【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子材料与半导体器件，尤其是一种导电细丝型忆阻器的训练方法、装置及电子设备。
技术介绍
1、随着尺寸接近物理极限、器件速度、功耗以及成本显著提高，后摩尔时代所代表的器件微缩红利接近枯竭，此外，由于冯诺依曼瓶颈的存在，“内存墙”和“功耗墙”愈加突出，阻碍了半导体领域的发展，因此，寻求新的半导体器件，提高集成度延续摩尔定律、消除存-算隔离以及构建“存算一体化”架构是半导体领域未来的主流方向之一，忆阻器具有简单的三明治结构，可实现大规模的三维集成，且忆阻器可通过阻值改变实现信息存储和类神经突触、神经元模拟，在存算一体和神经形态的计算领域具有广阔的应用前景。
2、高性能忆阻器的设计和制备是当前半导体领域的研究热点之一，传统的结构型忆阻器，是通过上下电极及其自身的功能层设计进行性能优化的，例如，阵列化顶电极制备，多介电功能层构筑以及阻挡层引入等，虽然目前已取得了显著进步，但是复杂的结构设计导致器件的制备过程复杂、周期长以及设计成本较高，同时器件的均一性和稳定性较差，进而导致忆阻器的性能难以保障。
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【技术保护点】
1.一种导电细丝型忆阻器的训练方法，其特征在于：所述导电细丝型忆阻器的训练方法包括：
2.根据权利要求1所述的导电细丝型忆阻器的训练方法，其特征在于，所述基于预设外部电压的第一施加电场和导电细丝型忆阻器的工作原理，确定所述导电细丝型忆阻器的介电层中是否存在导电细丝以及所述导电细丝能否自发断裂，包括：
3.根据权利要求2所述的导电细丝型忆阻器的训练方法，其特征在于，所述基于所述导电细丝型忆阻器介电层中电压与电流间的变化关系，确定所述导电细丝能否自发断裂，包括：
4.根据权利要求3所述的导电细丝型忆阻器的训练方法，其特征在于，在若导电细...
【技术特征摘要】
1.一种导电细丝型忆阻器的训练方法，其特征在于：所述导电细丝型忆阻器的训练方法包括：
2.根据权利要求1所述的导电细丝型忆阻器的训练方法，其特征在于，所述基于预设外部电压的第一施加电场和导电细丝型忆阻器的工作原理，确定所述导电细丝型忆阻器的介电层中是否存在导电细丝以及所述导电细丝能否自发断裂，包括：
3.根据权利要求2所述的导电细丝型忆阻器的训练方法，其特征在于，所述基于所述导电细丝型忆阻器介电层中电压与电流间的变化关系，确定所述导电细丝能否自发断裂，包括：
4.根据权利要求3所述的导电细丝型忆阻器的训练方法，其特征在于，在若导电细丝型忆阻器介电层中电流随电压的增大而达到限流，则确定导电细丝能自发断裂之后，所述导电细丝型忆阻器的训练方法还包括：
5.根据权利要求1所述的导电细丝型忆阻器的训练方法，其特征在于，所述初始分布优化包括离散性分布优化和忆阻器开启速率优化，所述预设忆阻器性能阈值包括预设离散阈值和预设忆阻器开启速率阈值，所述则基于预设外部电压的第二施加电场和外部磁场施加的磁感应强度，对所述导电细丝型忆阻器进行训练并对所述导电细丝进行分布优化，确定训练后的候选导电细丝型忆阻器中的导电细丝能否自发断裂以及所述候选导电细丝型忆阻器是否...
【专利技术属性】
技术研发人员：白永庆，韩勋，薛飞，俞滨，
申请(专利权)人：浙江大学杭州国际科创中心，
类型：发明
国别省市：
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