【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种化合物、一种包含所述化合物的半导体层和一种包含其至少一种化合物的有机电子器件。
技术介绍
1、作为自发光器件的电子器件，如有机发光二极管oled，具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的工作电压特性以及色彩再现。典型的oled包含依次层叠在基底上的阳极层、空穴注入层hil、空穴传输层htl、发光层eml、电子传输层etl和阴极层。在这方面，hil、htl、eml和etl是由有机化合物形成的薄膜。
2、当向阳极和阴极施加电压时，从阳极注入的空穴经由hil和htl移动到eml，从阴极注入的电子经由etl移动到eml。空穴和电子在eml中重新组合产生激子。当激子从激发态下降到基态时，发出光。应当平衡空穴和电子的注入和流动，使得具有上述结构的oled具有低工作电压、优异的效率和/或长寿命。
3、有机发光二极管的性能可受空穴注入层的特性影响，在它们之中，尤其可受空穴注入层所含的空穴传输化合物和金属络合物的特性影响。
4、us2015200374 a涉及一种由例如嵌入空穴传导基质中的二...
【技术保护点】
1.一种化合物，所述化合物选自：
2.根据权利要求1所述的由式(I)表示的化合物，其中不包括化合物A1至A12：
3.根据权利要求1或2所述的由式(I)表示的化合物，其中R2选自CN、CH3、CF3、C2F5、C3F7或F，优选CN、CH3、CF3、C2F5或C3F7；更优选CN、CH3或CF3。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的由式(I)表示的化合物，其中R1和/或R3选自取代的C6至C24芳基或取代的C2至C24杂芳基基团，其中所述取代的C6至C24芳基或取代的C2至C24杂芳基基团的至少一个取代基或至少两个取代基选自CN或...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种化合物，所述化合物选自：
2.根据权利要求1所述的由式(i)表示的化合物，其中不包括化合物a1至a12：
3.根据权利要求1或2所述的由式(i)表示的化合物，其中r2选自cn、ch3、cf3、c2f5、c3f7或f，优选cn、ch3、cf3、c2f5或c3f7；更优选cn、ch3或cf3。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的由式(i)表示的化合物，其中r1和/或r3选自取代的c6至c24芳基或取代的c2至c24杂芳基基团，其中所述取代的c6至c24芳基或取代的c2至c24杂芳基基团的至少一个取代基或至少两个取代基选自cn或者部分或完全氟化的c1至c12烷基，优选部分或完全氟化的c1至c4烷基。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的由式(i)表示的化合物，其中所述式(i)的化合物包含至少一个cf3基团，优选至少两个cf3基团，更优选至少三个cf3基团，此外优选至少四个cf3基团，或至少两个cf3基团和至少一个c2f5，或至少两个cf3基团和至少一个选自cn、f或ch3的基团。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的由式(i)表示的化合物，其中r1和/或r3中的至少一个是取代或未取代的c6至c24芳基或包含至少6个成环原子的取代的c2至c24杂芳基基团并选自下式d1至d71，任选地，r3选自下式d1至d34和d36至d71：
7.根据权利要求1至6中任一项所述的由式(i)表示的化合物，其中所述由式i表示的化合物选自下式e1至e20：
8.根据权利要求1至7中任一项所述的由式(i)表示的化合物，其中所述由式i表示的化合物选自下式g1至g8：...
【专利技术属性】
技术研发人员：弗拉迪米尔·乌瓦罗夫，斯特芬·维尔曼，乌尔里希·赫格曼，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。