【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的实施例总体上涉及用于半导体器件制造的系统。更具体地，本公开的实施例涉及用于处理基板的等离子体处理系统。
技术介绍
1、一种形成高深宽比特征的方法使用等离子体辅助蚀刻工艺穿过在基板表面上的图案化掩模层中形成的开口轰击在基板表面上形成的材料。在典型的等离子体辅助蚀刻工艺中，基板定位在设置在处理腔室中的静电卡盘(esc)上，等离子体在基板上方形成，并且离子跨等离子体壳层(即，在等离子体与基板表面之间形成的电子耗尽区)从等离子体朝向基板加速。射频(rf)信号可由rf产生系统产生以保持等离子体腔室中的壳层。在一些情况下，当向等离子体腔室提供rf信号时可能发生故障条件，这可导致对rf产生系统的损坏。因此，在本领域中需要能够保护系统硬件免受潜在的故障条件影响并且增加系统安全性的rf产生系统。
技术实现思路
1、本文提供的实施例总体上包括用于在处理腔室中对基板进行等离子体处理的装置(例如，等离子体处理系统)和方法。
2、一些实施例针对射频(rf)产生系统。rf产生系统总体上包括rf发生器和真空断路器，所述真空断路器被配置为基于与等离子体腔室的操作相关联的故障条件的检测来选择性地将rf发生器从等离子体腔室的偏压电极解耦。
3、一些实施例针对用于等离子体处理的方法。所述方法总体上包括：经由rf发生器产生提供至等离子体腔室的偏压电极的rf信号；检测与等离子体腔室的操作相关联的故障条件；以及基于故障条件的检测，经由真空断路器将rf发生器从等离子体腔室的偏压电极解耦。
...【技术保护点】
1.一种射频(RF)产生系统，包括：
2.如权利要求1所述的RF产生系统，进一步包括控制器，所述控制器被配置为：
3.如权利要求2所述的RF产生系统，其中所述控制器进一步被配置为：
4.如权利要求2所述的RF产生系统，进一步包括致动器，所述致动器被配置为控制所述真空断路器，其中所述控制器被配置为经由所述致动器控制所述真空断路器。
5.如权利要求4所述的RF产生系统，其中所述致动器包括气动致动器或磁性致动器。
6.如权利要求2所述的RF产生系统，其中所述控制器被配置为基于以下各项中的至少一项来检测所述故障条件：
7.如权利要求2所述的RF产生系统，进一步包括耦接在所述第一RF发生器与所述等离子体腔室之间的RF匹配网络，其中所述控制器被配置为通过检测与所述RF匹配网络相关联的阻抗变化来检测所述故障条件。
8.如权利要求1所述的RF产生系统，其中所述真空断路器包括：
9.如权利要求8所述的RF产生系统，其中所述真空断路器进一步包括至少部分地围绕所述真空壳体的金属外壳，所述金属外壳耦接至地。<...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种射频(rf)产生系统，包括：
2.如权利要求1所述的rf产生系统，进一步包括控制器，所述控制器被配置为：
3.如权利要求2所述的rf产生系统，其中所述控制器进一步被配置为：
4.如权利要求2所述的rf产生系统，进一步包括致动器，所述致动器被配置为控制所述真空断路器，其中所述控制器被配置为经由所述致动器控制所述真空断路器。
5.如权利要求4所述的rf产生系统，其中所述致动器包括气动致动器或磁性致动器。
6.如权利要求2所述的rf产生系统，其中所述控制器被配置为基于以下各项中的至少一项来检测所述故障条件：
7.如权利要求2所述的rf产生系统，进一步包括耦接在所述第一rf发生器与所述等离子体腔室之间的rf匹配网络，其中所述控制器被配置为通过检测与所述rf匹配网络相关联的阻抗变化来检测所述故障条件。
8.如权利要求1所述的rf产生系统，其中所述真空断路器包括：
9.如权利要求8所述的rf产生系统，其中所述真空断路器进一步包括至少部分地围绕所述真空壳体的金属...
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