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本申请公开了一种半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备，涉及半导体领域。该方法包括：在衬底上制备呈阵列分布的晶体管，每个晶体管包含沿垂直衬底方向延伸的硅柱；任意相邻的硅柱之间包括顶部水平面超过硅柱的第一硅介质，第一硅介质与每个硅柱之间形...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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