【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种有机发光二极管以及可用于所述有机发光二极管中的化合物。
技术介绍
1、有机发光二极管(oled)是自发光器件，具有宽视角、优异的对比度、快速响应性、高亮度、优异的驱动电压特性和色彩再现。典型的oled包括依次层叠在基底上的阳极、空穴传输层(htl)、发光层(eml)、电子传输层(etl)和阴极。就此而言，所述htl、eml和etl是由有机化合物和/或有机金属化合物形成的薄膜。
2、当向阳极和阴极施加电压时，从阳极注入的空穴经htl向eml移动，从阴极注入的电子经etl向eml移动。所述空穴和电子在eml中复合生成激子。当激子从激发态下降到基态时，发出光。应当平衡空穴和电子的注入和流出，使得具有上述结构的oled具有优异的效率。
3、本领域中已熟知多种包含不同电子传输材料的有机电子二极管。然而，仍然需要改善此类装置的性能，特别是改善多发光层oled的性能，具体是在效率和电压方面进行改善。
4、因此，本专利技术的目的是提供一种克服了现有技术的缺点的有机发光二极管，特别是多发光层顶部发光oled，其具有改善的性能，特别是具有改善的效率，更特别是具有改善的效率同时保持良好的驱动电压和/或稳定的真空可加工性。
技术实现思路
1、所述目的通过一种有机发光二极管来实现，所述有机发光二极管包含阳极、阴极、第一发光层、第二发光层、第一电荷产生层和第一电子传输层叠层；其中
2、-所述第一电荷产生层布置在所述第一发光层和所述第二发光层之间
3、-所述第一电子传输层叠层布置在所述第一发光层和所述第二发光层之间；
4、-所述第一电子传输层叠层包含第一电子传输层和第二电子传输层；
5、-所述第一电子传输层包含式(i)化合物，
6、(ar1-ac)a-xb(i)；
7、-a和b独立地为1或2；
8、-c独立地为0或1；
9、-ar1独立地选自c6至c60芳基或c2至c42杂芳基，
10、-其中每个ar1可被一至三个取代基取代，所述取代基独立地选自c6至c12芳基、c3至c11杂芳基和c1至c6烷基、d、c1至c6烷氧基、c3至c6支链烷基、c3至c6环状烷基、c3至c6支链烷氧基、c3至c6环状烷氧基、部分或全氟化c1至c6烷基、部分或全氟化c1至c6烷氧基、部分或全氘化c1至c6烷基、部分或全氘化c1至c6烷氧基、卤素、cn或py(r10)2，其中y选自o、s或se，优选o，并且r10独立地选自c6至c12芳基、c3至c12杂芳基、c1至c6烷基、c1至c6烷氧基、部分或全氟化c1至c6烷基、部分或全氟化c1至c6烷氧基、部分或全氘化c1至c6烷基、部分或全氘化c1至c6烷氧基；
11、-其中ar1上的每个c6至c12芳基取代基和ar1上的每个c3至c11杂芳基取代基可被c1至c4烷基或卤素取代；
12、-a独立地选自c6至c30芳基，
13、-其中每个a可被一个或两个取代基取代，所述取代基独立地选自c6至c12芳基和c1至c6烷基、d、c1至c6烷氧基、c3至c6支链烷基、c3至c6环状烷基、c3至c6支链烷氧基、c3至c6环状烷氧基、部分或全氟化c1至c6烷基、部分或全氟化c1至c6烷氧基、部分或全氘化c1至c6烷基、部分或全氘化c1至c6烷氧基、卤素、cn或py(r10)2，其中y选自o、s或se，优选o，并且r10独立地选自c6至c12芳基、c3至c12杂芳基、c1至c6烷基、c1至c6烷氧基、部分或全氟化c1至c6烷基、部分或全氟化c1至c6烷氧基、部分或全氘化c1至c6烷基、部分或全氘化c1至c6烷氧基；
14、-其中a上的每个c6至c12芳基取代基可被c1至c4烷基或卤素取代；
15、-x独立地选自c2至c42杂芳基，
