利用间歇性空气-水暴露的改良自组装单层阻挡制造技术

在此所述的实施方式大体上涉及用于制造半导体装置的工艺，其中使用自组装单层(SAM)来实现选择性区域沉积。在此所述的方法涉及交替的SAM分子和羟基部分暴露操作，其可用以形成适于阻挡随后沉积材料的沉积的SAM层。

【技术实现步骤摘要】

于此所述的实施方式大体上涉及用于制造半导体装置的工艺，其中使用自组装单层来实现选择性区域沉积。

技术介绍

1、可靠地生产亚半微米(sub-half micron)和更小的特征结构是半导体装置的下一代较大规模集成(very large scale integration，vlsi)和超大规模积体(ultra largescale integration，ulsi)的关键技术挑战之一。然而，随着电路技术的限制的推进，vlsi和ulsi技术的缩小尺寸已经对处理能力提出了额外的要求。

2、随着用于下一代装置的电路密度增加，互连件(诸如过孔、沟槽、接触件(contact)、栅极结构和其它特征结构以及其间的介电材料)的宽度减小到45nm和32nm的尺寸并且超过该尺寸。为了能够制造下一代装置和结构，通常利用半导体芯片中的特征结构的三维(3d)堆叠。特别地，鳍状场效应晶体管(fin field effect transistor，finfet)通常用于在半导体芯片中形成三维(3d)结构。藉由在三维而不是传统的二维中布置晶体管，可将多个晶体管放置在彼此非常接近的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种处理基板的方法，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的方法，其中所述羟基部分前驱物选自由周围空气、水、过氧化氢、有机醇及其组合所组成的组。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述羟基部分前驱物选自由水溶液、水蒸汽和周围空气所组成的组。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述羟基部分前驱物是水蒸汽。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述羟基部分前驱物是周围空气。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述SAM分子是选自由羧酸、膦酸、硫醇、硅烷胺、氯硅烷、氧硅烷及其组合所组成的组的化合物。

7.如权利要求6所述的方法，其...

【技术特征摘要】

1.一种处理基板的方法，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的方法，其中所述羟基部分前驱物选自由周围空气、水、过氧化氢、有机醇及其组合所组成的组。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述羟基部分前驱物选自由水溶液、水蒸汽和周围空气所组成的组。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述羟基部分前驱物是水蒸汽。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述羟基部分前驱物是周围空气。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述sam分子是选自由羧酸、膦酸、硫醇、硅烷胺、氯硅烷、氧硅烷及其组合所组成的组的化合物。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述sam分子包括所述膦酸，并且其中所述膦酸选自由甲基膦酸、乙基膦酸、丙基膦酸、丁基膦酸、戊基膦酸、己基膦酸、庚基膦酸、辛基膦酸、壬基膦酸、癸基膦酸、十一烷基膦酸、十二烷基膦酸、十三烷基膦酸、十四烷基膦酸、十五烷基膦酸、十六烷基膦酸、十七烷基膦酸、十八烷基膦酸、十九烷基膦酸及其组合所组成的组。

8.如权利要求6所述的方法，其中所述sam分子包括所述硫醇，并且其中所述硫醇选自由甲硫醇、乙硫醇、丙硫醇、丁硫醇、戊硫醇、己硫醇、庚硫醇、辛硫醇、壬硫醇、癸硫醇、十一烷硫醇、十二烷硫醇、十三烷硫醇、十四烷硫醇、十五烷硫醇、十六烷硫醇、十七烷硫醇、十八烷硫醇、十九烷硫醇及其组合所组成的组。

9.如权利要求6所述的方法，其中所述sam分子包括所述硅烷胺，并且其中所述硅烷胺选自由三(二甲氨基)甲基硅烷、三(二甲氨基)乙基硅烷、三(二甲氨基)丙基硅烷、三(二甲氨基)丁基硅烷、三(二甲氨基)戊基硅烷、三(二甲氨基)己基硅烷、三(二甲氨基)庚基硅烷、三(二甲氨基)辛基硅烷、三(二甲氨基)壬基硅烷、三(二甲氨基)癸基硅烷、三(二甲氨基)十一烷基硅烷、三(二甲氨基)十二烷基硅烷、三(二甲氨基)十三烷基硅烷、三(二甲氨基)十四烷基硅烷、三(二甲氨基)十五烷基硅烷、三(二甲氨基)十六烷基硅烷、三(二甲氨基)十七烷基硅烷、三(二甲氨基)十八烷基硅烷、三(二甲氨基)十九烷基硅烷及其组合所组成的组。

10.如权利要求6所述的方法，其中所述sam分子包括所述氯硅烷，并且其中所述氯硅烷选自由甲基三氯硅烷、乙基三氯硅烷、丙基三氯硅烷、丁基三氯硅烷、戊基三氯硅烷、己基三氯硅烷、庚三氯硅烷、辛基三氯硅烷、壬基三氯硅烷、癸基三氯硅烷、十一烷基三氯硅烷、十二烷基三氯硅烷、十三烷基三氯硅烷、十四烷基三氯硅烷、十五烷基三氯硅烷、十六烷基三氯硅烷、十七烷基三氯硅烷、十八烷基三氯硅烷、十九烷基三氯硅烷及其组合所组成的组。

11.如权利要求6所述的方法，其中所述sam分子包括所述氧硅烷，并且其中所述氧硅烷选自由甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、丙基三乙氧基硅烷、丁基三甲氧基硅烷、丁基三乙氧基硅烷、戊基三甲氧基硅烷、戊基三乙氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、己基三乙氧基硅烷、庚基三甲氧基硅烷、庚基三乙氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷、壬基三甲氧基硅烷、壬基三乙氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷、癸基三乙氧基硅烷、十一烷基三甲氧基硅烷、十一烷基三乙氧基硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、十二烷基三乙氧基硅烷、十三烷基三甲氧基硅烷、十三烷基三乙氧基硅烷、十四烷基三甲氧基硅烷、十四烷基三乙氧基硅烷、十五烷基三甲氧基硅烷、十五烷基三乙氧基硅烷、十六烷基三甲氧基硅烷、十六烷基三乙氧基硅烷、十七烷基三甲氧基硅烷、十七烷基三乙氧基硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷、十八烷基三乙氧基硅烷、十九烷基三甲氧基硅烷、十九烷基三乙氧基硅烷及其组合所组成的组。

12.一种处理基板的方法，包括以下步骤：

13.如权利要求12所述的方法，其中所述sam分子包括所述硅烷胺，并且其中所述硅烷胺选自由三(二甲氨基)甲基硅烷、三(二甲氨基)乙基硅烷、三(二甲氨基)丙基硅烷、三(二甲氨基)丁基硅烷、三(二甲氨基)戊基硅烷、三(二甲氨基)己基硅烷、三(二甲氨基)庚基硅烷、三(二甲氨基)辛基硅烷、三(二甲氨基)壬基硅烷、三(二甲氨基)癸基硅烷、三(二甲氨基)十一烷基硅烷、三(二甲氨基)十二烷基硅烷、三(二甲氨基)十三烷基硅烷、三(二甲氨基)十四烷基硅烷、三(二甲氨基)十五烷基硅烷、三(二甲氨基)十六烷基硅烷、三(二甲氨基)...

【专利技术属性】
技术研发人员：托宾·卡芙曼·奥斯本，基思·塔特森·王，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：