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本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其形成方法，浅沟槽隔离结构包括形成于衬底的第一浅沟槽中的第一隔离层，第一隔离层中具有第二浅沟槽，且第一隔离层对衬底的应力为拉应力；第二隔离层填充第二浅沟槽，第二隔离层用于提供压应力，以平衡和缓解第一隔离层产生的...
该专利属于上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司授权不得商用。

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