用于远程等离子体氧化腔室的狗骨式入口锥形轮廓制造技术

本公开内容的实施方式总体涉及用于高深宽比结构的保形氧化的处理腔室

【技术实现步骤摘要】
用于远程等离子体氧化腔室的狗骨式入口锥形轮廓
[0001]本申请是申请日为
2018
年
12
月
26
日
、
申请号为
201880087578.1、
专利技术名称为“用于远程等离子体氧化腔室的狗骨式入口锥形轮廓”的专利技术专利申请的分案申请
。
[0002]背景
[0003]领域
[0004]本公开内容的实施方式大致涉及半导体装置制造，并且具体地涉及用于高深宽比结构的保形
(conformal)
氧化的流动组件
。
[0005]相关技术的说明
[0006]硅集成电路的生产对制造步骤提出了在芯片上减小最小特征尺寸的同时增加装置数量的难以满足的需求
。
此外，装置制造商的成本压力增加造成对增加半导体制造设施的产量的需要
。
结果，半导体制造工艺必须以极高的均匀性高速执行膜形成
(formation)
和改性
(modification)
操作
。
一种这样的工艺是在半导体基板上氧化膜
。
在这样的工艺中，氧化气体混合物以高速流入处理腔室中，并通过在基板的底层
(underlying layer)
中掺入氧来改变基板的底层，以形成膜的氧化物
。
气体进入处理腔室的速度和在排放之前于腔室内的短暂停留时间不允许气体有时间均匀地扩散在基板上，因而产生不均匀的膜厚度
。/>[0007]因此，需要用于执行半导体基板氧化的改良的设备和方法
。