16、-其中每个x可被一个或两个取代基取代，所述取代基独立地选自c6至c12芳基、c3至c11杂芳基和c1至c6烷基、d、c1至c6烷氧基、c3至c6支链烷基、c3至c6环状烷基、c3至c6支链烷氧基、c3至c6环状烷氧基、部分或全氟化c1至c6烷基、部分或全氟化c1至c6烷氧基、部分或全氘化c1至c6烷基、部分或全氘化c1至c6烷氧基、卤素、cn或py(r10)2，其中y选自o、s或se，优选o，并且r10独立地选自c6至c12芳基、c3至c12杂芳基、c1至c6烷基、c1至c6烷氧基、部分或全氟化c1至c6烷基、部分或全氟化c1至c6烷氧基、部分或全氘化c1至c6烷基、部分或全氘化c1至c6烷氧基；
17、-其中x上的每个c6至c12芳基取代基和x上的每个c3至c11杂芳基取代基可被c1至c4烷基或卤素取代；
18、-所述式(i)化合物的分子偶极矩≥0d且≤4d；
19、-所述第二电子传输层包含式(ii)化合物，
20、(ar2)m-(zk-g)n(ii)；
21、-m和n独立地为1或2；
22、-k独立地为0、1或2；
23、-ar2独立地选自c2至c42杂芳基和c6至c60芳基，
24、-其中每个ar2可被一个或两个取代基取代，所述取代基独立地选自c6至c12芳基、c3至c11杂芳基和c1至c6烷基、d、c1至c6烷氧基、c3至c6支链烷基、c3至c6环状烷基、c3至c6支链烷氧基、c3至c6环状烷氧基、部分或全氟化c1至c6烷基、部分或全氟化c1至c6烷氧基、部分或全氘化c1至c6烷基、部分或全氘化c1至c6烷氧基、卤素、cn或py(r10)2，其中y选自o、s或se，优选o，并且r10独立地选自c6至c12芳基、c3至c12杂芳基、c1至c6烷基、c1至c6烷氧基、部分或全氟化c1至c6烷基、部分或全氟化c1至c6烷氧基、部分或全氘化c1至c6烷基、部分或全氘化c1至c6烷氧基；
25、-其中ar2上的每个c6至c12芳基取代基和ar2上的每个c3至c11杂芳基取代基可被c1至c4烷基或卤素取代；
26、-z独立地选自c6至c30芳基，
27、-其中每个z可被一个或两个取代基取代，所述取代基独立地选自c6至c12芳基和c1至c6烷基、d、c1至c6烷氧基、c3至c6支链烷基、c3至c6环状烷基、c3至c6支链烷氧基、c3至c6环状烷氧基、部分或全氟化c1至c6烷基、部分或全氟化c1至c6烷氧基、部分或全氘化c1至c6烷基、部分或全氘化c1至c6烷氧基、卤素、cn或py(r10)2，其中y选自o、s或se，优选o，并且r10独立地选自c6至c12芳基、c3至c12杂芳基、c1至c6烷基、c1至c6烷氧基、部分或全氟化c1至c6烷基、部分或全氟化c1至c6烷氧基、部分或全氘化c1至c6烷基、部分或全氘化c1至c6烷氧基；
28、-其中z上的每个c6至c12芳基取代基可被c1至c4烷基或卤素取代；
29、-g选择为使化合物g本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包含阳极、阴极、第一发光层、第二发光层、第一电荷产生层和第一电子传输层叠层；其中
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中Ar1独立地选自苯基、萘基、蒽基、荧蒽基、呫吨基、二苯并呋喃基、嘧啶基吡嗪基、螺呫吨基、芴基、螺芴基、三苯基甲硅烷基、四苯基甲硅烷基或者具有式(IIa)的基团或具有式(IIb)的基团，
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中Ar1独立地选自荧蒽基、二苯并呋喃基、嘧啶基吡嗪基、9,9-二甲基芴基、具有式(IIa)的基团、具有式(IIb)的基团，
4.根据前述权利要求中任一项所述的有机发光二极管，其中A选自分别可被取代或未被取代的亚苯基、亚萘基、亚联苯基和亚三联苯基。
5.根据前述权利要求中任一项所述的有机发光二极管，其中X独立地选自分别可被取代或未被取代的哒嗪基、嘧啶基、吡嗪基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、苯并咪唑基、喹啉基、苯并吖啶基、二苯并吖啶基、菲咯啉基和二萘并呋喃基。
6.根据前述权利要求中任一项所述的有机发光二极管，其中X独立地选自分别可被取代或
