读取电路及磁存储器制造技术

本申请提供一种读取电路及磁存储器，读取电路包括电连接的温度补偿模块和差分读取模块，其中，通过温度补偿模块生成的幅值与读取电路所处的环境温度呈负相关的温度补偿电压，再将温度补偿电压作为读取电压同时输入差分读取模块中的数据磁存储器件和参考磁存储器件，通过与温度呈负相关的读取电压补偿数据磁存储器件和参考磁存储器件的隧穿磁阻比的温度漂移现象，能够在读取磁存储器件中的数据时，使数据磁存储器件和参考磁存储器件的隧穿磁阻比不随环境温度改变，从而提高了磁存储器件及磁存储器的读取可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其涉及一种读取电路及磁存储器。

技术介绍

1、磁存储器（magneto resistive random access memory，mram）是一种基于磁隧道结（magnetic tunnel junction，mtj）技术的非易失性磁存储器。其中，磁存储器中包含多个磁存储器件，每个磁存储器件中至少包括磁隧道结，可用于通过磁隧道结的磁阻效应实现磁存储器件高低阻态的转换，从而实现二进制数据的存储。

2、读取电路通常设置为差分读取电路，该差分读取电路包括比较器，比较器的第一输入端与磁存储器件电连接，用于获取数据信号，比较器的第二端与参考电路电连接，用于获取参考信号，通过比较数据信号和参考信号的大小，从而获得磁存储器件的阻态，进而确定磁存储器件中存储的二进制数据。

3、但是，在温度的影响下，磁存储器件的隧穿磁阻比（tunnel magnetoresistanceratio，tmr）会发生变化，导致了无法准确地输出数据信号，从而降低了磁存储器件及磁存储器的读取可靠性。

技术实现思路<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种读取电路，其特征在于，包括：电连接的温度补偿模块和差分读取模块；

2.根据权利要求1所述的读取电路，其特征在于，所述数据磁存储器件和所述参考磁存储器件均至少包括磁隧道结。

3.根据权利要求1所述的读取电路，其特征在于，所述温度补偿模块包括电连接的温度感知模块和电压调节模块；

4.根据权利要求3所述的读取电路，其特征在于，所述温度感知模块为带隙基准电路，所述带隙基准电路用于生成所述温度感知信号；

5.根据权利要求4所述的读取电路，其特征在于，所述电压调节模块包括电连接的比例调节单元和加减运算单元；

6.根据权利要求3所述的...

【技术特征摘要】

1.一种读取电路，其特征在于，包括：电连接的温度补偿模块和差分读取模块；

2.根据权利要求1所述的读取电路，其特征在于，所述数据磁存储器件和所述参考磁存储器件均至少包括磁隧道结。

3.根据权利要求1所述的读取电路，其特征在于，所述温度补偿模块包括电连接的温度感知模块和电压调节模块；

4.根据权利要求3所述的读取电路，其特征在于，所述温度感知模块为带隙基准电路，所述带隙基准电路用于生成所述温度感知信号；

5.根据权利要求4所述的读取电路，其特征在于，所述电压调节模块包括电连接的比例调节单元和加减运算单元；

6.根据权利要求3所述的读取电路，其特征在于，所述温度感知模块包括感温磁存储器件；

7.根据权利要求6所述的读取电路，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张拓，姜新鹏，张和，李璇，王戈飞，
申请(专利权)人：致真存储北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：