【技术实现步骤摘要】
本公开内容的实施方式总体上涉及形成复合阻挡层的方法。更具体地，本公开内容的实施方式涉及形成ru：nbn阻挡膜的方法。
技术介绍
1、微电子器件，例如半导体或集成电路，可以包括数百万个电子电路器件，例如晶体管、电容器等。为了进一步增加集成电路上的器件密度，需要甚至更小的特征尺寸。为了实现这些更小的特征尺寸，必须减小导线、通孔、和互连、栅极等的尺寸。可靠地形成多级互连结构对于增加电路密度和质量也是必要的。制造技术的进步使得能够将铜用于导线、互连、通孔和其他结构。然而，随着特征尺寸的减小和将铜更多地用于互连，互连结构中的电迁移成为要克服的更大障碍。这种电迁移可能不利地影响集成电路的各种部件的电特性。
2、具体地，对于5nm节点及更小的节点，用于铜互连的阻挡层和衬垫厚度在器件可靠性和阻挡层粘附性方面甚至变得更具挑战性。此外，在5nm下的阻挡膜和衬垫的基线厚度为较高的厚度提供了较小的间隙填充空间，并且会增加电阻率。
3、氮化钽(tan)是膜厚度大于的铜阻挡层，其中膜是连续的。然而，在小于22nm的节点中，通过热原子层沉积(...
【技术保护点】
1.一种用于形成掺钌氮化铌阻挡层的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中用相同的反应物和相同的处理条件进行所述第一ALD处理和所述第二ALD处理。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述ALD处理包括基本上不含卤化物的铌前驱物。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述铌前驱物包含三(二乙基氨基)(叔丁酰胺)铌。
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述ALD处理包括氨。
6.根据权利要求2所述的方法，其中所述ALD处理包括等离子体反应物。
7.根据权利要求2所述的方法，其中在小于或...
【技术特征摘要】
1.一种用于形成掺钌氮化铌阻挡层的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中用相同的反应物和相同的处理条件进行所述第一ald处理和所述第二ald处理。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述ald处理包括基本上不含卤化物的铌前驱物。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述铌前驱物包含三(二乙基氨基)(叔丁酰胺)铌。
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述ald处理包括氨。
6.根据权利要求2所述的方法，其中所述ald处理包括等离子体反应物。
7.根据权利要求2所述的方法，其中在小于或等于300℃的温度下进行所述ald处理。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一nbn阻挡膜和所述第二nbn阻挡膜包括nb3n4。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述闪速化学气相沉积处理包括钌前驱物和氢气(h2)。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述钌前驱物包括甲基环己二烯三羰基钌。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述钌掺杂剂与所...
【专利技术属性】
技术研发人员：岑嘉杰，琚正，陈枫，杰弗里•W•安西斯，本杰明·施密特，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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