7.根据前述权利要求中任一项所述的有机发光二极管，其中通过使用杂化泛函B3LYP和高斯6-31G*基组的TURBOMOLE V6.5程序包计算，在真空能级为零的绝对标度上，所述式(I)化合物的LUMO≥-1.81eV。
8.根据前述权利要求中任一项所述的有机发光二极管，其中所述式(I)化合物选自A-1至A-18，
9.根据前述权利要求中任一项所述的有机发光二极管，其中Ar2独立地选自分别可被取代或未被取代的吡啶基、三嗪基、1,2-二嗪基、1,3-二嗪基、1,4-二嗪基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、苯并咪唑基、喹啉基、苯并喹啉基苯并吖啶基、二苯并吖啶基、荧蒽基、蒽基、萘基、联三苯叉基、菲咯啉基和二萘并呋喃基。
10.根据前述权利要求中任一项所述的有机发光二极管，其中G独立地选自二甲基氧膦基、二苯基氧膦基、2-苯基-1H-苯并[d]咪唑基、2-乙基-1H-苯并[d]咪唑基、2-苯基苯并[h]喹啉基、吡啶基、2,2'-联吡啶基、5-苯基苯并[4,5]咪唑并[1,2-a]喹啉基、9-苯基-1,10-菲咯啉基和(吡啶-2-基)咪唑并[1,5-a]吡啶基。
11.根据前述权利要求中任一项所述的有机发光二极管，其中G选择为使化合物G-苯基由下列结构中的一种表示：
12.根据前述权利要求中任一项所述的有机发光二极管，其中所述第二电子传输层还包含化合物(III)，其中所述化合物(III)与所述式(II)化合物不同并且包含8至13个芳族或杂芳族环。
13.根据前述权利要求中任一项所述的有机发光二极管，其中所述第一电子传输层和所述第二电子传输层彼此直接接触。
14.根据前述权利要求中任一项所述的有机发光二极管，其中所述第二电子传输层与所述电荷产生层直接接触。
15.一种下式(IV)的化合物，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包含阳极、阴极、第一发光层、第二发光层、第一电荷产生层和第一电子传输层叠层；其中
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中ar1独立地选自苯基、萘基、蒽基、荧蒽基、呫吨基、二苯并呋喃基、嘧啶基吡嗪基、螺呫吨基、芴基、螺芴基、三苯基甲硅烷基、四苯基甲硅烷基或者具有式(iia)的基团或具有式(iib)的基团，
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中ar1独立地选自荧蒽基、二苯并呋喃基、嘧啶基吡嗪基、9,9-二甲基芴基、具有式(iia)的基团、具有式(iib)的基团，
4.根据前述权利要求中任一项所述的有机发光二极管，其中a选自分别可被取代或未被取代的亚苯基、亚萘基、亚联苯基和亚三联苯基。
5.根据前述权利要求中任一项所述的有机发光二极管，其中x独立地选自分别可被取代或未被取代的哒嗪基、嘧啶基、吡嗪基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、苯并咪唑基、喹啉基、苯并吖啶基、二苯并吖啶基、菲咯啉基和二萘并呋喃基。
6.根据前述权利要求中任一项所述的有机发光二极管，其中x独立地选自分别可被取代或未被取代的嘧啶基、吡嗪基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、苯并吖啶基、二苯并吖啶基。
7.根据前述权利要求中任一项所述的有机发光二极管，其中通过使用杂化泛函b3lyp和高斯6-31g*基组的turbomole v6.5程序包计算，在真空能级为零的绝对标度上，所述式(i)化合物的lumo≥-1.81ev。
8.根据前述权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：杰罗姆·加尼耶，多玛果伊·帕维奇科，安斯加尔·维尔纳，埃莱娜·嘉兰加西亚，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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