浅沟槽隔离结构及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种浅沟槽隔离结构及其形成方法，浅沟槽隔离结构包括形成于衬底的第一浅沟槽中的第一隔离层，第一隔离层中具有第二浅沟槽，且第一隔离层对衬底的应力为拉应力；第二隔离层填充第二浅沟槽，第二隔离层用于提供压应力，以平衡和缓解第一隔离层产生的拉应力，由此抵消第一隔离层对衬底产生的拉应力，从而实现调节浅沟槽隔离结构对衬底的拉应力，改善OSE效应，提高器件的性能及良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种浅沟槽隔离结构及其形成方法。

技术介绍

1、随着半导体元件特征尺寸的不断缩小，元件之间的隔离区域随之也要进行相应的缩小，以防止相邻的元件发生短路的现象。浅沟槽隔离(shallow trench isolation，sti)技术已成为目前的半导体器件制造中的主流隔离技术，随着浅沟槽的深宽比的增大，在浅沟槽中填充隔离层的技术难度也增加。目前，形成浅沟槽隔离结构的方法包括：首先，在衬底中形成浅沟槽；然后，采用高深宽比工艺或者可流动化学气相沉积在浅沟槽中填充隔离层以形成浅沟槽隔离结构，但在浅沟槽中填充的隔离层会在成膜之后或者后续的固化中发生体积收缩，即浅沟槽中填充的隔离层为拉应力薄膜，因此，sti会对衬底产生拉应力，导致衬底上的金属栅极的阈值电压(vt)漂移，还会出现ose(oxide space effect，氧化层间隔效应)，导致器件的阈值电压(vt)、跨导(gm)以及饱和电流(ids)减小，从而影响器件的性能和良率。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种浅沟槽隔离结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述第一隔离层的材料包括氧化硅，所述第二隔离层的材料包括氮化硅。

3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述第一隔离层覆盖所述第一浅沟槽的侧壁和底部，且所述第一隔离层的顶表面与所述第二隔离层的顶表面平齐。

4.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于,包括：

5.如权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第一隔离层的材料包括氧化硅；所述第二隔离层的材料包括氮化硅。

6.如权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的形成...

【技术特征摘要】

1.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述第一隔离层的材料包括氧化硅，所述第二隔离层的材料包括氮化硅。

3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述第一隔离层覆盖所述第一浅沟槽的侧壁和底部，且所述第一隔离层的顶表面与所述第二隔离层的顶表面平齐。

4.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于,包括：

5.如权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第一隔离层的材料包括氧化硅；所述第二隔离层的材料包括氮化硅。

6.如权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的形成方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘德荣，
申请(专利权)人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：