【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例属于有机场效应晶体管，具体涉及一种超薄有机晶体管阵列制备方法及晶体管阵列。
技术介绍
1、近些年来，有机半导体和有机场效应晶体管的性能持续提升，其载流子迁移率可以和非晶硅的性能相比较(μ>0.1cm2v-1s-1)，能够满足多种光电子设备的需求，在大屏显示器、电子书、传感器、曲面显示器、电子标签、智慧卡、电子皮肤等领域具有广泛的应用价值。
2、大面积、均匀、优异再线性的有机晶体管阵列是实现有机光电子器件产业化的关键。目前，有机半导体薄膜的制备方法主要有气相沉积。但是，气相沉积成本高昂、操作复杂且高温状态下易破坏半导体材料的性能等缺点，难以应用于商业化制备和生产。
3、因此，如何解决上述问题成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本公开的实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种超薄有机晶体管阵列制备方法及晶体管阵列。
2、本公开的实施例的第一个方面，提供一种超薄有机晶体管阵列制备方法及晶体管阵列，包括：
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【技术保护点】
1.一种超薄有机晶体管阵列制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的超薄有机晶体管阵列制备方法，其特征在于，所述在所述氧化层上表面制作源电极和漏电极之后，还包括：
3.根据权利要求1所述的超薄有机晶体管阵列制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上表面形成氧化层之前，还包括：
4.根据权利要求1所述的超薄有机晶体管阵列制备方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的超薄有机晶体管阵列制备方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的超薄有机晶体管阵列制备方法，其特征在于，
7.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种超薄有机晶体管阵列制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的超薄有机晶体管阵列制备方法，其特征在于，所述在所述氧化层上表面制作源电极和漏电极之后，还包括：
3.根据权利要求1所述的超薄有机晶体管阵列制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上表面形成氧化层之前，还包括：
4.根据权利要求1所述的超薄有机晶体管阵列制备方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的超薄有机晶体管阵列制备方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的超薄有机晶体管阵列制备方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴倜，谭琳，俞朝晖，刘省珍，曹龙，李永鹏，
申请(专利权)人：北京印刷学院，
类型：发明
国别省市：
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