防滑印模降落环制造技术

提供了使用防滑降落环进行纳米压印光刻的设备及方法。在一个实施方式中，提供了用于纳米压印光刻的处理腔室，并且该处理腔室包括基板支撑件及设置在该基板支撑件上的环。该环具有与基板支撑件相对的顶表面，并且该顶表面具有网格图案。面向基板支撑件的底表面具有与网格图案相比不同的图案。网格图案相比不同的图案。网格图案相比不同的图案。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】防滑印模降落环


[0001]本案的实施方式大体而言涉及纳米压印光刻。特定地，本文所述的实施方式涉及用于使用防滑降落环(lading ring)进行纳米压印光刻的设备及方法。

技术介绍

[0002]光学装置可通过空间地改变形成于基板上的光学装置的结构的各种结构参数(例如，形状、尺寸、定向)来操纵光的传播。这些结构可通过各种方法形成，例如纳米压印光刻。在使用纳米压印光刻的光学装置制造中，印模(stamp)图案化基板以便产生光学装置的期望结构。然而，在图案化期间印模的滑动可能会导致基板上的图案放置的不期望的不准确。
[0003]因此，本技术中需要的是用于在减少滑动的情况下执行纳米压印光刻的设备及方法。

技术实现思路

[0004]提供了用于使用防滑降落环进行纳米压印光刻的设备及方法。在一个实施方式中，提供了用于纳米压印光刻的处理腔室，并且该处理腔室包括基板支撑件及设置在该基板支撑件上的环。该环具有与基板支撑件相对的顶表面，并且该顶表面具有网格图案。环的面向基板支撑件的底表面具有与网格图案相比不同的图案。
[0005]在另一实施方式中，提供了用于纳米压印光刻的处理腔室，并且该处理腔室包括基板支撑件及设置在该基板支撑件上的环。该环具有与基板支撑件相对的顶表面，并且该顶表面具有尖状图案(pointed pattern)。面向基板支撑件的底表面具有与尖状图案相比不同的图案。
[0006]在另一实施方式中，提供了用于纳米压印光刻的处理腔室，并且该处理腔室包括基板支撑件及设置在该基板支撑件上的环。该环具有与基板支撑件相对的顶表面，并且该顶表面具有设置于其上的粘合剂涂层。面向基板支撑件的底表面未涂布有粘合剂。
附图说明
[0007]以能够详细理解本公开内容的上述特征的方式，可参考实施方式获得简要概述于上文的本公开内容的更特定的描述，这些实施方式的一些图示于附图中。然而，应将注意，附图仅图示示例性实施方式并且因此不被视为限制本案公开内容的范围，并且可允许其他同等有效的实施方式。
[0008]图1为根据本公开内容的实施方式的处理腔室的示意横截面图。
[0009]图2A至图2C为压印处理的示意横截面图。
[0010]图3A为根据本公开内容的实施方式的图1的处理腔室的一部分的示意横截面图。
[0011]图3B是根据其他实施方式的处理腔室的一部分的示意横截面图。
[0012]图4A是根据本公开内容的实施方式的具有网格图案的环的示意俯视图。
[0013]图4B为根据本公开内容的实施方式的图4A的环的示意横截面图。
[0014]图5A为根据本公开内容的实施方式的具有尖状图案的环的示意俯视图。
[0015]图5B为根据本公开内容的实施方式的图5A的环的示意横截面图。
[0016]图6为根据本公开内容的实施方式的具有粘合剂涂层的环的示意横截面图。
[0017]图7为根据本公开内容的实施方式的示意仰视图。
[0018]为了促进理解，在可能的情况下，已使用相同的附图标记来指示各图共用的相同元件。可以预期，一个实施方式的元件及特征可有利地并入其他实施方式，而无需进一步叙述。
具体实施方式
[0019]本公开内容的实施方式大体而言涉及纳米压印光刻。特定地，本文所述的实施方式涉及用于使用防滑降落环进行纳米压印光刻的设备及方法。在纳米压印光刻中，在印模与基板和/或印模与降落环之间的第一次接触期间的印模滑动可能导致图案偏移及其他处理不规则性。图案偏移可影响基板上的对准精度和整体图案放置。本文揭示的各方面减少了在压印期间基板与印模之间的滑动，从而提高了图案化精度。
