【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的实施方式大体涉及用于降低含金属材料的沉积速率的方法。特别地，本公开的实施方式涉及通过暴露于含卤化物生长抑制剂来抑制生长的方法。
技术介绍
1、沉积速率的控制是半导体制造中的不断追求的目标。对沉积速率的控制的尤为感兴趣的一种应用是用间隙填充材料填充基板特征(例如，通孔、沟槽等)。
2、传统的沉积方法可产生过高的沉积速率，导致在特征的开口附近累积材料而不填充特征底部。若这些开口未保持打开，则特征可能会被封闭，从而导致特征内出现孔隙。典型的间隙填充方法亦可在特征的中心附近的沉积材料中产生接缝。
3、这些缺陷(例如，接缝及孔隙)可在下游处理期间导致问题。这些问题通常通过蚀刻工艺最清楚地证明，蚀刻工艺对缺陷的影响不同于周围的间隙填充。这些缺陷亦可能导致包括间隙填充的图案/装置随时间的推移而劣化，从而导致装置故障。
4、对于一些金属间隙填充应用(例如3d nand、dram及meol逻辑)，在传统ald(具有保形覆盖)失败的复杂凹入结构中，需要超共形生长或自下而上的间隙填充以完成间隙填充。
5、因此，需要提供含金属材料的较低沉积速率、超共形沉积及/或自下而上的间隙填充的沉积工艺。
技术实现思路
1、本公开的一个或更多个实施方式针对一种沉积方法，该方法包括将基板表面暴露于含卤化物生长抑制剂，并且将基板表面暴露于金属卤化物前驱物及反应物以形成含金属层。含金属层的生长速率低于未将基板表面暴露于含卤化物生长抑制剂的类似沉积方法。
2、
3、本公开的进一步实施方式针对一种沉积方法，该方法包括将其中形成有特征的介电表面暴露于氯代叔丁烷(t-butyl chloride)以形成经处理的表面。将经处理的表面暴露于卤化钼前驱物以将钼物种化学吸附至沟槽之内的经处理的表面上。将经处理的表面暴露于反应物以与钼物种反应，并且在沟槽内的经处理的表面上形成钼层。钼层被沉积为在沟槽的底部比在沟槽的外部具有更大的厚度。
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1.一种沉积方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中所述含卤化物生长抑制剂大体上不包括氟。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述含卤化物生长抑制剂包括卤化氢。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述含卤化物生长抑制剂包括卤代烷。
5.如权利要求4所述的方法，其中所述卤代烷包括卤代叔丁烷。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述含卤化物生长抑制剂的所述卤化物与所述金属卤化物前驱物的所述卤化物是相同的卤化物。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述含金属膜由化学气相沉积(CVD)形成。
8.如权利要求7所述的方法，其中将所述基板表面暴露于所述含卤化物生长抑制剂形成经处理的基板表面，并且将所述经处理的基板表面暴露于所述金属卤化物前驱物及所述反应物。
9.如权利要求7所述的方法，其中所述含卤化物生长抑制剂、所述金属卤化物前驱物及所述反应物中的每一者同时暴露于所述基板表面。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述含金属膜由原子层沉积形成。
11.如权利要求10所述的方法，
12.如权利要求1所述的方法，其中所述基板表面具有形成于其中的至少一个特征，所述至少一个特征延伸一深度至底部并且具有由两个侧壁之间的平均距离界定的宽度。
13.如权利要求12所述的方法，其中所述含金属膜被沉积为在所述底部比在所述至少一个特征的外部具有更大的厚度。
14.如权利要求12所述的方法，其中所述含金属膜被形成为自下而上的间隙填充材料。
15.如权利要求14所述的方法，其中所述自下而上的间隙填充材料大体上没有孔隙或接缝。
16.如权利要求1所述的方法，其中所述含金属层包括钼。
17.如权利要求1所述的方法，其中所述含金属层包括金属层或金属氧化物层。
18.如权利要求1所述的方法，其中所述含金属膜被形成在介电材料上。
19.一种沉积方法，包括：将其中形成有特征的介电表面暴露于HCl、MoO2Cl2及氢气(H2)以在沟槽内形成钼层，其中所述钼层被沉积为在所述沟槽的底部比在所述沟槽的外部具有更大的厚度。
20.一种沉积方法，包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种沉积方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中所述含卤化物生长抑制剂大体上不包括氟。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述含卤化物生长抑制剂包括卤化氢。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述含卤化物生长抑制剂包括卤代烷。
5.如权利要求4所述的方法，其中所述卤代烷包括卤代叔丁烷。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述含卤化物生长抑制剂的所述卤化物与所述金属卤化物前驱物的所述卤化物是相同的卤化物。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述含金属膜由化学气相沉积(cvd)形成。
8.如权利要求7所述的方法，其中将所述基板表面暴露于所述含卤化物生长抑制剂形成经处理的基板表面，并且将所述经处理的基板表面暴露于所述金属卤化物前驱物及所述反应物。
9.如权利要求7所述的方法，其中所述含卤化物生长抑制剂、所述金属卤化物前驱物及所述反应物中的每一者同时暴露于所述基板表面。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述含金属膜由原子层沉积形成。
11.如权利要求10所述的方法，其中将所述基板表面暴露于所述含卤化物生长抑制剂形成...
【专利技术属性】
技术研发人员：库纳尔·巴哈特纳瓜，莫希斯·维尔格瑟，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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