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本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括：多层堆叠的存储单元阵列；存储单元阵列包括晶体管，晶体管包括依次排列的第一源/漏极、绝缘结构和第二源/漏极，以及依次环绕绝缘结构外周的半导体层、栅极绝缘层...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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