【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容的实施方式大体涉及微电子制造，并且更特定言之，涉及用于在基板上形成金属硅化物的方法。
技术介绍
1、金属硅化物层或膜(诸如硅化钛或硅化镍)当前用于各种电子装置中。例如，金属硅化物层或膜用于源极/漏极(source/drain；s/d)接触区域，用于减少nmos及pmos中的电阻电容(resistor-capacitor；rc)。当金属硅化物膜暴露于高温(例如，大于700℃)时，在金属硅化物膜上或金属硅化物膜处可发生附聚(agglomeration)。发生附聚，其中多晶硅晶粒趋于在晶界之间球化并导致膜的不连续性及金属硅化物膜的更大电阻率。
2、因此，需要一种制备相比传统金属硅化物具有减小的电阻的金属硅化物的改良方法。
技术实现思路
1、本公开内容的实施方式大体涉及用于在基板的硅表面上形成或以其他方式(otherwise)产生金属硅化物的方法。示例性的金属硅化物可为或包括硅化钛、硅化钴、硅化镍、硅化钼或上述各者的合金。在一或多个实施方式中，提供一种形成金属硅化物的方法，且该方法包括在清洁工艺期间从基板移除原生氧化物以露出基板的硅表面，在沉积工艺期间于硅表面上沉积金属层，以及在硅化工艺期间加热包含在含有氢气(h2)的工艺区域内的基板，以在基板上由金属层及硅表面产生金属硅化物层。
2、在一些实施方式中，提供一种形成金属硅化物的方法，且该方法包括在清洁工艺期间从基板移除原生氧化物以露出基板的硅表面，以及在沉积工艺期间于硅表面上沉积含钛的金属层。该方法亦包括在
3、在其他实施方式中，提供了一种形成金属硅化物的方法，且该方法包括将基板暴露于等离子体以移除设置在基板上的原生氧化物并且露出基板的硅表面，以及在pvd工艺期间于硅表面上沉积含钛的金属层，其中该基板在pvd工艺期间被保持在约23℃至约450℃的温度下。该方法亦包括将基板暴露于硅化工艺，以在基板上由金属层及硅表面产生含钛的金属硅化物层。硅化工艺包括将含有氢气的工艺区域内的基板加热至约500℃至约1,100℃的温度。金属硅化物层具有约4ω/sq至约35ω/sq的电阻。
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1.一种形成金属硅化物的方法，包含：
2.如权利要求1所述的方法，其中所述清洁工艺包含：将所述原生氧化物层暴露于由清洁气体形成的等离子体。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述清洁气体包含三氟化氮、氨气、氩气、氢气(H2)、或上述气体的任何组合。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述金属层在所述沉积工艺期间通过物理气相沉积(PVD)沉积在所述硅表面上。
5.如权利要求4所述的方法，其中所述基板在所述沉积工艺期间被保持在约23℃至约450℃的温度下。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述金属层在所述沉积工艺期间通过以下方式沉积在所述硅表面上：热化学气相沉积(CVD)工艺、等离子体增强CVD(PE-CVD)工艺、脉冲CVD工艺、热原子层沉积(ALD)工艺、等离子体增强ALD(PE-ALD)工艺或上述工艺的任何组合。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述基板在所述沉积工艺期间被保持在约23℃至约600℃的温度下。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述金属层包含钛、钴、镍、钼、上述金属的合金、或上述金属的
9.如权利要求1所述的方法，其中所述金属层具有约至约的厚度。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述硅化工艺包含：将所述基板加热至约500℃至约1,200℃的温度约5秒至约120分钟。
11.如权利要求1所述的方法，其中所述硅化工艺包含：将所述基板加热至约650℃至约850℃的温度约10秒至约5分钟。
12.如权利要求1所述的方法，其中在所述硅化工艺期间，所述工艺区域在处理腔室内保持在约10mTorr至约760Torr的压力下。
13.如权利要求1所述的方法，其中在所述硅化工艺期间，所述工艺区域在处理腔室内保持在约250mTorr至小于760Torr的压力下。
14.如权利要求1所述的方法，其中所述金属硅化物层包含硅化钛、硅化钴、硅化镍、硅化钼、上述各者的合金、或上述各者的任何组合。
15.如权利要求1所述的方法，其中所述金属硅化物层具有约至约的厚度。
16.如权利要求1所述的方法，其中所述金属硅化物层具有小于50Ω/方(sq)的电阻。
17.如权利要求16所述的方法，其中所述金属硅化物层具有约4Ω/sq至约35Ω/sq的电阻。
18.如权利要求1所述的方法，其中所述清洁工艺在第一处理腔室中执行，所述沉积工艺在第二处理腔室中执行，并且所述硅化工艺在第三处理腔室中执行，并且其中所述第一处理腔室、第二处理腔室及第三处理腔室中的每一者被流体耦接至处理系统内的移送腔室。
19.一种形成金属硅化物的方法，包含：
20.一种形成金属硅化物的方法，包含：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种形成金属硅化物的方法，包含：
2.如权利要求1所述的方法，其中所述清洁工艺包含：将所述原生氧化物层暴露于由清洁气体形成的等离子体。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述清洁气体包含三氟化氮、氨气、氩气、氢气(h2)、或上述气体的任何组合。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述金属层在所述沉积工艺期间通过物理气相沉积(pvd)沉积在所述硅表面上。
5.如权利要求4所述的方法，其中所述基板在所述沉积工艺期间被保持在约23℃至约450℃的温度下。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述金属层在所述沉积工艺期间通过以下方式沉积在所述硅表面上：热化学气相沉积(cvd)工艺、等离子体增强cvd(pe-cvd)工艺、脉冲cvd工艺、热原子层沉积(ald)工艺、等离子体增强ald(pe-ald)工艺或上述工艺的任何组合。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述基板在所述沉积工艺期间被保持在约23℃至约600℃的温度下。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述金属层包含钛、钴、镍、钼、上述金属的合金、或上述金属的任何组合。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述金属层具有约至约的厚度。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述硅化工艺包含：将所述基板加热至约500℃至约1,200℃的温度约5秒至约12...
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