【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体而言，本申请涉及一种半导体器件及其制造方法、电子设备
技术介绍
1、随着集成电路技术的发展，器件的关键尺寸日益缩小，单个芯片所包含的器件种类及数量随之增加，使得工艺生产中的任何微小差异都可能对器件性能造成影响。
2、为了尽可能降低产品的成本，人们希望在有限的衬底上做出尽可能多的器件单元。自从摩尔定律问世以来，业界提出了各种半导体结构设计和工艺优化，以满足人们对当前产品的需求。
技术实现思路
1、本申请提出一种半导体器件及其制造方法、电子设备，半导体器件结构简单，利于制造。
2、本申请实施例提供了一种半导体器件，包括：多层堆叠的存储单元阵列；
3、所述存储单元阵列包括在垂直衬底方向堆叠的多个存储单元；每个所述存储单元包括晶体管，所述晶体管包括依次排列的第一源/漏极、绝缘结构和第二源/漏极，以及依次环绕所述绝缘结构外周的半导体层、栅极绝缘层和栅电极；
4、所述第一源/漏极和所述第二源/漏极的材料包含金属，所述绝缘结构的材料包...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：多层堆叠的存储单元阵列；
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘结构在垂直衬底方向的厚度小于所述第一源/漏极或所述第二源/漏极在垂直衬底方向的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘结构从所述第一源/漏极延伸到所述第二源/漏极的延伸方向上包含侧壁，所述半导体层环绕所述绝缘结构的侧壁并延伸到所述第一源/漏极和所述第二源/漏极上与所述第一源/漏极和所述第二源/漏极接触。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述存储单元阵列还包括多条位线，所述...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：多层堆叠的存储单元阵列；
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘结构在垂直衬底方向的厚度小于所述第一源/漏极或所述第二源/漏极在垂直衬底方向的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘结构从所述第一源/漏极延伸到所述第二源/漏极的延伸方向上包含侧壁，所述半导体层环绕所述绝缘结构的侧壁并延伸到所述第一源/漏极和所述第二源/漏极上与所述第一源/漏极和所述第二源/漏极接触。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述存储单元阵列还包括多条位线，所述位线沿列方向延伸且沿行方向间隔排列，每条所述位线与两列所述存储单元的各所述晶体管的第一源/漏极连接。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，每个所述存储单元还包括电容器；所述电容器包括第一电容电极、第一介质层和第二电容电极；
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一源/漏极和所述第二源/漏极的材料包括金属钼，所述绝缘结构的材料包括氧化钼；或者，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述存储单元阵列还包括多条字线，...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋艳鹏，王祥升，王海玲，刘晓萌，王桂磊，赵超，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：
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