【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及用于半导体处理的方法和部件。更具体地，本技术涉及用于生产用于半导体结构的硅锗膜的系统和方法。
技术介绍
1、集成电路通过在基板表面上产生复杂图案化材料层的工艺而成为可能。在基板上产生图案化材料需要受控方法来形成和去除材料。随着器件大小的不断减小，结构的深宽比可能会增加，并且在处理操作期间保持这些结构的尺寸可能会受到挑战。开发可具有足够的跨特征共形性的材料可能会变得更加困难。此外，随着在处理期间被图案化的材料层数量不断增加，生产对其他暴露材料具有更高去除选择性的材料以及保持材料特性正成为更大的挑战。
2、因此，需要可用于生产高质量器件和结构的改进系统和方法。本技术解决了这些和其他需求。
技术实现思路
1、半导体处理的示例性方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物。基板可以设置在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可以包括在基板上沉积含硅材料。在第一时间段之后，所述方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供含锗前驱物。所述方法可以包括使含硅前驱物和含锗前驱物在大于或约400℃的温度下热反应。所述方法可以包括在基板上形成含硅和锗的层。
2、在一些实施例中，在基板上形成含硅和锗的层的同时，半导体处理腔室的处理区域可以保持无等离子体。第一时间段可以是小于或约60秒。所述方法可以包括在提供含锗前驱物时增加含硅前驱物的流速。含硅前驱物和含锗前驱物的热反应可以在大于或约500℃的温度下执行。在提供含硅前驱物之前，所述方法可以包括形成处理前驱物的等离子体
3、本技术的一些实施例可以涵盖半导体处理方法。所述方法可以包括形成处理前驱物的等离子体。所述方法可以包括使基板与处理前驱物的等离子体流出物接触。基板可以设置在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物。所述方法可以包括随后向半导体处理腔室的处理区域提供含锗前驱物。所述方法可以包括在半导体处理腔室的处理区域内使含硅前驱物和含锗前驱物反应。所述方法可以包括在基板上形成含硅和锗的层。
4、在一些实施例中，在提供含硅前驱物和提供含锗前驱物的同时，半导体处理腔室的处理区域可以保持无等离子体。所述方法可以包括在提供含锗前驱物的同时保持含硅前驱物的输送。可以在提供含硅前驱物之后至少约5秒后提供含锗前驱物。所述方法可以包括在提供含锗前驱物时增加含硅前驱物的流速。可以在大于或约400℃的处理区域内的温度下执行半导体处理方法。所述方法可以包括在向处理区域提供含硅前驱物之前或同时增加半导体处理腔室内的压力。
5、本技术的一些实施例可以涵盖半导体处理方法。所述方法可以包括形成处理前驱物的等离子体。所述方法可以包括使基板与处理前驱物的等离子体流出物接触。基板可以设置在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物。所述方法可以包括在基板上形成含硅材料的层。所述方法可以包括，在第一时间段之后，向半导体处理腔室的处理区域提供含锗前驱物。所述方法可以包括在半导体处理腔室的处理区域内使含硅前驱物和含锗前驱物反应。所述方法可以包括在基板上形成上覆于含硅材料的层的含硅和锗的层。在一些实施例中，在提供含硅前驱物和提供含锗前驱物的同时，半导体处理腔室的处理区域可以保持无等离子体。第一时间段可以是小于或约60秒。
6、这种技术可以提供优于传统系统和技术的许多好处。例如，本技术的实施例可以产生适用于许多基板特征的共形材料。此外，本技术可以生产用于插塞和间隙填充应用以及更均匀沉积可能对其有益的任何其他应用的硅锗膜。结合以下描述和附图更详细地描述这些和其他实施例以及它们的优点和特征中的许多优点和特征。
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1.一种半导体处理方法，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中，在所述基板上形成所述含硅和锗的层的同时，所述半导体处理腔室的所述处理区域保持无等离子体。
3.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中，所述第一时间段是小于或约60秒。
4.如权利要求1所述的半导体处理方法，进一步包括以下步骤：
5.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中，使所述含硅前驱物和所述含锗前驱物在大于或约500℃的温度下进行热反应。
6.如权利要求1所述的半导体处理方法，进一步包括，在提供所述含硅前驱物之前：
7.如权利要求6所述的半导体处理方法，其中所述处理前驱物包括含氢前驱物或含氮前驱物中的至少一者。
8.如权利要求6所述的半导体处理方法，进一步包括以下步骤：
9.如权利要求6所述的半导体处理方法，进一步包括以下步骤：
10.如权利要求6所述的半导体处理方法，进一步包括以下步骤：
11.一种半导体处理方法，包括以下步骤：
12.如权利要求11所述的半导体处
13.如权利要求11所述的半导体处理方法，进一步包括以下步骤：
14.如权利要求11所述的半导体处理方法，其中在提供所述含硅前驱物之后至少约5秒后提供所述含锗前驱物。
15.如权利要求11所述的半导体处理方法，进一步包括以下步骤：
16.如权利要求11所述的半导体处理方法，其中所述半导体处理方法在大于或约400℃的所述处理区域内的温度下执行。
17.如权利要求11所述的半导体处理方法，进一步包括以下步骤：
18.一种半导体处理方法，包括以下步骤：
19.如权利要求18所述的半导体处理方法，其中，在提供所述含硅前驱物和提供所述含锗前驱物的同时，所述半导体处理腔室的所述处理区域保持无等离子体。
20.如权利要求18所述的半导体处理方法，其中，所述第一时间段是小于或约60秒。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体处理方法，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中，在所述基板上形成所述含硅和锗的层的同时，所述半导体处理腔室的所述处理区域保持无等离子体。
3.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中，所述第一时间段是小于或约60秒。
4.如权利要求1所述的半导体处理方法，进一步包括以下步骤：
5.如权利要求1所述的半导体处理方法，其中，使所述含硅前驱物和所述含锗前驱物在大于或约500℃的温度下进行热反应。
6.如权利要求1所述的半导体处理方法，进一步包括，在提供所述含硅前驱物之前：
7.如权利要求6所述的半导体处理方法，其中所述处理前驱物包括含氢前驱物或含氮前驱物中的至少一者。
8.如权利要求6所述的半导体处理方法，进一步包括以下步骤：
9.如权利要求6所述的半导体处理方法，进一步包括以下步骤：
10.如权利要求6所述的半导体处理方法，进一步包括以下步骤：
11.一种半导体处理方法，包括以下...
【专利技术属性】
技术研发人员：王慧圆，S·S·罗伊，A·B·玛里克，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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