(II)、Pd(II)、Al(III)、Sc(III)、Mn(III)、In(III)、Y(III)、Eu(III)、Fe(III)、Zr(IV)、Hf(IV)或Ce(IV)；更优选M为Cu(II)或Fe(III)；还更优选M为Cu(II)。
9.根据权利要求1至6中任一项所述的有机电子器件，其中L选自H2O、C2至C40单齿或多齿醚和C2至C40硫醚、C2至C40胺、C2至C40膦、C2至C20烷基腈或C2至C40芳基腈、或根据式(II)的化合物；
10.根据权利要求1至6和8至9中任一项所述的有机电子器件，其中n是选自1、2和3的整数，优选2，其对应M的氧化数。
11.根据权利要求1至5和8至10中任一项所述的有机电子器件，其中m是选自0或1的整数，优选0。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的有机电子器件，其中所述第一阳极子层的所述第一金属选自Ag、Mg、Al、Cr、Pt、Au、Pd、Ni、Nd、Ir。
13.根据前述权利要求1至12中任一项所述的有机电子器件，其中所述有机电子器件还包含空穴传输层，其中所述空穴传输层布置在所述空穴注入层和所述至少一个发光层之间。
14.根据权利要求13所述的有机电子器件，其中所述空穴传输层包含共价基质化合物，优选基本上共价的基质化合物，其中所述空穴注入层和空穴传输层中的所述共价基质化合物、优选所述基本上共价的基质化合物选择为相同的。
15.根据前述权利要求1至14中任一项所述的有机电子器件，其中所述有机电子器件是发光器件或显示器件。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种有机电子器件，所述有机电子器件包含基底、阳极层、阴极层、至少一个第一发光层和空穴注入层，其中所述空穴注入层包含金属络合物，其中所述金属络合物具有式(i)：
2.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中r2选自cn、ch3、cf3、c2f5、c3f7或f，更优选cn、ch3、cf3、c2f5、c3f7。
3.根据权利要求1或2中任一项所述的有机电子器件，其中至少一个r1和/或r3选自取代的c6至c24芳基或取代的c2至c24杂芳基基团，其中所述取代的c6至c24芳基或取代的c2至c24杂芳基基团的至少一个取代基或至少两个取代基选自cn或者部分氟化或全氟化的c1至c12烷基，优选选自部分氟化或全氟化的c1至c4烷基，更优选选自cn、cf3、c2f5或c3f7。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的有机电子器件，其中至少一个r1或r3或者r1和r3选自取代的c2至c24杂芳基基团，其中
5.根据权利要求1至4中任一项所述的有机电子器件，其中r1和/或r3的至少一个取代或未取代的c6至c24芳基基团和/或取代或未取代的c2至c24杂芳基基团选自以下式d1至d71：
6.根据权利要求1至5中任一项所述的有机电子器件，其中所述金属络合物由式i表示并且选自以下式e1至e20：
7.根据权利要求1至6中任一项所述的有机电子器件，其中所述金属络合物由式i表示并且选自以下式g1至g8：
8.根据权利要求1至6中任一项所述的有机电子器件，其中所述金属m选自碱金属、碱土金属、过渡金属、稀土金属或iii族至v族金属，优选所述金属m选自过渡金属或iii族至v族金属；优选所述金属...
【专利技术属性】
技术研发人员：弗拉迪米尔·乌瓦罗夫，斯特芬·维尔曼，乌尔里希·赫格曼，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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