制造半导体器件的方法技术

公开了在半导体本体(102)中制造半导体器件的方法。方法包括在半导体本体(102)的第一表面(104)处对半导体本体(102)进行处理。方法还包括将半导体本体(102)经由第一表面(104)附接到载体(106)。载体(106)包括内部部分(1061)和至少部分地围绕内部部分(1061)的外部部分(1062)。方法还包括在与第一表面(104)相对的第二表面处对半导体本体(102)进行处理。方法还包括将载体(106)的内部部分(1061)从半导体本体(102)拆离。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种制造半导体器件的方法，具体地说，涉及一种包括在半导体本体的相对的侧处对半导体本体进行处理的方法。

技术介绍

1、半导体晶片典型地是以标准晶片大小和/或厚度而可用的。例如，标准晶片直径可以是2英寸(50mm)、4英寸(100mm)、6英寸(150mm)或8英寸(200mm)，或者甚至更大。例如，在芯片或管芯的前侧与背侧之间具有竖向负载电流流动的功率半导体器件中，在前侧处以及在背侧处对晶片进行处理。在前侧和背侧处对晶片进行处理典型地必须满足许多部分地冲突的要求，以用于满足对芯片可靠性的需求。例如，对通过减少处理复杂性的成本减少的要求可能与在半导体处理期间晶片的机械稳定性冲突。

2、因此，存在针对改进制造半导体器件的灵活性的需要

技术实现思路

1、本公开的示例涉及一种制造半导体器件的方法。方法包括：在半导体本体的第一表面处对半导体本体进行处理。方法还包括：将半导体本体经由第一表面附接到载体。载体包括内部部分和至少部分地围绕内部部分的外部部分。方法还包括在与第一表面相对的第二表面处对半导体本本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

2.如前述权利要求所述的方法，还包括：

3.如前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中在第一表面(104)处对半导体本体(102)进行处理包括以下中的至少一个：将掺杂剂通过第一表面(104)引入半导体本体(102)中；在半导体本体(102)的第一表面(104)上方形成包括多个接触焊盘的布线区域；或者在第一表面(104)处在半导体本体(102)中形成沟槽。

4.如前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中在第二表面(108)处对半导体本体(102)进行处理包括通过从半导体本体(102)的第二表面(108)移除材料来减少...

【技术特征摘要】

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

2.如前述权利要求所述的方法，还包括：

3.如前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中在第一表面(104)处对半导体本体(102)进行处理包括以下中的至少一个：将掺杂剂通过第一表面(104)引入半导体本体(102)中；在半导体本体(102)的第一表面(104)上方形成包括多个接触焊盘的布线区域；或者在第一表面(104)处在半导体本体(102)中形成沟槽。

4.如前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中在第二表面(108)处对半导体本体(102)进行处理包括通过从半导体本体(102)的第二表面(108)移除材料来减少半导体本体(102)的厚度(d1、d2)。

5.如前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中将载体(106)的内部部分(1061)从半导体本体(102)拆离包括通过移除载体(106)的材料来使载体(106)的内部部分(1061)与外部部分(1062)分离。

6.如前述权利要求所述的方法，其中移除载体(106)的材料包括：激光照射载体(106)的内部部分(1061)与外部部分(1062)之间的分离区。

7.如前述权利要求所述的方法，其中在激光照射之前，在半导体本体(102)的在分离区中的第一表面(104)上方和/或在载体(106)的在分离区中的表面上形成激光照射或化学停止结构，其中载体(106)被经由载体(106)的包括激光照射或化学停止结构的表面附接到半导体本体(102)。

8.如权利要求6所述的方法，其中载体(106)包括在载体(106)的在分离区中的表面上的凹槽，并且载体(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·朗格，B·戈勒，N·米什拉，M·皮钦，FJ·皮克勒，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：