【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】提升DRAM字线间的间隙填充性能
[0001]本专利技术的实施方式涉及半导体装置及半导体装置制造的领域
。
特定而言，实施方式涉及用于动态随机存取存储器
(dynamic random access memory
；
DRAM)
字线工艺的方法
。
技术介绍
[0002]电子装置，诸如个人计算机
、
工作站
、
计算机服务器
、
大型机
、
及其他计算机相关设备，诸如打印机
、
扫描仪
、
及硬盘驱动器，使用提供大量数据储存能力同时产生低功耗的存储器装置
。
有两种主要类型的随机存取存储器单元，动态及静态的，非常适合在电子装置中使用
。
动态随机存取存储器
(dynamic random
‑
access memories
；
DRAM)
可经编程以储存表示两个二进制值之一的电压，但需要定期重新编...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种形成膜的方法，所述方法包含以下步骤：在工艺循环中形成硅化钼膜，所述工艺循环包含将基板依次暴露于钼前驱物
、
净化气体
、
硅烷前驱物
、
及净化气体，所述基板具有在所述基板上的至少一个特征；和将所述基板浸泡在钛前驱物中，其中在所述工艺循环之前浸泡所述基板，或者其中在所述工艺循环之后浸泡所述基板
。2.
如权利要求1所述的方法，其中净化步骤包含以下步骤中的一者或多者：施加真空或使净化气体流过所述基板上方
。3.
如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：净化所述基板的所述钛前驱物
。4.
如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：将所述基板暴露于第二钼前驱物及反应物，以用块体钼膜来填充所述至少一个特征
。5.
如权利要求4所述的方法，进一步包含以下步骤：使所述基板退火，其中所述块体钼膜具有小于
2nm
的线弯曲，所述块体钼膜不存在分层，并且所述块体钼膜不具有空隙
。6.
一种形成膜的方法，所述方法包含以下步骤：在第一工艺循环中形成硅化钼膜，所述第一工艺循环包含将基板依次暴露于钼前驱物
、
净化气体
、
硅烷反应物
、
及净化气体，所述基板具有在所述基板上的至少一个特征；和执行第二处理循环，所述第二处理循环包含将所述基板暴露于第一钛前驱物及含氮反应物
。7.
如权利要求6所述的方法，其中首先执行所述第一处理循环，随后执行所述第二处理循环
。8.
如权利要求6所述的方法，其中首先执行所述第二处理循环，随后执行所述第一处理循环
。9.
如权利要求6所述的方法，其中所述第一处理循环及所述第二处理循环形成超级循环
。10.
如权利要求6所述的方法，进一步包含以下步骤：净化所述基板的所述第一钛前驱物
。11.
如权...
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