【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在基板上沉积材料的方法
[0001]本公开内容的实施方式涉及在基板上沉积材料。本公开内容的实施方式特别地涉及通过从旋转靶溅射来在基板上沉积材料。
技术介绍
[0002]在基板上沉积材料在各种
中具有许多应用。溅射是一种用于在基板上沉积材料的方法。溅射可能与用高能粒子轰击基板，特别是位于该基板上的膜相关联。轰击可能对位于基板上的材料、特别是膜的性质有不利影响。为了避免轰击，例如用平面靶设计了面对靶溅射(facing target sputtering；FTS)系统。在FTS系统中，多个靶不是直接地面向基板，而是面向彼此。然而，常规的FTS系统中的溅射等离子体的稳定性是有限的。常规的FTS系统在大规模生产中的适用性被削弱。先进FTS系统可包括旋转靶以提高材料利用率。尽管如此，FTS系统通常仍与低沉积速率相关联，从而导致低生产率和基板表面污染的风险。
[0003]鉴于上文，提供用于在基板上沉积材料的改善的方法和系统是有益的。
技术实现思路
[0004]根据一实施方式，提供了一种在基板上沉积至少一种材料...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种在基板上沉积至少一种材料的方法，所述方法包括：第一沉积，所述第一沉积包括：通过缝隙从第一旋转靶和第二旋转靶溅射，所述缝隙是可调整的并具有小于第一尺寸，所述第一旋转靶具有第一磁体组件，所述第一磁体组件在面向所述第二旋转靶的第一方向上提供等离子体约束，所述第二旋转靶具有第二磁体组件，所述第二磁体组件在面向所述第一旋转靶的第二方向上提供等离子体约束，所述第一方向和所述第二方向从与所述基板的基板平面平行偏离小于第一值的角度，以及在所述第一沉积之上的第二沉积，所述第二沉积包括：通过所述缝隙从所述第一旋转靶和所述第二旋转靶溅射，所述缝隙具有至少第二尺寸，所述第二尺寸大于所述第一尺寸，所述第一磁体组件在第三方向上提供等离子体约束，所述第二磁体组件在第四方向上提供等离子体约束，所述第三方向或所述第四方向中的至少一者与平行于所述基板平面偏离至少第二值的角度，所述第二值大于所述第一值。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一值是20
°
。3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述第一磁体组件和所述第二磁体组件的等离子体约束方向在所述第一沉积与所述第二沉积之间逐渐改变。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述缝隙的尺寸在所述第一沉积与所述第二沉积之间逐渐改变。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述缝隙被提供作为在至少两个屏蔽件之间的间隙。6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述至少一种材料包括金属、金属氧化物或透明导电氧化物。7.一种控制器，所述控制器被配置为能连接到用于沉积材料的系统，并且被进一步配置为控制所述系统，使得执行根据权利要求1至6中任一项所述的方法。8.一种用于在基板上沉积至少一种材料的系统，所述系统包括：第一靶支撑件，所述第一靶支撑件用于第一旋转靶；第一磁体组件，所述第一磁体组件能连接到所述第一靶支撑件；第二靶支撑件，所述第二靶支撑件用于第二旋转靶；第二磁体组件，所述第二磁体组件能连接到所述第二靶支撑件；可调整的缝隙，所述可调整的缝隙设置在屏蔽件中或在至少两个屏蔽件之间以允许溅射材料到达所述基板；以及根据权利要求7所述的控制器。9.根据权利要求8所述的系统，进一步包括：第一屏蔽件，所述第一屏蔽件定位在所述第一旋转靶与沉积区域之间，以及第二屏蔽件，所述第二屏蔽件定位在所述第二旋转靶或所述第三旋转靶与所述沉积区域之间，其中所述第一屏蔽件包括第一屏蔽件磁体组件，并且其中所述第二屏蔽件包括面向所述第一屏蔽件磁体组件的第二屏蔽件磁体组件。10.一种在基板上沉积至少一种材料的方法，所述方法包括：第一沉积，所述第一沉积包括：
通过第一缝隙从第一旋转靶和第二旋转靶进行溅射，所述...
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