[0020]图1是根据实施方式的处理腔室100的示意横截面图。处理腔室100被配置为制造光学装置，诸如波导组合器。处理腔室100包括基板支撑件101，基板支撑件101被配置为支撑基板(未示出)并且可选地经由加热和/或冷却控制其温度。在可与其他实施方式结合的一些实施方式中，基板支撑件101是真空卡盘、静电卡盘或任何其他适当类型的卡盘。基板支撑件101具有顶表面102，顶表面102具设置于其上的环110。在可与其他实施方式结合的一些实施方式中，环110被安装至基板支撑件101的顶表面102。在可与其他实施方式结合的一些实施方式中，环110被制造为基板支撑件101的一部分(例如，与基板支撑件为一体)。在环110被安装至基板支撑件101的顶表面102或制造为基板支撑件101的一部分的实施方式中，环110可具有匹配任何期望高度的高度，例如在预定公差(诸如+/
‑
1％、3％、5％、10％、20％或25％)内的基板(未图示)的顶表面的高度。在可与其他实施方式结合的一些实施方式中，环110由升降驱动器支撑，该升降驱动器可调节环110的高度以匹配任何期望的高度，诸如基板顶表面的高度(未图示)。可以预期，环110和基板支撑件101可各自包括促进环110与基板支撑件101之间的机械接合的配合特征。
[0021]在可与其他实施方式结合的一些实施方式中，环110由铝、不锈钢或诸如氧化硅、氮化硅、碳化硅或氧化铝的陶瓷形成。在可与其他实施方式结合的一些实施方式中，环110具有阳极氧化铝、聚醚醚酮(polyetheretherketone；PEEK)、特氟隆涂层或其他适当的聚合物涂层。环110的内径为约100毫米(mm)至约310mm，例如约105mm至约110mm，例如约155mm至约160mm，例如约205mm至约210mm，例如约305mm至约310mm。环110的内径大于待设置在基板支撑件101上的基板(未图示)的直径。当基板由基板支撑件101支撑时，环110的尺寸使得环110能够围绕基板(未图示)。
[0022]印模120设置在处理腔室100中与基板支撑件101相对。在处理期间，印模120例如在垂直方向上降低以接触基板的顶表面(未示出)，以便用图案化表面130图案化基板或基板的一部分。此外，印模130被定位成在压印期间也接触环110的上表面。印模130包括径向向外的环接触区域111，环接触区域111通常是平面的或未经图案化的且与环110接合。在一些实施方式中，环接触区域111可包括增加印模130与环110之间的摩擦力以促进减少印模
130与环110之间的滑动的特征。可以预期，环接触区域111可接触环110的上表面301的100％，或小于100％。在图2A至图2C中进一步图示基板的图案化。
[0023]图2A至图2C是压印处理的示意横截面图。压印处理使用印模120图案化基板201。基板201可以是任何适当的材料。在一些实施方式中，基板201为含硅基板。也可预期，基板201可以是含铟、含镓、含锗、含氮的基板或其他基板。在可与其他实施方式结合的一些实施方式中，基板201包含氧化铌、碳氧化硅、氧化钛、氧化镧或氧化锆。替代地或另外地，基板201可以是分层基板。
[0024]压印处理包括将印模120与基板201对准，如图2A中所示。印模120与基板201本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于纳米压印光刻的处理腔室，包含：基板支撑件；以及环，所述环设置在所述基板支撑件上，所述环具有相对于所述基板支撑件的顶表面及与所述顶表面相对的底表面，并且其中所述顶表面具有网格图案，且所述底表面具有与所述顶表面不同的图案。2.根据权利要求1所述的处理腔室，其中所述基板支撑件为真空卡盘。3.根据权利要求2所述的处理腔室，其中所述环的厚度在约0.3mm至约10mm的范围内。4.根据权利要求3所述的处理腔室，其中所述环的所述厚度为约1mm。5.根据权利要求4所述的处理腔室，其中所述网格的特征具有约0.05mm至约0.5mm的高度。6.根据权利要求3所述的处理腔室，其中所述环的厚度在约0.3mm至约10mm的范围内。7.一种用于纳米压印光刻的处理腔室，包含：基板支撑件；以及环，所述环设置在所述基板支撑件上，所述环具有相对于所述基板支撑件的顶表面及与所述顶表面相对的底表面，并且其中所述顶表面具有尖状特征的图案，且所述底表面具有与所述顶表面不同的一图案。8.根据权利要求7所述的处理腔室，其中所述基板支撑件为静电卡盘。9.根据权利要求8所述的处理腔室，其中所述环的厚度在约0.3mm至约10mm的范围内。10.根据权利要求9所述的处理腔室，其中所述环的所述厚度为约0.7m...

【专利技术属性】
技术研发人员：江靖，苏拉吉，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：