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本公开提供一种磁存储器及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于解决写入功耗大、易热失效的技术问题。该制备方法在第一电极层上形成间隔设置的磁隧道结，以及与磁隧道结对应的掩膜结构和保护层；依次沉积导电层和第一掩膜层，导电层覆盖保护层的侧...
该专利属于致真存储（北京）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过致真存储（北京）科技有限公司授权不得商用。

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