技术实现思路

[0008]本公开内容的实施方式总体涉及半导体装置制造，并且具体地涉及用于高深宽比结构的保形氧化的流动组件
。
在一个或多个实施方式中，公开一种处理腔室
。
处理腔室包括腔室主体，腔室主体具有第一侧和与第一侧相对的第二侧，和设置在第一侧的流动组件
。
流动组件包括分流器
。
分流器包括新月形的第一侧
、
顶部和底部
。
处理腔室还包括邻近第二侧定位的分散式泵送结构
。
[0009]在其他实施方式中，处理系统包括前驱物活化器和与前驱物活化器耦接的处理腔室
。
处理腔室包括腔室主体，腔室主体具有第一侧和与第一侧相对的第二侧，和设置在第一侧的流动组件
。
流动组件包括分流器
。
分流器包括新月形的第一侧
、
顶部和底部
。
处理腔室还包括邻近第二侧的分散式泵送结构
。
[0010]在其他实施方式中，公开一种流动组件
。
流动组件包括第一侧
、
与第一侧相对的第二侧
、
设置在第一侧与第二侧之间的通道和设置在通道内的分流器
。
第一侧包括凹槽和凹槽内的第一开口
。
第二侧是弯曲的并且包括第二开口
。
分流器包括第一新月形状的侧
、
顶部和底部
。
[0011]附图简要说明
[0012]为了能够详细了解本公开内容的上述特征的方式，可通过参考实施方式获得上文简要概述的本公开内容的更具体描述，其中一些实施方式在附图中图示
。
然而，应注意，附图仅示出示例实施方式，因此不应被视为限制本公开内容的范围，可允许其他等效的实施方式
。
[0013]图
1A
是根据本文描述和讨论的一个或多个实施方式的处理系统的示意图
。
[0014]图
1B
是根据本文描述和讨论的一个或多个实施方式的图
1A
中所示的处理系统的一部分的示意性俯视图
。
[0015]图
2A
是根据本文描述和讨论的一个或多个实施方式的流动组件的第一部件的透视图
。
[0016]图
2B
是图
2A
的流动组件的第二部件的透视图
。
[0017]图
2C
是根据本文描述和讨论的一个或多个实施方式的图
2A
的流动组件的示意性俯视图
。
[0018]图
2D
是根据本文描述和讨论的一个或多个实施方式的图
2A
的流动组件的主视图
。
[0019]图3是根据本文描述和讨论的一个或多个实施方式的分流器
(flow divider)
的透视图
。
[0020]为了便于理解，已尽可能使用相同的参考数字来表示图片共有的相同元件
。
设想一个或多个实施方式的元件和特征可以有利地并入其他实施方式中
。
具体实施方式
[0021]本公开内容的实施方式大致涉及半导体装置制造，并且具体地涉及用于处理腔室的衬垫和流动组件，在处理腔室中执行保形
(conformal)
氧化操作
。
处理腔室包括腔室主体和流动组件，腔室主体具有间隔开的第一侧和第二侧，流动组件位于延伸穿过腔室主体的第一侧的流体管道中
。
流动组件包括分流器，用于调节流过管道的流体的流动轮廓
(flow profile)
，以减小在管道的中心区域中流动的流体的体积，并且增大在管道的周边区域中流动的体积
。
分流器减小管道在管道的中心区域的横截面积，引导增加的气流到管道的周边
。
因此，当气体跨处理腔室中的基板流动时，分流器增加气体跨基板的扩散率
(rate of spreading)
，从而改善在基板上形成的氧化物膜的均匀性
。
[0022]处理腔室还包括邻近腔室的第二侧定位的分散式泵送结构
。
分散式泵送结构用于调节处理腔室中的气流以改善膜厚度均匀性
。
[0023]分流器是设置在气流管道中的流动组件的一部分
。
流动组件包括由诸如石英
、
陶瓷或二氧化硅的材料制成的衬垫，所述材料不与反应性气体物质反应并且最小化这种气体物质在向基板流动的同时去活化
(deactivate)
的机会
。
流动组件经设计以减少自由基的流动收缩
(constriction)
，而使自由基浓度和通量增加
。
可以单独控制两个泵送口以调节自由基通过处理腔室的处理区域的流动
。
通过减小流动组件的中心区域中的流动路径的高度，气流可以朝向基板的边缘扩散，从而提供改善的沉积均匀性
。
[0024]图
1A
图示基板处理系统
100
，基板处理系统
100
包括热处理腔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种分流器，包括：入口端，所述入口端与出口端相对；与轮廓相符的顶部，所述与轮廓相符的顶部包括第一区段
、
第二区段和第三区段，其中所述第一区段是三角形形状，所述第二区段是具有第一弯曲边的三角形形状，并且所述第三区段是具有第二弯曲边的三角形形状；和底部
。2.
如权利要求1所述的分流器，其中所述出口端具有曲面
。3.
如权利要求1所述的分流器，其中所述分流器在高度上变化
。4.
一种包括如权利要求1所述的分流器的处理腔室，所述处理腔室进一步包括：腔室主体，其中所述腔室主体包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；流动组件，设置在所述第一侧中，其中所述流动组件包括：管道，所述管道从流动构件的入口到出口横向地扩展；和所述分流器；和分散式泵送结构，所述分散式泵送结构与所述第二侧相邻
。5.
如权利要求4所述的处理腔室，其中所述分流器的第一侧具有第一长度，所述流动组件的所述第一侧具有第二长度，并且其中所述第一长度在所述第二长度的
3/4
与
4/5
之间
。6.
如权利要求4所述的处理腔室，其中所述分流器的第一侧具有第一长度，所述流动组件的所述第一侧具有第二长度，并且其中所述第一长度在所述第二长度的
3/5
与
4/5
之间
。7.
如权利要求4所述的处理腔室，其中所述流动组件包括凹槽
。8.
一种包括如权利要求1所述的分流器的处理系统，所述处理系统进一步包括：前驱物活化器；处理腔室，所述处理腔室耦接到所述前驱物活化器，其中所述处理腔室包括：腔室主体，其中所述腔室主体包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；流动组件，所述流动组件设置在所述第一侧中，其中所述流动组件包括：流动构件，所述流动构件具有入口侧，所述流动构件包括：凹槽；入口，所述入口在所述凹槽内；和出口侧，所述出口侧与所述入口侧相对，其中所述出口侧是弯曲的并且具有出口；所述分流器；和底部；和分散式泵送结构，所述分散式泵送结构位于与所述第二侧相邻的所述基板支撑部分中
。9.
如权利要求8所述的处理系统，其中所述流动构件进一步包括管道，所述管道从所述入口侧到所述出口侧穿过所述流动构件延伸，并且将所述入口与所述出口流体地连接
。10.
如权利要求9所述的处理系统，其中所述管道从所述入口到所述出...

【专利技术属性】
技术研发人员：维希瓦，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：