【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术关于用于扩散接合的处理和系统。更具体地，本技术关于用于在扩散接合操作之后冷却基板的系统和方法。
技术介绍
1、半导体处理系统可包括用于支撑基板、输送形成和移除材料以及限定处理区域和流动路径的多个部件。这些部件可能会暴露在高温和低温、高压和低压以及各种腐蚀性和侵蚀性材料中。因此，许多处理腔室包括经处理或涂覆的材料。然而，随着处理系统和腔室变得更加复杂，并入系统内的部件可能变成必须以一种或多种方式结合或接合的多件式设备。这些接头和接缝可能类似地暴露于可能对部件造成损坏的环境条件和材料中。
2、因此，存在对于可用以生产高质量装置和结构的改进的系统和部件的需求。本技术解决了这些和其他需求。
技术实现思路
1、冷却半导体部件基板的示例性方法可包括：在腔室中将半导体部件基板加热到大于或约500℃的温度。半导体部件基板可为或包括铝。方法可包括：将气体输送到腔室中。气体可以由低于或约100℃的温度表征。方法可包括：在小于或约1分钟的第一时间段中将半导体部件基板冷却至低于或约200℃的温度。
2、在一些实施例中，半导体部件基板可为或包括铝6061。在冷却之后，半导体部件基板可由大于或约100的维氏硬度表征。方法可包括：将半导体部件基板维持在在约150℃和约200℃之间的温度下持续大于或约1小时的第二时间段。方法可包括：在第二时间段之后，空气冷却半导体部件基板。半导体部件基板可为或包括扩散接合的铝基板。扩散接合的铝基板可限定一个或多个内部通道，内部通道能够通过限定在扩散接
3、本技术的一些实施例可涵盖冷却半导体部件基板的方法。方法可包括：在扩散接合腔室中将半导体部件基板加热到大于或约500℃的温度，同时对半导体部件基板施加单轴力。半导体部件基板可包括第一铝件和第二铝件。方法可包括：将气体输送到扩散接合腔室中。气体可由低于或约100℃的温度表征。方法可包括：在小于或约1分钟的第一时间段中将半导体部件基板冷却至低于或约200℃的温度。
4、在一些实施例中，方法可包括：将半导体部件基板维持在约150℃和约200℃之间的温度下持续大于或约1小时的第二时间段。方法可包括：在第二时间段之后，空气冷却半导体部件基板。扩散接合腔室可包括加热器、用于半导体部件基板的支撑件和机械压力机。可围绕支撑件限定多个气孔。扩散接合腔室可包括排气系统，排气系统配置成在将气体输送到扩散接合腔室中的同时维持流体流过扩散接合腔室。第一铝件可限定一个或多个通道，并且第二铝件可限定一个或多个孔。第一铝件和第二铝件中的每一者可为或包括铝6061。在冷却之后，半导体部件基板可以由大于或约65的维氏硬度表征。方法可包括：在冷却半导体部件基板的同时，调整对半导体部件基板施加的单轴力。
5、本技术的一些实施例可涵盖扩散接合系统。系统可包括腔室。腔室可包括腔室侧壁。腔室侧壁可限定多个气孔。腔室可包括基板支撑件。腔室可包括加热器。腔室可包括机械压力机。系统可包括气体输送系统。气体输送系统可与限定在腔室侧壁中的多个气孔流体耦合。系统可包括排气系统。扩散接合系统可配置为对设置在腔室内的部件执行空气淬火。
6、这种技术可提供优于传统系统和技术的许多好处。例如，本技术可形成半导体系统部件，该半导体系统部件由与传统技术相比改进的材料性质表征。此外，本技术可减少接合后处理以恢复接合部件的材料性质。结合以下描述和随附附图更详细地描述这些和其他实施例以及它们的许多优点和特征。
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1.一种冷却半导体部件基板的方法，所述方法包含：
2.如权利要求1所述的冷却半导体部件基板的方法，其中所述半导体部件基板包含铝6061。
3.如权利要求2所述的冷却半导体部件基板的方法，其中在所述冷却之后，所述半导体部件基板由大于或约100的维氏硬度表征。
4.如权利要求1所述的冷却半导体部件基板的方法，进一步包含：
5.如权利要求4所述的冷却半导体部件基板的方法，进一步包含：
6.如权利要求1所述的冷却半导体部件基板的方法，其中所述半导体部件基板包含扩散接合的铝基板。
7.如权利要求6所述的冷却半导体部件基板的方法，其中所述扩散接合的铝基板限定一个或多个内部通道，所述一个或多个内部通道能够通过限定在所述扩散接合的铝基板中的孔进入。
8.如权利要求1所述的冷却半导体部件基板的方法，其中所述气体包含空气、水蒸气、氮气或氩气。
9.如权利要求1所述的冷却半导体部件基板的方法，其中所述腔室包含加热器和用于所述半导体部件基板的支撑件，并且其中围绕所述支撑件限定多个气孔。
10.如权
11.一种冷却半导体部件基板的方法，所述方法包含：
12.如权利要求11所述的冷却半导体部件基板的方法，进一步包含：
13.如权利要求12所述的冷却半导体部件基板的方法，进一步包含：
14.如权利要求11所述的冷却半导体部件基板的方法，其中所述扩散接合腔室包含加热器、用于所述半导体部件基板的支撑件和机械压力机，并且其中围绕所述支撑件限定多个气孔。
15.如权利要求14所述的冷却半导体部件基板的方法，其中所述扩散接合腔室包含排气系统，所述排气系统配置成在将气体输送到所述扩散接合腔室中的同时维持流体流过所述扩散接合腔室。
16.如权利要求11所述的冷却半导体部件基板的方法，其中所述第一铝件限定一个或多个通道，并且其中所述第二铝件限定一个或多个孔。
17.如权利要求11所述的冷却半导体部件基板的方法，其中所述第一铝件和所述第二铝件中的每一者包含铝6061。
18.如权利要求11所述的冷却半导体部件基板的方法，其中在冷却之后，所述半导体部件基板由大于或约65的维氏硬度表征。
19.如权利要求11所述的冷却半导体部件基板的方法，进一步包含：
20.一种扩散接合系统，包含：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种冷却半导体部件基板的方法，所述方法包含：
2.如权利要求1所述的冷却半导体部件基板的方法，其中所述半导体部件基板包含铝6061。
3.如权利要求2所述的冷却半导体部件基板的方法，其中在所述冷却之后，所述半导体部件基板由大于或约100的维氏硬度表征。
4.如权利要求1所述的冷却半导体部件基板的方法，进一步包含：
5.如权利要求4所述的冷却半导体部件基板的方法，进一步包含：
6.如权利要求1所述的冷却半导体部件基板的方法，其中所述半导体部件基板包含扩散接合的铝基板。
7.如权利要求6所述的冷却半导体部件基板的方法，其中所述扩散接合的铝基板限定一个或多个内部通道，所述一个或多个内部通道能够通过限定在所述扩散接合的铝基板中的孔进入。
8.如权利要求1所述的冷却半导体部件基板的方法，其中所述气体包含空气、水蒸气、氮气或氩气。
9.如权利要求1所述的冷却半导体部件基板的方法，其中所述腔室包含加热器和用于所述半导体部件基板的支撑件，并且其中围绕所述支撑件限定多个气孔。
10.如权利要求1所述的冷却半导体部件基板的方法，其中所述腔室为扩散接合腔室。
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【专利技术属性】
技术研发人员：J·F·贝恩克，J·F·萨默斯，S·阿加瓦尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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