【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及半导体，特别涉及一种半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备。
技术介绍
1、在半导体
，垂直沟道晶体管(vertical channel transistor)是指沟道方向垂直于衬底表面的晶体管。
2、相关技术中，垂直沟道晶体管顶部设计有导电触点，在制备导电触点时，首先沉积导电层，再对导电层进行刻蚀，从而与晶体管顶部匹配。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备，能够降低导电触点制备时造成的工艺风险。所述技术方案如下：
2、一些实施例提供一种半导体结构的制备方法，所述方法包括：
3、在衬底上制备呈阵列分布的晶体管，每个晶体管包含沿垂直衬底方向延伸的硅柱，每个所述硅柱包含位于硅柱两端的源极和漏极以及位于源极和漏极之间的沟道区，每个晶体管还包括至少部分环绕所述硅柱的沟道区的栅极；
4、任意相邻的所述硅柱之间包括顶部水平面超过所述硅柱的第一硅介质，第一硅介质与每个硅柱之间形成多个...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在各所述第一腔体内形成与所述硅柱连接的第一导电触点，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第一腔体内填充第一导电材料并进行磨平处理之后，还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一硅介质的顶部形成有第二硅介质；任意相邻的所述第二硅介质之间形成多个与第一腔体一一对应且连通的第二腔体，所述第二腔体中形成有第二导电触点；所述第二腔体与所述第一腔...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在各所述第一腔体内形成与所述硅柱连接的第一导电触点，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第一腔体内填充第一导电材料并进行磨平处理之后，还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一硅介质的顶部形成有第二硅介质；任意相邻的所述第二硅介质之间形成多个与第一腔体一一对应且连通的第二腔体，所述第二腔体中形成有第二导电触点；所述第二腔体与所述第一腔体在垂直衬底方向错位使得任意相邻的六个第二腔体的开口区域位于正六边形的各顶点；
6.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，
7.根据权利要求4所述的方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：覃维都，田超，李玉科，吕浩昌，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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