【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例属于有机场效应晶体管，具体涉及一种超薄有机晶体管阵列制备方法及晶体管阵列。
技术介绍
1、近些年来，有机半导体和有机场效应晶体管的性能持续提升，其载流子迁移率可以和非晶硅的性能相比较(μ>0.1cm2v-1s-1)，能够满足多种光电子设备的需求，在大屏显示器、电子书、传感器、曲面显示器、电子标签、智慧卡、电子皮肤等领域具有广泛的应用价值。
2、大面积、均匀、优异再线性的有机晶体管阵列是实现有机光电子器件产业化的关键。目前，有机半导体薄膜的制备方法主要有气相沉积。但是，气相沉积成本高昂、操作复杂且高温状态下易破坏半导体材料的性能等缺点，难以应用于商业化制备和生产。
3、因此，如何解决上述问题成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本公开的实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种超薄有机晶体管阵列制备方法及晶体管阵列。
2、本公开的实施例的第一个方面，提供一种超薄有机晶体管阵列制备方法及晶体管阵列，包括：
3、提供衬底；
4、在所述衬底上表面形成氧化层；
5、在所述氧化层上表面制作源电极和漏电极；
6、配置末端硅氧烷基侧链取代的共轭聚合物和有机溶剂的半导体溶液；
7、将所述半导体溶液印刷涂布于所述氧化层上表面以制备有机半导体层。
8、进一步的，所述在所述氧化层上表面制作源电极和漏电极之后，还包括：
9、对所述衬底、
10、进一步的，所述在所述衬底上表面形成氧化层之前，还包括：
11、在所述衬底的表面滴加表面活性剂并进行热处理。
12、可选的，所述末端硅氧烷基侧链取代的共轭聚合物的用量0.02～1.5g/m2；
13、所述有机溶剂用量为0.2～1.0l/m2。
14、可选的，所述末端硅氧烷基侧链取代的共轭聚合物包括2,2'-联噻吩和末端硅氧烷基侧链取代的吡咯并吡咯二酮的共聚物，或2,2'-联噻吩和末端硅氧烷基侧链取代的萘二酰亚胺基的共聚物。
15、可选的，所述有机溶剂包括非氯试剂；所述非氯试剂包括甲苯；
16、所述有机溶剂包括环保试剂；所述环保试剂包括正己烷。
17、可选的，所述半导体溶液的浓度为0.1～1.0mg/ml；
18、所述印刷涂布包括棒涂；其中，所述有机半导体层制备过程中，所述棒涂速度为20mm/s，基台温度25～100℃。
19、可选的，所述将所述半导体溶液印刷涂布于所述氧化层上表面以制备有机半导体层，包括：
20、沿平行于所述源电极和所述漏电极之间沟道方向涂布所述半导体溶液，以制备所述有机半导体层。
21、可选的，所述将所述半导体溶液印刷涂布于所述氧化层上表面以制备有机半导体层，包括：
22、沿垂直于所述源电极和所述漏电极之间沟道方向涂布所述半导体溶液，以制备所述有机半导体层。
23、本公开的实施例的第二个方面，提供一种超薄有机晶体管阵列，所述超薄有机晶体管阵列由上述所述的超薄有机晶体管阵列制备方法制备得到。
24、本公开的实施例的有益效果，包括：
25、由上述可知，利用末端硅氧烷基侧链取代的共轭聚合物和有机溶剂配置的半导体溶液旋涂制备的有机半导体层薄膜，该制备方法成本低、操作简单，能够应用于商业化制备和生产，另外该薄膜的柔韧性优于传统薄膜，使制备的有机电子器件质量更轻，有利于便携和穿戴。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种超薄有机晶体管阵列制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的超薄有机晶体管阵列制备方法，其特征在于，所述在所述氧化层上表面制作源电极和漏电极之后，还包括：
3.根据权利要求1所述的超薄有机晶体管阵列制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上表面形成氧化层之前，还包括：
4.根据权利要求1所述的超薄有机晶体管阵列制备方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的超薄有机晶体管阵列制备方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的超薄有机晶体管阵列制备方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的超薄有机晶体管阵列制备方法，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的超薄有机晶体管阵列制备方法，其特征在于，所述将所述半导体溶液印刷涂布于所述氧化层上表面以制备有机半导体层，包括：
9.根据权利要求1所述的超薄有机晶体管阵列制备方法，其特征在于，所述将所述半导体溶液印刷涂布于所述氧化层上表面以制备有机半导体层，包括：
10.一种超薄有机晶体管阵列，其特征在于，所述超薄有机晶体管
...【技术特征摘要】
1.一种超薄有机晶体管阵列制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的超薄有机晶体管阵列制备方法，其特征在于，所述在所述氧化层上表面制作源电极和漏电极之后，还包括：
3.根据权利要求1所述的超薄有机晶体管阵列制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上表面形成氧化层之前，还包括：
4.根据权利要求1所述的超薄有机晶体管阵列制备方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的超薄有机晶体管阵列制备方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的超薄有机晶体管阵列制备方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴倜，谭琳，俞朝晖，刘省珍，曹龙，李永鹏，
申请(专利权)人：北京印刷学院，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。